四川ESD保护器件价钱

ESD保护器件分类：压敏电阻：压敏电阻是一种限压型ESD保护器件。利用压敏电阻的非线性特性，当过电压出现在压敏电阻的两极间，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。压敏电阻的主要参数有：压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等。压敏电阻的响应时间为ns级，比空气放电管快，比TVS管稍慢一些，一般情况下用于电子电路的过电压保护其响应速度可以满足要求。压敏电阻主要可用于直流电源、交流电源、低频信号线路、带馈电的天馈线路。压敏电阻的失效模式主要是短路，当通过的过电流太大时，也可能造成阀片被炸裂而开路。压敏电阻使用寿命较短，多次冲击后性能会下降。因此由压敏电阻构成的防雷器长时间使用后存在维护及更换的问题。当外部接口电压超过ESD保护器件的击穿电压（VBR）,ESD保护器件开始起作用，并将电流分流到地。四川ESD保护器件价钱

ESD 保护器件与保护电路：由于IC上ESD 保护电路能力有限，为保证整个系统有较好的ESD 防护能力，外部ESD 保护器件是必不可少的。比较常见的有硅基ESD,聚合物PESD和压敏MOV。硅基ESD：VB击穿电压可以低到3.5V；VC钳位电压可以低到3.8V；IPP抗浪涌能力可以达100A；Cp电容可以低到0.2PF；反应速度小于1nS;封装尺寸可以小到0201尺寸；封装样式可以多到20多个引脚；寿命和IC 一样长。聚合物PESD：VB击穿电压5V；VC钳位电压常规40V；无IPP抗浪涌能力；Cp电容可以低到0.02PF；反应速度小于20nS;封装尺寸可以小到0201尺寸；封装样式不能多样化，一般是2个脚的二极管。寿命短，自身容易氧化。VC钳位电压常规40V；无IPP抗浪涌能力；Cp电容可以低到0.02PF；反应速度小于25nS;封装尺寸可以小到0402尺寸；封装样式不能多样化，一般是2个脚的二极管。寿命短，自身容易氧化。电子产品轻薄化的发展趋势使其对ESD 防护要求越来越高，MOV 渐渐有些力不从心，硅基ESD二极管则开始崭露头角。四川ESD保护器件价钱ESD保护器件在出厂时都需要通过测试，其测试规范包含在标准IEC61000-4-2之中。

ESD保护器件分类：ESD（Electro-Static discharge）器件又称静电保护器件，常见的ESD保护器件主要有压敏电阻、硅材料的TVS二极管以及陶瓷材料的A-TVS等。压敏电阻是一种限压型保护器件，在遭受ESD时，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。但是其ESD性能会随使用次数增多而变差，结构简单，材料便宜，成本极低。硅材料的TVS二极管，是利用PN结反向击穿雪崩的原理，在经历ESD事件时，瞬间将能量传递出去，对器件本身并无影响。但是受工艺影响，成本较高。特别是高速数据线上用的TVS，需要的寄生容值越低，成本越高。A-TVS，采用电极间放电的原理，能承受10000次以上ESD测试。集成电容很低，可以做到0.05Pf，所以特别适合应用在高速数据线上，而且成本也较低，只要0.001～0.002USD，就能达到ESD保护的效果。

为了防止由于ESD侵入被触摸的电子设备而导致的产品或系统破坏，便需要安装抑制或消除ESD的对应元器件。在高速电量传输过程中易产生潜在的破坏电压、电流及电磁场。选择ESD器件应该选择系统工作电压小于ESD器件的工作电压（VRWM），例如系统是0~5V，那么我们应该选择工作电压（VRWM）大于5V的TVS。常见的ESD保护器件主要有压敏电阻、硅材料的TVS二极管以及陶瓷材料的A-TVS等。ESD保护器件在一些高速电路接口上已经变得不再是一个简单的ESD保护器件，还包含了杂散的寄生参数，以及安装到PCB板上时的寄生电感等参数。ESD防护器件能够有效保护电子线路中的精密元器件免受各种浪涌脉冲和静电的损坏。

芯片级保护器件：正向导通二极管具有很强的泄放能力，是重要的保护器件，在射频、数字端口保护中常用。但是反向二极管电流能力弱，若作为ESD保护，需要较大的芯片面积。三极管和GGNMOS在反偏结击穿后，整体器件进入电导调制的滞回状态，形成S形滞回曲线，泄放电流。SCR是重要的ESD保护器件，通过PNPN结构形成反馈环路，这是典型的特性曲线，具有Vt1高，VH低，开启速度慢的特点。注意对于SCR来说，反向特性虽然也是一个二极管，但是串联了Rpsub和RNW，会影响导通电阻，直接影响钳位特性和导通电阻，所以通常并联一个Dp。ESD保护器件是低电容的；嘉兴ESD保护器件供应商

ESD保护器件低导通电压；四川ESD保护器件价钱

ESD保护器件在操作原理和原材料方面各自不同，以实现必要的功能。EDS保护器件大致分为陶瓷基类型和使用硅或聚合物作为原料的半导体基类型。陶瓷基类型则分为两种，即采用电压依赖型可变电阻器的压敏电阻型，和电极间放电的抑制型，半导体基类型则包括齐纳(恒定电压)二极管类型与场效应晶体管方法。半导体基类型的ESD保护器件使用称为齐纳二极管方法的机制。齐纳二极管由P型半导体(电子不足的条件)和N型半导体(电子过剩的条件)的组合构成。当施加超过击穿电压的过电压(ESD)时，硅基ESD保护器件利用该二极管的技术将电流传递到地。即使应用范围只限于日常生活中使用的电子和电气设备，使用ESD保护器件的地方也非常多样化。此外，采用适当的ESD对策可以使设备性能稳定。四川ESD保护器件价钱

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