浙江ESD保护器件批发价

半导体基类型的ESD保护器件使用称为齐纳二极管方法的机制。齐纳二极管由P型半导体(电子不足的条件)和N型半导体(电子过剩的条件)的组合构成。当施加超过击穿电压的过电压(ESD)时，硅基ESD保护器件利用该二极管的技术将电流传递到地。即使应用范围只限于日常生活中使用的电子和电气设备，使用ESD保护器件的地方也非常多样化。ESD保护器件在出厂时都需要通过测试，其测试规范包含在标准IEC61000-4-2之中。在测试时会在电路中包括150pF电容器和330Ω的内部电阻，并且通过以2kV、4kV、6kV和8kV的顺序放电四个ESD电压，来评估产品的击穿电阻，以了解这些器件的情况。ESD保护器件不会对高速信号造成损害；浙江ESD保护器件批发价

一般，ESD 保护一般通过两种途径来实现，第一种方法是避免ESD 的发生；第二种方法则是通过片内或片外集成内部保护电路或专门用的ESD 保护器件，从而避免ESD 发生后将被保护器件损坏。避免ESD 的发生：避免ESD 发生的方法多出现于产品交付客户以前，即研发、生产等过程。因为在这些阶段，IC、电路板等静电敏感器件可能裸露在外（如生产工过程中的SMT 制程），IC 因ESD 而损坏的可能远大于有外壳保护的成品。一般而言，避免ESD 的方法可分为以下几类：Surround（包围）：静电敏感元器件都以抗静电材料包装，或使用有盖的抗静电容器储放；而在静电敏感区域（如SMT 制程）工作的人员，则还要穿着静电服。Ground（接地）：将工作环境中的人员及设备通过不同的地线接地；Impound（排除）：排除所有工作区域内的非抗静电材质；此外，可在对静电极为敏感工作站位增加离子风扇以中和产品表面所带静电。另一方面，湿度亦是一个重要的考量因素。适宜的湿度可降低ESD 发生的机率。浙江ESD保护器件批发价当系统没有干扰，正常工作时，ESD器件可以忽略，几乎不起作用。

近年，市场对于防雷及ESD静电保护组件的需求，大致可分为两大发展方向。一是越来越低的等效电容，这是由于近年各项传输port的加速发展，带动带宽越来越大且速度越来越快，例如USB 3.0的数据传输速度达到5Gbps，比现有的USB 2.0快上十倍；使得客户端对于ESD静电保护组件的等效电容要求越来越严苛。对于保护组件厂商而言，如何降低等效电容已成为主要产品的技术发展方向。另一主要趋势则是小型化封装。面向小型化封装的趋势，防雷击和ESD静电保护组件小型化的趋势也越来越明显。特别是超极本、平板计算机及智能手机等产品蓬勃发展，更显得客户端对此需求越来越殷切。

ESD静电保护元器件选型注意事项：1）ESD一般用于各类通信端口静电防护，在一些高速数据线路，比如USB3.0、HDMI、IEEE1394等接口，ESD静电保护二极管的结电容应尽量选择小的，以避免影响通信质量； 2）ESD有单向（A）和双向（C）之分，根据工作的信号进行选择，单极性的信号可以选择单向的 ESD或双向的ESD， 双极性的信号要选择双向的ESD；3）具体选择什么型号的ESD静电二极管做静电防护，还需要在专业的电子工程师指导下选择。ESD静电保护元器件应用于通信、安防、工业、汽车、消费类产品、智能穿戴设备等电子产品的通信线及I/O口等静电保护。ESD保护器件能够瞬间进入低阻态；

为了防止由于ESD侵入被触摸的电子设备而导致的产品或系统破坏，便需要安装抑制或消除ESD的对应元器件。在高速电量传输过程中易产生潜在的破坏电压、电流及电磁场。选择ESD器件应该选择系统工作电压小于ESD器件的工作电压（VRWM），例如系统是0~5V，那么我们应该选择工作电压（VRWM）大于5V的TVS。常见的ESD保护器件主要有压敏电阻、硅材料的TVS二极管以及陶瓷材料的A-TVS等。ESD保护器件在一些高速电路接口上已经变得不再是一个简单的ESD保护器件，还包含了杂散的寄生参数，以及安装到PCB板上时的寄生电感等参数。我们为什么需要ESD器件呢？苏州ESD保护器件批发价

ESD 保护器件选型要注意钳位电压 VC；浙江ESD保护器件批发价

目前业内常见的板级ESD保护器件主要有以下三种：一、多层压敏电阻(MLV)：这类基于氧化锌的器件可提供ESD保护和低级别的电涌保护。它们的小形状因子(尺寸已下降到0402和0201)使得它们非常适合于便携式应用(如手机和数码相机等)。二、聚合物ESD抑制器(PGB)：设计用于产生较小的寄生电容值(<0.2pF)。这一特性允许它们用于高速数字和射频电路，而不会引起任何信号衰减。三、硅保护阵列(SPA)：这类分立和多通道器件设计用于保护数据线和I/O线免受ESD和低级别瞬态浪涌的伤害。它的关键特性是非常低的钳位电压，这允许它们保护较敏感的电路。浙江ESD保护器件批发价

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