电力MOSFET售价

MOSFET沟道的选择，为设计选择正确器件的第1步是决定采用N沟道还是P沟道 MOSFET.在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟 道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道 MOSFET,这也是出于对电压驱动的考虑。电压和电流的选择，额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或 总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOSFET不会失效。就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的较大电压，即较大VDS.设计工程 师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源 为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。过去数十年来，MOSFET的尺寸不断地变小。电力MOSFET售价

MOSFET当一个够大的电位差施于MOSFET的栅极与源极（source）之间时，电场会在氧化层下方的半导体表面形成感应电荷，而这时所谓的“反型层”（inversion channel）就会形成。通道的极性与其漏极（drain）与源极相同，假设漏极和源极是N型，那么通道也会是N型。通道形成后，MOSFET即可让电流通过，而依据施于栅极的电压值不同，可由MOSFET的通道流过的电流大小亦会受其控制而改变。 半导体元件的材料通常以硅（silicon）为 ，但是也有些半导体公司发展出使用其他半导体材料的制程P型MOSFET多少钱MOSFET计算系统的散热要求，可以选择栅极电荷QG比较小的功率MOSFET。

硅—二氧化硅接面经过多年的研究，已经证实这两种材料之间的缺陷（defect）是相对而言比较少的。反之，金属—绝缘体接面的缺陷多，容易在两者之间形成很多表面能阶，大为影响元件的特性。⒊ 多晶硅的融点比大多数的金属高，而在现代的半导体制程中习惯在高温下沉积栅极材料以增进元件效能。金属的融点低，将会影响制程所能使用的温度上限。不过多晶硅虽然在过去二十年是制造MOSFET栅极的标准，但也有若干缺点使得未来仍然有部份MOSFET可能使用金属栅极，这些缺点如下：⒈ 多晶硅导电性不如金属，限制了信号传递的速度。虽然可以利用掺杂的方式改善其导电性，但成效仍然有限。有些融点比较高的金属材料如：钨（Tungsten）、钛（Titanium）、钴（Cobalt）或是镍（Nickel）被用来和多晶硅制成合金。这类混合材料通常称为金属硅化物（silicide）。加上了金属硅化物的多晶硅栅极有著比较好的导电特性，而且又能够耐受高温制程。此外因为金属硅化物的位置是在栅极表面，离通道区较远，所以也不会对MOSFET的临界电压造成太大影响。

DC/DC开关控制器的MOSFET选择是一个复杂的过程。只考虑MOSFET的额定电压和电流并不足以选择到合适的MOSFET。要想让MOSFET维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中，这种情况会变得更加复杂。选择FET时需要考虑的因素包括额定电压、环境温度、开关频率、控制器驱动能力和散热组件面积。关键问题是，如果功耗过高且散热不足，则FET可能会过热起火。我们可以利用封装/散热组件ThetaJA或者热敏电阻、FET功耗和环境温度估算某个FET的结温。我们所说的MOSFET，指的是什么？

MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是MOSFET。MOSFET里的氧化层位于其通道上方，依照其操作电压的不同，这层氧化物的厚度 有数十至数百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide,SiO2），不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride,SiON）做为氧化层之用。MOSFET是一种可以普遍使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。栅极材料MOSFET销售

MOSFET一般适用于功率不超过10kW的电力电子装置。电力MOSFET售价

怎么选择正确的MOSFET？1）沟道的选择，为设计选择正确器件的第1步是决定采用N沟道还是P沟道 MOSFET。在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道 MOSFET,这也是出于对电压驱动的考虑。2）电压和电流的选择，额定电压越大，器件的成本就越高。就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的较大电压，即较大VDS。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源 为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的电流，只需直接选择能承受这个电流的器件便可。电力MOSFET售价

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