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ESD保护器件基本参数
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ESD保护器件企业商机

目前业内常见的板级ESD保护器件主要有以下三种:一、多层压敏电阻(MLV):这类基于氧化锌的器件可提供ESD保护和低级别的电涌保护。它们的小形状因子(尺寸已下降到0402和0201)使得它们非常适合于便携式应用(如手机和数码相机等)。二、聚合物ESD抑制器(PGB):设计用于产生较小的寄生电容值(<0.2pF)。这一特性允许它们用于高速数字和射频电路,而不会引起任何信号衰减。三、硅保护阵列(SPA):这类分立和多通道器件设计用于保护数据线和I/O线免受ESD和低级别瞬态浪涌的伤害。它的关键特性是非常低的钳位电压,这允许它们保护较敏感的电路。ESD保护器件是低电容的;北京ESD保护器件怎么样

ESD保护器件种类包括Zener二极管、压敏电阻(varistors),SCR(可控硅整流器)和TVS(瞬时电压抑制器)等。其中,TVS应用较广,因为它具有很强的电容和快速开启速度,保护内部电路的能力。资料显示,预计从2020年至2024年,全球ESD保护器件市场复合年均增长率为5%。ESD原理和模型:当两个具有不同电荷的物体彼此靠近时,可能会形成静电放电(ESD)脉冲。对于任何电子设备,ESD电流可能会造成不可逆转的损坏。因此,ESD保护电路变得极为重要。由ESD保护器件组成的保护电路在ESD电流发生时,提供放电路径,保护电子设备。电阻低的放电路径允许电流通过,并将电压钳制在相对较低的水平,避免对I/O或内部电路造成任何损坏。大型ESD保护器件有哪些ESD保护器件具有雪崩击穿、雪崩与注入等特性。

ESD 保护器件与保护电路:由于IC上ESD 保护电路能力有限,为保证整个系统有较好的ESD 防护能力,外部ESD 保护器件是必不可少的。比较常见的有硅基ESD,聚合物PESD和压敏MOV。硅基ESD:VB击穿电压可以低到3.5V;VC钳位电压可以低到3.8V;IPP抗浪涌能力可以达100A;Cp电容可以低到0.2PF;反应速度小于1nS;封装尺寸可以小到0201尺寸;封装样式可以多到20多个引脚;寿命和IC 一样长。聚合物PESD:VB击穿电压5V;VC钳位电压常规40V;无IPP抗浪涌能力;Cp电容可以低到0.02PF;反应速度小于20nS;封装尺寸可以小到0201尺寸;封装样式不能多样化,一般是2个脚的二极管。寿命短,自身容易氧化。VC钳位电压常规40V;无IPP抗浪涌能力;Cp电容可以低到0.02PF;反应速度小于25nS;封装尺寸可以小到0402尺寸;封装样式不能多样化,一般是2个脚的二极管。寿命短,自身容易氧化。电子产品轻薄化的发展趋势使其对ESD 防护要求越来越高,MOV 渐渐有些力不从心,硅基ESD二极管则开始崭露头角。

ESD保护器件整改的常用方法:对于产品结构越来越便携化,在做认证的时候,往往ESD保护器件整改是让很多工程师非常苦恼的事情。对于产品结构而言,结构上不留缝隙的地方就尽量用密封的材料密封,防止因为留有缝隙测试的时候需要对缝隙进行空气放电;对于产品内部由多块PCB板利用连接线或插针连接的结构,需要再每块板之间多加几条地线,降低地与地之间的阻抗不连续。如若PCB板上有连接线(如MIC,喇叭等)将连接线之间做成双绞线。对于PCB LAYOUT而言裸露的金属端口做好ESD防护是很重要的措施因为裸露的端口是静电施加的主要位置。PCB LAYOUT的时候注意板边尽量不要走线,严禁板边走敏感的信号线(如复位,时钟,数据等),若主IC上有散热片,注意将散热片接地处理;高速信号线注意包地处理,如有条件建议高速信号线去做眼图,保证信号本身的质量。EDS保护器件大致分为陶瓷基类型和使用硅或聚合物作为原料的半导体基类型。

ESD保护器件TVS的ESD保护原理:许多集成电路(IC)都有一些可能比较敏感的输入,这使得它们在输入电压远高于正常值的的情况下(例如在ESD应力作用下)易于受损。正常工作电压与使器件开始受损的电压之间的区域是安全过压区。安全过压区与器件受损区之间有少许交叠,因为如果较大的过压单持续极短时间,那么即使不是在安全过压区,器件可能也可以承受。TVS的任务就是发生ESD事件时,将输入电压维持在安全过压范围之内,而在正常工作时不影响系统性能。TVS器件被放置于邻近ESD事件可能进入系统的位置,旨在限制敏感节点处的电压,并将电流引至不太敏感的节点,如地电平。为实现这个功能,TVS必须在正常工作电压范围内拥有高阻抗,在正常工作电压范围之外拥有低阻抗,这样才能将电流直接从敏感节点引开,并限制瞬态电压。即使应用范围只限于日常生活中使用的电子和电气设备,使用ESD保护器件的地方也非常多样化。上海ESD保护器件销售厂家

为了防止由于ESD侵入被触摸的电子设备而导致的产品或系统破坏,需要安装抑制或消除ESD的对应元器件。北京ESD保护器件怎么样

如何选择ESD保护器件?要选择适当的ESD保护器件(通常是TVS)构建ESD电路,应考虑较大工作电压、寄生电容(Cin)、引脚配置、钳制电压、封装类型和ESD抵抗力等。确定ESD保护器件工作电压之前,需要了解保护电路的工作电压。在选择ESD保护器件工作电压后,可以决定其寄生电容(Cin)。Cin从小于0.5pF到超过数百pF不等,影响产品速度。为了保护高速接口信号,Cin需要小;而对于电源线,Cin将相对不受限制。还应权衡Cin失真对高速接口信号的影响。眼图通常用于检查信号是否受到Cin的影响或衰变。此外,还需要确定单向或双向特性、ESD保护器件的钳制电压,ESD器件的另一个重要参数是封装。不同终端产品可选择不同的封装ESD器件ESD保护器件本身必须具有ESD抑制能力,至少该器件必须通过IEC 61000-4-2 level 4,即在接触模式下达到±8kV,在空气模式下达到±15kV。北京ESD保护器件怎么样

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近年,市场对于防雷及ESD静电保护组件的需求,大致可分为两大发展方向。一是越来越低的等效电容,这是由于近年各项传输port的加速发展,带动带宽越来越大且速度越来越快,例如USB 3.0的数据传输速度达到5Gbps,比现有的USB 2.0快上十倍;使得客户端对于ESD静电保护组件的等效电容要求越来越严苛。对于保护组件厂商而言,如何降低等效电容已成为主要产品的技术发展方向。另一主要趋势则是小型化封装。面向小型化封装的趋势,防雷击和ESD静电保护组件小型化的趋势也越来越明显。特别是超极本、平板计算机及智能手机等产品蓬勃发展,更显得客户端对此需求越来越殷切。在选择ESD保护器件工作电压后,可以决定其寄...

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