成都ESD保护器件售价

ESD保护器件原理：电路保护元件存在几种技术，当选择电路保护元件时，若设计师选择不当的保护器件将只能提供错误的安全概念。电路保护元件的选择应根据所要保护的布线情况、可用 的电路板空间以及被保护电路的电特性来决定。此外，了解保护元件的特性知识也非常必要，需要考虑的重要因素之一是器件的箝位电压。所谓箝位电压是在ESD 器件里跨在瞬变电压消除器(TVS)上的电压，它是被保护IC的应变电压。因为利用先进工艺技术制造的IC电路里氧化层比较薄，栅极氧化层更易受到损害。这意味着较高的箝位电压将在被保护IC器件上产生较高的应变电压，并且增加了失效的概率。ESD保护器件可以安全、迅速、有效的消除已产生的静电荷。成都ESD保护器件售价

静电保护器件（ESD） 是由一个或多个 TVS 晶粒采用不同的电路拓扑制成具有特定功能的多路或单路 ESD 保护器件。ESD反向并联于电路中，当电路正常工作时，ESD处于截止状态（高阻态），不影响电路正常工作。当电路出现异常过电压并达到 ESD 的击穿电压时，ESD迅速由高阻态变为低阻态，泄放由异常过电压导致的瞬时过电流到地，同时把异常过电压钳制在一个安全水平之内，从而保护后级电路免遭异常过电压的损坏。选型注意事项：工作电压 VRWM：ESD管的截止电压应大于线路上较高工作电压或信号电平电压。如果截止电压选择过低，一方面会影响电路正常工作，另一方面会影响 ESD的使用寿命。峰值脉冲电流 IPP： 当ESD单独使用时，要根据线路上可能出现的至大浪涌电流来选择合适的型号。相同电压的 ESD，功率越大 IPP 也越大。功率越大的 ESD 对电路的保护效果也越好。陕西ESD保护器件销售企业ESD保护器件是业内理想的高频数据保护器件。

芯片级保护器件：正向导通二极管具有很强的泄放能力，是重要的保护器件，在射频、数字端口保护中常用。但是反向二极管电流能力弱，若作为ESD保护，需要较大的芯片面积。三极管和GGNMOS在反偏结击穿后，整体器件进入电导调制的滞回状态，形成S形滞回曲线，泄放电流。SCR是重要的ESD保护器件，通过PNPN结构形成反馈环路，这是典型的特性曲线，具有Vt1高，VH低，开启速度慢的特点。注意对于SCR来说，反向特性虽然也是一个二极管，但是串联了Rpsub和RNW，会影响导通电阻，直接影响钳位特性和导通电阻，所以通常并联一个Dp。

ESD对IC的损伤主要有两类，即大电流产生局部热量、高电场损伤绝缘层，都会导致电路或者器件功能性能的异常。ESD保护的基本原理就是并联保护器件，以此泄放大电流和钳位高电压，避免对内部电路造成损伤。保护的原理已经非常清楚，那么在具体实施过程中，一种方式是减少静电的产生，例如静电手套、指套、离子风扇等中和静电，这样就减少了芯片受到的ESD威胁；另一种就是让自身变得更加强大，既然无法避免强大静电的产生，那么尽可能增强自身的抗ESD冲击能力，这可以通过系统级和ESD保护器件来实现。ESD保护器件一般包括三种：TVS二极管、压敏电阻和聚合物静电抑制器。

要选择适当的ESD保护器件(通常是TVS）构建ESD电路，应考虑较大工作电压、寄生电容(Cin）、引脚配置、钳制电压、封装类型和ESD抵抗力等。确定ESD保护器件工作电压之前，需要了解保护电路的工作电压。在选择ESD保护器件工作电压后，可以决定其寄生电容(Cin）。Cin从小于0.5pF到超过数百pF不等，影响产品速度。为了保护高速接口信号，Cin需要小；而对于电源线，Cin将相对不受限制。还应权衡Cin失真对高速接口信号的影响。ESD保护器件种类包括Zener二极管、压敏电阻(varistors），SCR(可控硅整流器）和TVS(瞬时电压抑制器）等。ESD 保护器件选型要注意钳位电压 VC；河南ESD保护器件售价

即使应用范围只限于日常生活中使用的电子和电气设备，使用ESD保护器件的地方也非常多样化。成都ESD保护器件售价

ESD静电保护元器件选型指南：1）ESD静电二极管的截止电压要大于电路中至高工作电压；2）脉冲峰值电流IPP 和至大箝位电压VC 的选择，要根据线路上可能出现的至大浪涌电流来选择合适IPP的型号，需要注意的是，此时的VC 应小于被保护晶片所能耐受的至大峰值电压；3）用于信号传输电路保护时，一定要注意所传输信号的频率或传输速率，当信号频率或传输速率较高时，应选用低电容系列的ESD静电二极管；4）根据电路设计布局及被保护线路数选择合适的封装。ESD封装的大小从一定程度上可以反应器件的防护等级大小，一般封装越大的器件可容纳的ESD芯片面积也越大，防护等级也越高，反之亦然。成都ESD保护器件售价

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