ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
芯片采用差分信号传输路径,信噪比(SNR)达105dB,总谐波失真(THD+N)在1kHz@1W时低于0.03%。内置的抗POP音电路通过软启动和缓降机制,消除开关机时的冲击噪声。差分输入阻抗为20kΩ,平衡输入设计减少地环路干扰,适配专业音频设备需求。在便携式蓝牙音箱中,ACM8623通过I2S接口直接连接蓝牙芯片,减少DAC转换环节。其小体积TSSOP-28封装适配紧凑型设计,2×14W输出功率满足户外场景需求。内置DSP可实现虚拟低音增强,弥补小尺寸喇叭的低频不足。配合ACM5618升压芯片,单节锂电池续航时间延长30%。在温度控制器应用中,至盛 ACM 芯片准确把控温度变化。上海工业至盛ACM865现货

ACM3107提供26dB和36dB两种增益选择,方便用户根据实际需求调整音频输出,适应不同场景。可调节的输出功率限制功能,有效保护扬声器免受过大功率冲击,延长使用寿命。内置短路、过热、过压/欠压保护,确保芯片在异常情况下也能安全工作,减少故障风险。工作电压4.5V-16V,***适应各种电源环境,提高系统设计的灵活性。THD+N低于0.02%,展现优异的音频性能,确保声音还原的真实与细腻。**静态电流设计,即使在待机状态下也能有效节省电能,提升设备整体能效。1.佛山靠谱的至盛ACM于功率器件领域,至盛 ACM 芯片通过创新设计优化了能源利用效率。

在无线蓝牙音箱中,ACM8629的高效率、低底噪和丰富的音效算法能够为用户提供出色的音质体验。其内置的DSP功能可以方便地进行音效调节,满足不同用户对音乐的个性化需求。对于家庭音频系统,如电视、声霸、盒子、家庭影院等,ACM8629的大功率输出和良好的音频性能可以确保声音的清晰度和震撼力,为用户营造出沉浸式的家庭影院氛围。在车载音频领域,ACM8629的宽电压范围和抗干扰能力使其能够适应汽车复杂的电气环境。其高功率输出可以为车载音响提供足够的音量和音质,提升驾驶过程中的音乐享受。便携音箱通常对功耗和体积有较高的要求,ACM8629的高效率和小型封装形式使其非常适合应用于便携音箱中。同时,其内置的音效算法可以为便携音箱带来出色的音质表现。
ACM8628的内部模块可以**控制,左右通道也可以**调整,为用户提供了更多的音频处理自由度。ACM8628支持I2S、TDM等多种数字音频接口,兼容多种音频格式和采样率,方便与其他数字音频设备连接。在特定条件下,ACM8628的静态电流可低至28mA,有助于延长电池续航时间,特别适用于便携式音频设备。ACM8628内置了过流、过热保护机制,确保设备在异常情况下能够安全运行,保护用户的安全和设备的稳定性。芯悦澄服专业一站式音频设计,热诚欢迎大家莅临参观咨询。
ACM8623的输出功率可达2×14W。

ACM8615M的成功不仅体现了音频技术的不断进步和发展,也推动了整个音频行业向更高效、更智能的方向发展。为了保持技术**和产品竞争力,制造商不断加大对ACM8615M等产品的研发投入,推动其不断升级和优化。随着科技的不断进步和音频应用领域的不断拓展,ACM8615M有望在未来发挥更加重要的作用,为更多的人带来更加美妙的听觉盛宴。ACM8615M以其独特的动态升压技术、先进的音效处理算法和广泛的应用范围,在音频技术领域树立了新的**。它不仅满足了用户对于***音频的追求,还推动了音频技术的不断进步和发展。至盛12S数字功放芯片内置高性能DSP,可实现32bit/96kHz高保真音频处理,还原声音纯净本质。上海工业至盛ACM865现货
ACM芯片工作电压范围宽(4.5V-60V),采用QFN-48封装,效率高且无需外接散热器。上海工业至盛ACM865现货
至盛 ACM 系列数字功放芯片在音频算法上不断创新,为用户带来更质优的听觉体验。以 ACM8625S 和 ACM8625M 为例,它们分别内置 DSP 算法以及动态低音、人声增强及清晰度提升算法。这些算法能够对音频信号进行实时分析和处理,根据不同的音频内容和场景,自动调整音频参数。当播放流行音乐时,动态低音算法增强低频效果,使人声和乐器声更加饱满;当播放电影时,人声增强算法突出人物对话,提升声音的清晰度。此外,这些算法还能有效降低音频失真,还原音频的真实音色。至盛半导体持续投入研发,不断优化和升级音频算法,以满足用户日益多样化的音频需求,保持在音频芯片领域的技术前列地位。上海工业至盛ACM865现货
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
山东蓝牙音响芯片ACM8623
2025-12-18
甘肃ACM芯片ATS2815
2025-12-13
海南汽车音响芯片ACM3128A
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广西芯片ACM3108ETR
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湖北ACM芯片ACM8625P
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江苏汽车音响芯片ATS2825
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山西ACM芯片ACM3108ETR
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河南ATS芯片ACM8623
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河北ATS芯片ATS2825C
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