ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
至盛 ACM 芯片的出现深刻改变了蓝牙音响的产品形态。由于芯片的高集成度与低功耗特性,蓝牙音响的体积得以进一步缩小,设计更加轻薄便携。例如,一些采用至盛 ACM 芯片的蓝牙音响,体积小巧如鸡蛋,方便用户随身携带,无论是户外运动、旅行还是日常出行,都能轻松享受音乐。同时,芯片强大的功能支持使得蓝牙音响的功能更加多样化,除了传统的音频播放功能外,还集成了智能语音交互、多设备连接等功能。这促使蓝牙音响从单纯的音频播放设备向智能化、多功能化的移动终端转变,产品形态也更加丰富多样,如出现了兼具照明功能的蓝牙音响、可穿戴式蓝牙音响等创新产品,满足了用户在不同场景下的多样化需求,推动了蓝牙音响产品形态的创新发展。至盛芯片在车载音响中实现主动降噪,通过反相声波抵消发动机噪音达25分贝。湖北国产至盛ACM8629

至盛 ACM 芯片在不同市场领域展现出了明显的竞争优势。在中高级蓝牙音响市场,其凭借优良的音频处理性能、强大的蓝牙连接稳定性以及丰富的音效增强技术,满足了追求品质高的音乐体验用户的需求,与国际有名品牌芯片展开有力竞争。在便携式蓝牙音响市场,芯片的低功耗设计、高集成度以及小巧的尺寸,使得产品能够实现更长的续航时间、更轻便的外观设计,深受消费者喜爱,在该细分市场占据一席之地。而在新兴的智能蓝牙音响市场,芯片前列的智能语音交互功能,能够快速响应市场对智能化产品的需求,为制造商提供了具有竞争力的解决方案,助力其在市场竞争中脱颖而出,通过在不同市场发挥独特优势,至盛 ACM 芯片不断扩大市场份额,提升品牌影响力。广东蓝牙至盛ACM车载音响系统集成ACM8623,在复杂电源环境下稳定输出好品质音乐,优化驾驶体验。

面对复杂多变的电磁干扰环境,至盛 ACM 芯片构建了完善的抗干扰机制。芯片内部采用了多层屏蔽技术,有效阻挡外界电磁干扰信号的入侵。同时,配合先进的数字信号滤波算法,对接收的蓝牙音频信号进行实时滤波处理,去除夹杂在其中的干扰噪声。在实际应用场景中,如在地铁、商场等人员密集且电磁干扰强烈的场所,搭载至盛 ACM 芯片的蓝牙音响能够稳定运行,音频播放流畅,声音清晰,不受周围环境干扰的影响。即使在同时存在多个蓝牙设备的环境中,芯片也能通过准确的信号识别与抗干扰技术,确保自身蓝牙连接的稳定与音频传输的质量,为用户提供可靠的音乐播放体验。
在智能音箱领域,至盛 ACM 芯片表现优良。以天猫精灵 X6 智能音箱采用的 ACM8628M 芯片为例,它采用新型 PWM 脉宽调制架构,有效降低静态功耗,提高能源利用效率,延长智能音箱续航时间。芯片内置 DSP 可实现主动分频、延时处理、EQ 调试等功能,对数字音频信号精确控制,实现出色音质表现。同时,能与智能音箱中的其他芯片,如全志 R328 智能语音处理器协同工作,为用户提供流畅语音交互与品质高的音乐播放体验。其高集成度减少外围电路元件,降低智能音箱生产与设计成本,提升产品竞争力 。车载音响应用至盛芯片后,通过声场扩展技术使前排座椅间声场宽度增加30%。

至盛 ACM 芯片高度重视软件算法的优化,并持续投入大量资源进行研发。在音频解码算法上,不断优化算法结构,提高解码效率,减少解码时间与资源占用,同时进一步提升音频的还原度与音质表现,使音乐更加真实、动听。在降噪算法方面,通过对环境噪音的实时监测与分析,采用自适应降噪算法,能够更准确地去除背景噪音,即使在嘈杂的环境中,也能为用户提供清晰纯净的音乐。此外,软件算法还实现了对音响系统的智能控制,如根据用户的使用习惯自动调整音量、音效模式等个性化设置。通过持续的软件算法优化,至盛 ACM 芯片不断挖掘硬件潜力,为用户带来更质优、便捷的使用体验,增强了产品的市场竞争力。智能家居背景音乐系统采用ACM8623,以小巧体积与高效能实现多房间同步播放,营造温馨舒适的家居氛围。湖北国产至盛ACM8629
至盛12S数字功放芯片芯片采用新型PWM脉宽调制架构,静态功耗降低30%,工作温度下降15℃。湖北国产至盛ACM8629
深圳市芯悦澄服科技有限公司提供完整的开发套件,包括DEMO板、PCB设计文件、音效调校软件及I2C通信库。在瑞昱RTL8753B蓝牙音频平台中,ACM8636的I2C接口与主控芯片无缝对接,开发周期从3个月缩短至6周。芯片支持Windows/Linux/Android多平台驱动,在树莓派4B上实现硬件解码+功放一体化方案,BOM成本降低40%。其音效算法与杜比ATMOS、DTS:X兼容,在三星HW-Q950A回音壁中,通过加载杜比官方EQ参数,实现与原装功放模块相同的声场效果。湖北国产至盛ACM8629
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
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