ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
作为I2S输入数字功放,ACM8636直接接收数字音频信号,绕过传统模拟功放所需的DAC转换环节,从源头消除PCB走线引入的射频干扰。其支持32kHz至96kHz多采样率,兼容Left-justified、Right-justified及TDM格式,可无缝对接主流音频SoC如高通CSR8675、瑞昱RTL8753B等。在蓝牙音箱应用中,数字接口使音频信号传输损耗降低至0.1dB以下,相比模拟输入方案信噪比提升12dB。例如,某品牌户外音箱采用ACM8636后,在2米距离测试底噪值从50μV降至37μV,达到Hi-Res Audio认证标准。至盛芯片在Soundbar音响中实现虚拟环绕声,通过心理声学模型构建出7.1声道听感。湖南智能化至盛ACM865现货

苏州至盛半导体凭借“集成氮化镓器件的D类控制器芯片封装结构”技术,在音频功率放大器领域实现颠覆性创新。该技术将氮化镓高频高能效特性与D类控制器高精度音频处理能力结合,使系统集成度提升40%,功耗降低30%。其“中高功率全集成D类音频功率放大器芯片”已通过热保护方法**认证,覆盖5W-200W功率范围,在智能音箱、家庭影院等消费电子领域实现国产替代。以ACM8615M芯片为例,其三段动态范围控制算法可**能量峰值,结合后端均衡器实现平滑音效控制,使音乐清晰度提升25%,已应用于索尼、三星等品牌的**音响系统,推动全球音频芯片市场向高集成度、低功耗方向演进。天津音响至盛ACM8625P演出场地应用至盛芯片后,通过FIR滤波器将阵列扬声器相位误差控制在±5度以内。

传统D类功放需外接LC滤波器以抑制高频开关噪声,但会增加PCB面积与成本。ACM3221创新采用无滤波器扩频调制技术,通过随机化PWM载波频率,将能量分散至更宽频带,使EMI峰值降低10dB以上。实测数据显示,在30MHz至1GHz频段内,辐射干扰符合CISPR 22 Class B标准,可直接通过FCC、CE等认证,无需额外屏蔽措施。该技术还简化了PCB布局,节省0.2mm²以上的布线空间,适配智能眼镜等微型设备的紧凑设计需求。深圳市芯悦澄服科技有限公司专业一站式音频方案。
至盛入选苏州独角兽企业培育库,获评市级创新型中小企业,享受税收减免、研发补贴等政策支持。其“氮化镓功率器件研发项目”列入“十四五”国家集成电路产业专项规划,获得大基金三期10亿元投资,用于扩建12英寸晶圆产线。在政策驱动下,至盛与长三角地区50余家上下游企业形成产业集群,使芯片设计-制造周期从18个月缩短至12个月。据江苏省工信厅数据,至盛所在的苏州工业园区已集聚半导体企业超800家,2025年产业规模突破5000亿元,至盛作为链主企业,带动区域产业链协同创新,助力中国芯片产业向全球价值链**攀升。智能家居背景音乐系统采用ACM8623,以小巧体积与高效能实现多房间同步播放,营造温馨舒适的家居氛围。

至盛车用音频芯片通过AEC-Q102车规级认证,在85℃/85%RH极端环境下持续工作1000小时无衰减,内置负载检测功能覆盖5W-75W需求。其ACM5618全集成DC-DC同步升压芯片采用正装+倒装混合工艺,键合界面结合良率达99%,单节电池升压至12V时效率高达91%,导通电阻较传统方案降低60%。该芯片已配套比亚迪、蔚来等车企的新能源车型,使车载音响系统功耗降低40%,续航里程提升5%。据中国汽车工业协会数据,2025年国内车规级芯片市场规模达3200亿元,至盛凭借技术优势占据车载音频芯片12%市场份额,打破ADI、TI等国际厂商垄断。车载音响应用至盛芯片后,通过声场聚焦技术使导航语音始终定位在驾驶员正前方。湛江绿色环保至盛ACM现货
至盛12S数字功放芯片内置高性能DSP,可实现32bit/96kHz高保真音频处理,还原声音纯净本质。湖南智能化至盛ACM865现货
ACM3221凭借其高效率、低功耗、小封装与***音频性能,重新定义了单声道D类功放的市场标准。在智能家居、汽车电子、便携音频等领域,该芯片已成为提升产品竞争力的关键元件。据市场研究机构预测,2025年全球D类功放市场规模将达30亿美元,其中ACM3221所属的微型化、低功耗细分领域增速超20%。至盛ACM通过持续创新,不仅巩固了自身在音频芯片领域的**地位,更为全球电子产业的高质量发展提供**动力。深圳市芯悦澄服科技有限公司专业一站式音频方案。湖南智能化至盛ACM865现货
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
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