ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
ACM3221内置多重保护电路,确保系统可靠性。过流保护(OCP)实时监测输出电流,当负载短路或扬声器阻抗异常时,自动限制电流至安全范围,避免芯片损坏。过热保护(OTP)通过内部温度传感器监控结温,当温度超过150℃时关闭输出,待冷却后自动恢复。此外,芯片还具备欠压锁定(UVLO)功能,当供电电压低于2.3V时停止工作,防止低电压导致的性能劣化。这些保护机制在车载音响、户外音箱等恶劣环境中尤为重要,可***提升产品寿命与用户信任度。家庭影院系统采用至盛芯片后,通过低音管理技术将chao低音信号jing准分配至指定声道。上海智能化至盛ACM3107

至盛 ACM 芯片的出现深刻改变了蓝牙音响的产品形态。由于芯片的高集成度与低功耗特性,蓝牙音响的体积得以进一步缩小,设计更加轻薄便携。例如,一些采用至盛 ACM 芯片的蓝牙音响,体积小巧如鸡蛋,方便用户随身携带,无论是户外运动、旅行还是日常出行,都能轻松享受音乐。同时,芯片强大的功能支持使得蓝牙音响的功能更加多样化,除了传统的音频播放功能外,还集成了智能语音交互、多设备连接等功能。这促使蓝牙音响从单纯的音频播放设备向智能化、多功能化的移动终端转变,产品形态也更加丰富多样,如出现了兼具照明功能的蓝牙音响、可穿戴式蓝牙音响等创新产品,满足了用户在不同场景下的多样化需求,推动了蓝牙音响产品形态的创新发展。福建智能化至盛ACM8625P影院级音响系统采用至盛芯片后,通过时间对齐技术将多声道延迟差控制在50微秒以内。

至盛采用“消费电子走量+工业控制走质”的双市场策略,在消费领域以性价比抢占中低端市场,在工业领域以技术壁垒攻坚**场景。其ACM1201芯片定价较ADI同类产品低30%,在TWS耳机市场快速渗透;而车规级芯片则通过AEC-Q102认证与车企深度绑定,形成技术溢价。2025年,至盛消费电子芯片出货量突破1.2亿片,工业控制芯片毛利率达55%,实现“量价齐升”。据Counterpoint数据,至盛在全球音频芯片市场占有率从2022年的3%提升至2025年的9%,成为国产替代浪潮中的**受益者。
ACM8636 QFP-48封装采用背部散热片结构,热阻*2℃/W,配合外接散热器可使热阻进一步降至0.5℃/W。在60W连续输出测试中,芯片结温比同类产品低15℃,允许更高功率密度设计。某专业音响厂商基于ACM8636开发的120W(4Ω)功放模块,体积*为传统AB类功放的1/3,重量减轻60%。数字音频同步技术支持I2S总线的异步采样率转换(ASRC),可自动适应不同音频源的时钟频率。在连接手机、电视、蓝光机等多设备时,无需手动切换采样率,避免因时钟不同步导致的爆音或静音。实测显示,在采样率从44.1kHz切换至96kHz时,同步时间小于1ms,人耳无法感知切换过程。至盛12S数字功放芯片集成无霍尔传感器正弦波驱动算法,电机控制振动噪声降低至30dB以下。

ACM8623集成I2S数字音频接口,支持32位音频数据直接输入,避免模拟信号转换损耗。内置DSP模块包含15段EQ均衡器、3段DRC动态范围控制和1段Lookahead DRC预判算法,可针对小音量信号增强低频响应,提升人声清晰度。数字增益调节范围达-60dB至+12dB,通过I2C总线实现精确控制,简化系统调音流程。深圳市芯悦澄服科技有限公司专业音频设计10余载,致力于蓝牙音频新产品的开发与设计,热情欢迎大家莅临本公司参观考察,共同探讨音界的美妙。至盛12S数字功放芯片集成马达驱动预驱电路,可控制无刷直流电机实现0-10万转无极调速。福建工业至盛ACM8623
智能音箱集成至盛芯片后,通过情感识别技术根据用户情绪自动调节背景音乐风格。上海智能化至盛ACM3107
作为I2S输入数字功放,ACM8636直接接收数字音频信号,绕过传统模拟功放所需的DAC转换环节,从源头消除PCB走线引入的射频干扰。其支持32kHz至96kHz多采样率,兼容Left-justified、Right-justified及TDM格式,可无缝对接主流音频SoC如高通CSR8675、瑞昱RTL8753B等。在蓝牙音箱应用中,数字接口使音频信号传输损耗降低至0.1dB以下,相比模拟输入方案信噪比提升12dB。例如,某品牌户外音箱采用ACM8636后,在2米距离测试底噪值从50μV降至37μV,达到Hi-Res Audio认证标准。上海智能化至盛ACM3107
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
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