ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
至盛车规级芯片通过AEC-Q100 Grade 1认证,在-40℃至150℃极端温度下稳定运行,**了国产芯片在高温环境下的可靠性难题。其ACM5620车载音频芯片采用双核架构,主控核处理音频解码,安全核监控电压与温度,故障响应时间缩短至10μs,较传统方案提升10倍。在比亚迪汉EV车型中,该芯片使车载音响系统功耗降低45%,同时支持7.1声道环绕声与杜比全景声解码,车内声场均匀度提升20%,为乘客提供影院级听觉体验。据中国汽车芯片产业创新战略联盟数据,2025年国内车载音频芯片市场规模达80亿元,至盛凭借技术突破占据25%份额,打破博世、大陆等国际厂商垄断,推动“中国芯”在汽车领域实现从“可用”到“好用”的跨越。至盛芯片在专业调音台中实现96kHz采样率处理,延迟时间缩短至0.8毫秒。数据链至盛ACM

至盛已获39项商标、25项**及8项行政许可,形成“集成氮化镓器件的D类控制器芯片封装结构”“热保护方法”等核心专利群。其“正装+倒装混合工艺”**使芯片键合界面结合良率从行业平均85%提升至99%,单片芯片成本降低15%。在马达驱动芯片领域,至盛通过算法**实现三相无刷电机精细控制,使工业电机振动幅度降低70%,寿命延长至10万小时。据国家知识产权局数据,至盛专利申请量年均增长45%,在音频芯片领域**数量位居全球**,有效阻挡国际厂商技术侵权,为国产替代提供法律保障。江苏靠谱的至盛ACM8623ACM8623的输出功率可达2×14W。

至盛 ACM 芯片具有多种封装形式,包括 TSSOP、QFN、LQFP 等。TSSOP 封装体积小巧,引脚排列紧凑,适合对空间要求严苛的小型电子设备,如便携式蓝牙音箱、耳机放大器等,在有限空间内实现芯片功能集成。QFN 封装具有良好的电气性能与散热特性,其无引脚设计可减少寄生电感与电容,提高信号传输速度与稳定性,适用于对性能要求较高的音频设备,如家庭影院功放模块。LQFP 封装则引脚数较多,便于芯片与外围电路连接,可实现复杂功能扩展,常用于智能音箱等需要连接多种传感器与通信模块的设备,不同封装形式满足多样化应用场景与设备安装需求。
ACM8636集成OCP(过流保护)电路,当输出短路时可在10μs内切断供电,相比传统保险丝方案响应速度提升1000倍。OTP(过热保护)阈值设定为150℃,在60W连续输出测试中,芯片温度稳定在145℃时自动降频至40W,避免长久性损坏。UVLO(欠压锁定)功能确保供电电压低于4.2V时关闭输出,防止低电压导致的音质劣化。在-40℃至85℃工业级温度范围内,芯片通过1000小时高温老化测试,失效率低于0.01%,满足车规级AEC-Q100认证要求。深圳市芯悦澄服科技有限公司代理至盛功放芯片。至盛12S数字功放芯片采用QFN48封装设计,散热性能提升3倍,满足车载级可靠性要求。

ACM8636内置LDO稳压器,在输入电压波动±20%时仍能保持输出稳定。在车载应用中,当发动机启动导致电瓶电压从14V跌落至9V时,芯片可自动调整PWM占空比维持功率输出,避免音乐中断。实测显示,在9V输入时,30W输出功率下THD+N*上升0.05%,音质无明显劣化。多语言开发支持提供中英文双语版开发文档和调音软件,降低工程师学习成本。在印度市场,某厂商基于ACM8636开发的智能音箱,通过本地化调音软件将低音增强量从默认的+3dB调整至+6dB,更符合当地用户偏好。该特性使产品上市周期缩短40%,快速响应区域市场需求。ACM8623采用先进的PWM(脉宽调制)脉宽调制架构。天津国产至盛ACM8625P
至盛12S数字功放芯片集成无霍尔传感器正弦波驱动算法,电机控制振动噪声降低至30dB以下。数据链至盛ACM
相较于部分国际有名品牌音频芯片,至盛 ACM 芯片在性价比方面优势明显。在音频处理性能上,如对高保真音频处理能力、音效算法丰富度等方面,与同类高级芯片相当,能提供清晰、饱满、富有层次感的音频输出。在功耗控制方面,通过新型架构与算法优化,ACM 芯片在保证音质前提下,有效降低功耗,优于部分传统芯片,可延长设备续航时间。在价格上,至盛凭借自身研发实力与成本控制能力,为市场提供更具价格竞争力的产品,让消费者以更低成本获得高性能音频体验,尤其在中低端音频设备市场,至盛 ACM 芯片市场份额逐步扩大。数据链至盛ACM
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
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