ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
相较于部分国际有名品牌音频芯片,至盛 ACM 芯片在性价比方面优势明显。在音频处理性能上,如对高保真音频处理能力、音效算法丰富度等方面,与同类高级芯片相当,能提供清晰、饱满、富有层次感的音频输出。在功耗控制方面,通过新型架构与算法优化,ACM 芯片在保证音质前提下,有效降低功耗,优于部分传统芯片,可延长设备续航时间。在价格上,至盛凭借自身研发实力与成本控制能力,为市场提供更具价格竞争力的产品,让消费者以更低成本获得高性能音频体验,尤其在中低端音频设备市场,至盛 ACM 芯片市场份额逐步扩大。至盛芯片支持蓝牙5.3协议,在30米距离内实现无损音频传输,数据吞吐量达3Mbps。四川信息化至盛ACM8625P

至盛 ACM 芯片高度重视软件算法的优化,并持续投入大量资源进行研发。在音频解码算法上,不断优化算法结构,提高解码效率,减少解码时间与资源占用,同时进一步提升音频的还原度与音质表现,使音乐更加真实、动听。在降噪算法方面,通过对环境噪音的实时监测与分析,采用自适应降噪算法,能够更准确地去除背景噪音,即使在嘈杂的环境中,也能为用户提供清晰纯净的音乐。此外,软件算法还实现了对音响系统的智能控制,如根据用户的使用习惯自动调整音量、音效模式等个性化设置。通过持续的软件算法优化,至盛 ACM 芯片不断挖掘硬件潜力,为用户带来更质优、便捷的使用体验,增强了产品的市场竞争力。江苏数据链至盛ACM8625S至盛芯片在Soundbar音响中实现虚拟环绕声,通过心理声学模型构建出7.1声道听感。

至盛入选苏州独角兽企业培育库,获评市级创新型中小企业,享受税收减免、研发补贴等政策支持。其“氮化镓功率器件研发项目”列入“十四五”国家集成电路产业专项规划,获得大基金三期10亿元投资,用于扩建12英寸晶圆产线。在政策驱动下,至盛与长三角地区50余家上下游企业形成产业集群,使芯片设计-制造周期从18个月缩短至12个月。据江苏省工信厅数据,至盛所在的苏州工业园区已集聚半导体企业超800家,2025年产业规模突破5000亿元,至盛作为链主企业,带动区域产业链协同创新,助力中国芯片产业向全球价值链**攀升。
ACM3221作为至盛ACM推出的***一代单声道D类音频功率放大器,其**参数聚焦于高效率与低功耗的平衡。该芯片支持2.5V至5.5V宽电压输入,可覆盖单节锂电池(3.7V)到5V USB供电的典型应用场景。在5V供电下,驱动4Ω负载时输出功率达3.2W(1% THD+N),驱动8Ω负载时为1.4W,满足小型音箱、蓝牙耳机等设备的功率需求。其静态功耗低至1.15mA(3.7V时),待机功耗可压缩至1.5μA,较前代产品降低40%,***延长便携设备的续航时间。封装方面提供两种选择:9引脚WLP(1.0mm×1.0mm)和8引脚DFN(2.0mm×2.0mm),其中DFN封装厚度*0.3mm,适配智能手表、TWS耳机等对空间极度敏感的穿戴设备。家庭影院系统采用至盛芯片后,通过动态均衡技术自动补偿播放不同内容时的频响差异。

ACM3221内置多重保护电路,确保系统可靠性。过流保护(OCP)实时监测输出电流,当负载短路或扬声器阻抗异常时,自动限制电流至安全范围,避免芯片损坏。过热保护(OTP)通过内部温度传感器监控结温,当温度超过150℃时关闭输出,待冷却后自动恢复。此外,芯片还具备欠压锁定(UVLO)功能,当供电电压低于2.3V时停止工作,防止低电压导致的性能劣化。这些保护机制在车载音响、户外音箱等恶劣环境中尤为重要,可***提升产品寿命与用户信任度。ACM8623在PBTL模式下,单通道输出功率更是高达1×23W(@1% THD+N),能够满足大多数音频应用的需求。深圳附近哪里有至盛ACM3128A
车载音响应用至盛芯片后,通过语音增强技术使车载通话清晰度提升35%。四川信息化至盛ACM8625P
至盛车用音频芯片通过AEC-Q102车规级认证,在85℃/85%RH极端环境下持续工作1000小时无衰减,内置负载检测功能覆盖5W-75W需求。其ACM5618全集成DC-DC同步升压芯片采用正装+倒装混合工艺,键合界面结合良率达99%,单节电池升压至12V时效率高达91%,导通电阻较传统方案降低60%。该芯片已配套比亚迪、蔚来等车企的新能源车型,使车载音响系统功耗降低40%,续航里程提升5%。据中国汽车工业协会数据,2025年国内车规级芯片市场规模达3200亿元,至盛凭借技术优势占据车载音频芯片12%市场份额,打破ADI、TI等国际厂商垄断。四川信息化至盛ACM8625P
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
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