ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
在工业领域,音频技术的应用越来越普遍,至盛 ACM 芯片在工业音频领域展现出巨大的应用潜力。在工业监控系统中,至盛 ACM 芯片可以用于音频采集和分析,通过对设备运行声音的监测,及时发现设备故障,实现预防性维护。例如,在工厂的大型机械设备上安装音频传感器,连接至盛 ACM 芯片,芯片对采集到的声音信号进行分析,判断设备是否存在异常。在工业通信系统中,至盛 ACM 芯片能够提升语音通信的质量,减少噪音干扰,确保信息的准确传递。此外,在工业娱乐场所,如工厂的休息区,至盛 ACM 芯片可为背景音乐系统提供品质高的音频输出。至盛半导体可以针对工业领域的特殊需求,优化芯片设计,推动至盛 ACM 芯片在工业音频领域的普遍应用,为工业智能化发展提供支持。ACM8816在数字输入设计增强抗干扰能力,适合长距离信号传输。天津蓝牙至盛ACM

小米对至盛半导体的战略投资,引发了行业的普遍关注。至盛半导体作为高性能数模混合电路和功率芯片研发商,专注于高性能数模混合电路和功率器件的芯片设计与销售,产品涵盖模拟功放、耳放等。小米的投资不仅为至盛半导体提供了资金支持,助力其扩大研发团队、升级生产设备,加速芯片的研发进程;也意味着至盛半导体的芯片有望更多地应用于小米的产品生态中,实现芯片与终端产品的深度融合。随着合作的深入,至盛半导体或将为小米的智能音箱、手机、笔记本电脑等产品定制专属芯片,进一步提升小米产品的竞争力。这一投资案例为半导体行业的上下游合作提供了新的思路,有望促进产业链各环节的协同发展,推动整个行业迈向新的高度。江门数据链至盛ACM3108在B超接收电路中,ACM8816用于信号通道切换,提高信号传输质量。

ACM8816的数字输入接口支持智能控制,可融入现代智能控制系统。通过微控制器,实现电源输出的精确调节和故障监测,适用于智能家居,提升系统自动化水平。小米的智能音箱就内置了ACM8816,用户可以通过语音指令控制音量大小,同时系统能实时监测音箱状态,确保音质和稳定性。ACM8816的紧凑性优势xianzhu,体积小、重量轻,适合航空航天领域应用。其高效电力转换能力为飞行器提供稳定电源,降低能耗,提升飞行效率。NASA在No1xin的火星探测器中就采用了ACM8816,其高效能和紧凑设计使得探测器在恶劣环境下仍能稳定运行,为科学探索提供了有力支持。
在图形处理方面,至盛 ACM 芯片表现优良。它配备了专门优化的图形处理单元(GPU),能够流畅渲染高分辨率、复杂的 3D 图形。无论是游戏中的精美场景,还是虚拟现实(VR)、增强现实(AR)应用中的沉浸式体验,至盛 ACM 芯片都能轻松应对。其支持的高帧率输出,使得画面过渡自然、流畅,有效减少了卡顿和延迟现象。例如,在大型 3D 游戏中,玩家能够感受到逼真的光影效果、细腻的纹理细节,仿佛身临其境。在 VR 应用中,用户能够享受到更加稳定、流畅的虚拟环境,提升了体验的沉浸感和真实感。至盛 ACM 芯片,散热优化佳,高负荷运行稳,保障长时间稳定算力输出。

ACM8629采用TSSOP-28封装形式,这种封装具有体积小、引脚间距适中等特点,有利于在电路板上进行紧凑布局,满足现代电子设备对小型化和集成化的需求。同时,TSSOP-28封装还具备良好的电气性能和机械强度,能够保证芯片在各种工作环境下的稳定运行。ACM8629的散热片位于背部,且支持外接散热器。这一设计使得芯片在工作过程中产生的热量能够通过散热片快速传导至外部散热器,有效降低芯片的工作温度,确保其在长时间高负载运行下的稳定性和可靠性。外接散热器的设计还为用户提供了更多的散热方案选择,可根据实际需求进行灵活配置。作为智能家居中枢,至盛 ACM 芯片听令而动,联动家电,营造便捷居家氛围。韶关绿色环保至盛ACM
芯片支持双向控制界面和多种通信协议,便于与微控制器等数字系统接口。天津蓝牙至盛ACM
至盛 ACM 芯片背后拥有一支专业且富有创新精神的研发团队。团队成员来自全球前列的科研机构和高校,具备深厚的专业知识和丰富的实践经验。他们致力于芯片技术的创新,不断探索新的架构设计、制程工艺和应用场景。通过持续的研发投入和技术攻关,团队成功突破了多项技术难题,使至盛 ACM 芯片在性能和功能上达到了行业前列水平。例如,在研发过程中,团队创新性地提出了一种新的计算单元布局方案,有效提升了芯片的并行计算能力。同时,团队积极与行业内其他企业和科研机构合作,开展产学研合作项目,共同推动芯片技术的发展,为至盛 ACM 芯片的持续创新提供了强大动力。天津蓝牙至盛ACM
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
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