等离子刻蚀机刻蚀二氧化硅时出现“黑硅”效应如何避免？

深圳市方瑞科技有限公司2026-07-23

黑硅效应由微掩膜或离子阴影效应引起。方瑞科技采用C₄F₈/Ar/O₂气体体系，优化O₂比例以聚合物微掩膜，同时降低偏压功率减少离子阴影。刻蚀后表面平整，无黑硅现象。方瑞科技提供AFM表面形貌检测。

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简介：专注于等离子设备的研发、生产和销售，服务于半导体、汽车、电子等多个行业，产品远销全球。

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