ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
在智能音箱领域,至盛 ACM 芯片表现优良。以天猫精灵 X6 智能音箱采用的 ACM8628M 芯片为例,它采用新型 PWM 脉宽调制架构,有效降低静态功耗,提高能源利用效率,延长智能音箱续航时间。芯片内置 DSP 可实现主动分频、延时处理、EQ 调试等功能,对数字音频信号精确控制,实现出色音质表现。同时,能与智能音箱中的其他芯片,如全志 R328 智能语音处理器协同工作,为用户提供流畅语音交互与品质高的音乐播放体验。其高集成度减少外围电路元件,降低智能音箱生产与设计成本,提升产品竞争力 。至盛12S数字功放芯片数字增益通过I2C总线控制,元件减少80%,PCB设计面积缩减40%。广州数据链至盛ACM3129A

至盛 ACM 芯片具有极高的集成度,将蓝牙通信、音频解码、功率放大、音效处理等多个关键功能模块高度集成在一个芯片之中。这种高集成度设计为蓝牙音响产品的设计带来了诸多便利。一方面,减少了外部元器件的使用数量,使得产品的电路板布局更加简洁,降低了产品的生产成本与设计复杂度。另一方面,提高了产品的稳定性与可靠性,因为减少了元器件之间的连接环节,降低了故障发生的概率。以一款小型便携式蓝牙音响为例,由于至盛 ACM 芯片的高集成度,设计师能够将更多空间用于优化音响的外观造型与电池容量,打造出更加小巧轻便、续航更长且性能稳定的产品,充分体现了芯片集成度对产品设计的积极影响。重庆靠谱的至盛ACM现货数模混合电路与功率芯片研发,至盛 ACM 芯片展现出优良的设计与制造工艺。

ACM8625P 等型号的音频功放芯片,采用高度集成化架构。内置 32 位高精度音频 DSP,处理带宽最大支持 96kHz(192kHz 采样率)。这种架构赋予芯片强大的音频处理能力,能执行复杂音频算法。如内部集成 2×15 个均衡器,可对不同频段音频信号准确调节,满足不同音乐风格与场景的音效需求;3 段 DRC(动态范围控制)能自动调整音频动态范围,避免声音忽大忽小,确保音频播放的稳定性与舒适度;还有 AGL 等调音算法,优化整体音质。同时,新型 PWM 脉宽调制架构根据音频信号大小动态调整脉宽,在保障音频性能前提下,有效降低静态功耗,提升能源利用效率 。
扩频技术的应用大幅降低了EMI辐射,在功率和喇叭线长一定的范围内,可以用磁珠替代电感方案,从而优化了成本和电路面积,使得芯片在设计和应用中更加灵活和经济。降低 EMI 辐射:大幅降低电磁干扰,使产品在功率和喇叭线长一定范围内,可用磁珠替代电感方案,优化成本与电路面积。增强抗干扰能力:因信号频谱变宽,信道利用率提高,不同用户占不同频率段,减少相互干扰,提升信号传输稳定性。提升安全性:信号在频域分散,**难度大,为音频数据传输提供更安全保障,满足对安全性要求高的应用场景。至盛12S数字功放芯片通过AEC-Q100车规认证,在-40℃至125℃环境下失效率低于10ppm。

新兴技术的蓬勃发展为至盛 ACM 芯片带来了诸多发展机遇。与 5G 技术融合,借助 5G 的高速率、低延迟特性,能够实现更流畅、更高质量的音频传输,为用户带来前所未有的音乐体验,如支持超高清音频流传输,让用户感受音乐的每一个细微变化。与人工智能技术结合,进一步优化智能语音交互功能,使芯片能够更好地理解用户意图,提供更加个性化的音频服务,如根据用户的音乐喜好智能推荐歌曲。在物联网时代,至盛 ACM 芯片作为智能家居生态系统的一部分,能够与其他智能设备实现互联互通,打造更加便捷、智能的生活环境,如与智能家电联动,根据音乐氛围自动调节家电设备状态,通过与新兴技术的融合,至盛 ACM 芯片不断拓展应用场景,提升产品价值,迎来更广阔的发展空间。ACM8623的架构能够根据输入信号的大小动态调整脉宽。韶关工业至盛ACM现货
ACM8816在音频视频开关矩阵系统中,可通过数字控制实现多路信号切换,简化布线。广州数据链至盛ACM3129A
ACM8629的供电方式灵活且电压范围guangfan,能够适应多种不同的应用场景。其供电电压范围在4.5V至26.4V之间,这一特性使其能够兼容多种电源环境,无论是低电压的便携设备还是高电压的工业应用,都能轻松应对。同时,ACM8629的数字接口电源支持3.3V,进一步增强了其与各种数字设备的兼容性。这种宽电压范围的供电设计,不仅提高了芯片的通用性,还为用户在电路设计中提供了更多的选择和灵活性。深圳市芯悦澄科技有限公司专业一站式音频开发和设计。广州数据链至盛ACM3129A
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
山东蓝牙音响芯片ACM8623
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广西芯片ACM3108ETR
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湖北ACM芯片ACM8625P
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