ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
与市场上其他同类芯片相比,至盛 ACM 芯片在多个方面展现出明显的优势。在计算性能上,其先进的架构和高性能内核使其运算速度更快,能够在更短的时间内完成复杂任务。在功耗方面,至盛 ACM 芯片的低功耗设计使得能源利用率更高,设备续航时间更长。在图形处理能力上,其专门优化的 GPU 能够呈现出更加逼真、流畅的图形效果。在安全性能方面,芯片内置的多种加密机制为数据提供了更可靠的保护。例如,在对比测试中,至盛 ACM 芯片在运行大型 3D 游戏时,帧率比其他芯片高出 20%,且功耗降低了 15%。在数据加密传输测试中,至盛 ACM 芯片能够有效抵御更多类型的网络攻击,保障数据安全。这些优势使得至盛 ACM 芯片在市场竞争中脱颖而出。至盛 ACM 芯片为医疗设备带来更准确的数据分析。湖南国产至盛ACM

展望未来,至盛半导体将围绕至盛 ACM 芯片开展一系列研发工作。在音频处理技术上,进一步提升芯片对高分辨率音频的处理能力,满足用户对音质的追求。同时,结合 AI 技术,研发具有智能音频场景识别功能的芯片,使芯片能够根据不同的使用场景自动调整音频参数,提供个性化的音频体验。在功耗控制方面,探索新的技术和材料,降低芯片的功耗,延长设备的续航时间。此外,至盛半导体还将关注新兴应用领域,如元宇宙、脑机接口等,研发适用于这些领域的音频芯片,拓展至盛 ACM 芯片的应用边界。通过持续的研发投入和技术创新,至盛 ACM 芯片有望在未来的市场竞争中保持前列地位,为用户带来更多质优的产品和服务。湛江自主可控至盛ACM供应商ACM8816其集成的数字输入功能可直接接收数字信号,无需额外模数转换电路,简化系统设计并提高可靠性。

随着消费者对音频设备便携性的要求越来越高,至盛 ACM 芯片凭借自身优势,推动音频设备向小型化发展。以零刻 SER9 Pro 迷你电脑为例,至盛 ACM8625S 数字功放芯片采用紧凑的封装设计,占用空间小,为迷你电脑内部结构的优化提供了可能。该芯片与其他音频组件协同工作,在有限的空间内实现了品质高的音频输出。在智能音箱领域,至盛 ACM8625M 数字输入 D 类音频功放的应用,简化了音箱的电路设计,使得音箱的体积得以缩小。至盛半导体通过不断优化芯片设计,提高芯片的集成度,减少元器件的数量,为音频设备的小型化设计提供了有力支持,满足了消费者对便携音频设备的需求,推动音频设备朝着更轻便、更实用的方向发展。
ACM8629的数字增益调节功能高度集成且灵活。其内部集成数字增益调节模块,可对输入信号幅度进行精细控制,**调节左右通道增益,满足不同音频场景需求。通过该功能,用户可实现小信号低音增强、高低音补偿等音效处理,提升音频解析力与低频震撼力度。同时,数字增益调节支持平滑的多段音效控制,配合3段DRC动态范围压缩,有效防止信号过载失真,确保音频输出清晰稳定,为便携音箱、家庭影院等设备提供***音质保障。深圳市芯悦澄服科技有限公司专业一站式音频开发设计。

扩频技术的应用大幅降低了EMI辐射,在功率和喇叭线长一定的范围内,可以用磁珠替代电感方案,从而优化了成本和电路面积,使得芯片在设计和应用中更加灵活和经济。降低 EMI 辐射:大幅降低电磁干扰,使产品在功率和喇叭线长一定范围内,可用磁珠替代电感方案,优化成本与电路面积。增强抗干扰能力:因信号频谱变宽,信道利用率提高,不同用户占不同频率段,减少相互干扰,提升信号传输稳定性。提升安全性:信号在频域分散,**难度大,为音频数据传输提供更安全保障,满足对安全性要求高的应用场景。工业自动化控制领域,ACM8816的高可靠性和抗干扰能力确保系统稳定运行。 20.湖南国产至盛ACM
ACM8816在数字输入设计增强抗干扰能力,适合长距离信号传输。湖南国产至盛ACM
当外部数字信号通过数字输入接口进入ACM8816时,首先经过信号调理电路进行处理。处理后的信号被送到内部电路进行电平转换和识别。内部处理:识别后的数字信号被送到相应的寄存器进行存储或处理。根据寄存器的配置,ACM8816可以产生中断或事件信号,通知处理器进行后续处理。输出响应:处理器根据中断或事件信号的内容,执行相应的处理任务。处理结果可以通过ACM8816的其他输出接口(如数字输出接口、模拟输出接口等)进行输出。深圳市芯悦澄服科技有限公司代理至盛一系列芯片。湖南国产至盛ACM
ACM8815采用台积电6英寸GaN-on-Si工艺,在硅衬底上外延生长2μm厚GaN层,通过离子注入形成P型和N型掺杂区。关键工艺步骤包括:MOSFET结构:采用垂直双扩散结构(VDMOS),源极和漏极分别位于芯片两侧,沟道长度*0.3μm,实现低导通电阻(11mΩ@10V栅压)。栅极氧化层:使用...
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