功率MOSFET

MOSFET计算系统的散热要求，设计人员必须考虑两种不同的情况，即较坏情况和真实情况。建议采用针对较坏情况的计算结果，因为这 个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOSFET的资料表上还有一些需要注意的测量数据；比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及较 大的结温。开关损耗其实也是一个很重要的指标。导通瞬间的电压电流乘积相当大，一定程度上决定了器件的开关性能。不过，如果系统对开关性能要求比较高，可以选择栅极电荷QG比较小的功率MOSFET。越小的MOSFET象征其通道长度减少，让通道的等效电阻也减少，可以让更多电流通过。功率MOSFET

如何区分MOSFET是N沟道还是P沟道？场效应晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的简称，它是现代电子产品的基本组成部分。MOSFET由诸如硅的半导体材料制成，半导体在导体和绝缘体之间具有导电性。为了使半导体成为良好的导体，会在纯晶体中引入两种类型的杂质，如果杂质是五价的，则所得的半导体为n型。在n型电子中，大多数电荷载流子。如果杂质是三价的，那么所得的半导体是p型的。在p型孔中，大多数电荷载流子。MOSFET有两种类型：增强型和耗尽型，这两种类型都进一步分为：N通道和P通道。宁波N型MOSFETMOSFET电压和电流的选择，额定电压越大，器件的成本就越高。

随著半导体制造技术的进步，对于整合更多功能至单一芯片的需求也跟著大幅提升，此时用MOSFET设计模拟电路的另外一个优点也随之浮现。为了减少在印刷电路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成电路数量、减少封装成本与缩小系统的体积，很多原本 的类比芯片与数位芯片被整合至同一个芯片内。MOSFET原本在数位集成电路上就有很大的竞争优势，在类比集成电路上也大量采用MOSFET之后，把这两种不同功能的电路整合起来的困难度也 的下降。另外像是某些混合信号电路（Mixed-signal circuits），如类比/数位转换器（Analog-to-Digital Converter,ADC），也得以利用MOSFET技术设计出效能更好的产品。

过去数十年来，MOSFET的尺寸不断地变小。早期的集成电路MOSFET制程里，通道长度约在几个微米（micrometer）的等级。但是到了 的集成电路制程，这个参数已经缩小了几十倍甚至超过一百倍。2006年初，Intel开始以65纳米（nanometer）的技术来制造新一代的微处理器，实际的元件通道长度可能比这个数字还小一些。至90年代末，MOSFET尺寸不断缩小，让集成电路的效能 提升，而从历史的角度来看，这些技术上的突破和半导体制程的进步有著密不可分的关系。由于集成电路芯片上的MOSFET为四端元件，所以除了栅极、源极、漏极外，尚有一基极。

功率MOSFET按垂直导电结构的差异，又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET），功率MOSFET为多元集成结构，MOSFET的漏极伏安特性（输出特性）：截止区（对应于GTR的截止区）；饱和区（对应于GTR的放大区）；非饱和区（对应于GTR的饱和区）。电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。MOSFET的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数。栅极材料MOSFET

常用于MOSFET的电路符号有很多种变化。功率MOSFET

NPN型的MOSFET是怎么导通的呢？首先，在栅极加正电压，这样就会排斥衬底——P型硅中的正电荷，同时吸引负电荷，这样在漏极与源极之间形成一层负电荷区域，这时再火上浇油在漏极加上正电压，源极加上负电压。至于怎么分辨MOSFET的电路符号是N沟道还是P沟道。沟道的正负，就是衬底中通道的正负。电路符号中的箭头表示的是电子的流向。可以看到N沟道的电路符号中的箭头是指向栅极的，衬底下堆积的就是一层负电子，而这层负电子从漏极和源极的角度看，就是一条电子从源极通往漏极的沟，所以这个沟就叫做negative沟道，简称N沟道。功率MOSFET

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