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等离子刻蚀机刻蚀碳化硅时如何避免表面损伤？

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深圳市方瑞科技有限公司2026-07-29

SiC功率器件刻蚀中，高能离子轰击可能引入晶格损伤，影响器件电性能。方瑞科技的PE-200刻蚀机采用SF₆/O₂/Ar气体体系，通过调节ICP功率/偏压功率比控制损伤深度。设备配备精确的温控系统，防止刻蚀过程中SiC表面石墨化。刻蚀后表面光滑、侧壁垂直。方瑞科技提供Hall和PL测试服务评估刻蚀损伤，已为多家SiC功率器件企业提供刻蚀设备。

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联系人： 焦金萍

手   机： 15219492755

网   址： http://www.szfari.com

地   址：
广东省深圳市宝安区马田街道合水口社区第七工业区第三栋厂房A401
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