Polos-BESM在电子器件原型开发中展现高效性。例如,其软件支持GDS文件直接导入,多层曝光叠加功能简化了射频器件(如IDC电容器)的制造流程。研究团队利用同类设备成功制备了高频电路元件,验证了其在5G通信和物联网硬件中的潜力。无掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化,无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下,将该技术带到了桌面上,进一步提升了其优势。无掩模光刻技术可以随意进行纳米级图案化,无需使用速度慢且昂贵的光罩。这种便利对于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上没有任何妥协的情况下,将该技术带到了桌面上,进一步提升了其优势。亚微米级精度:0.8 µmmost小线宽,支持高精度微流体芯片与MEMS器件制造。辽宁PSP光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米

微流体芯片制造的core工具!Polos光刻机可加工80 µm直径的开环谐振器和2 µm叉指电极,适用于传感器与执行器开发。结合双光子聚合技术(如Nanoscribe的2PP工艺),用户可扩展至3D微纳结构打印,为微型机器人及光学超材料提供多维度解决方案37。其与Lab14集团的协同合作,进一步推动工业级光学封装技术创新3。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。江苏POLOSBEAM-XL光刻机分辨率1.5微米光学超材料突破:光子晶体结构precise制造,赋能超透镜与隐身技术研究。

针对碳化硅(SiC)功率模块的栅极刻蚀难题,Polos 光刻机的激光直写技术实现了 20nm 的边缘粗糙度控制,较传统光刻胶工艺提升 5 倍。某新能源汽车芯片厂商利用该设备,将 SiC MOSFET 的导通电阻降低 15%,开关损耗减少 20%,推动车载逆变器效率突破 99%。其灵活的图案编辑功能支持快速验证新型栅极结构,使器件研发周期从 12 周压缩至 4 周,助力我国在第三代半导体领域实现弯道超车。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。
某智能机器人实验室采用 Polos 光刻机制造了磁控微纳机器人。其激光直写技术在镍钛合金薄膜上刻制出 10μm 的螺旋桨结构,机器人在旋转磁场下的推进速度达 50μm/s,转向精度小于 5°。通过自定义三维运动轨迹,该机器人在微流控芯片中成功实现了单个红细胞的捕获与转运,操作成功率从传统方法的 40% 提升至 85%。其轻量化设计(质量 < 1μg)还支持在活细胞表面进行纳米级手术,相关成果入选《Science Robotics》年度创新技术。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。无掩模激光直写技术:无需物理掩膜,软件直接输入任意图案,降低成本与时间。

某生物力学实验室通过 Polos 光刻机,在单一芯片上集成了压阻式和电容式细胞力传感器。其多材料曝光技术在 20μm 的悬臂梁上同时制备金属电极与硅基压阻元件,传感器的力分辨率达 5pN,位移检测精度达 1nm。在心肌细胞收缩力检测中,该集成传感器实现了力 - 电信号的同步采集,发现收缩力峰值与动作电位时程的相关性达 0.92,为心脏电机械耦合机制研究提供了全新工具,相关论文发表于《Biophysical Journal》。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。微型传感器量产:80 µm开环谐振器加工能力,推动工业级MEMS传感器升级。天津POLOSBEAM-XL光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米
Polos-BESM XL:加大加工幅面,满足中尺寸器件一次性成型需求。辽宁PSP光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米
某人工智能芯片公司利用 Polos 光刻机开发了基于阻变存储器(RRAM)的存算一体架构。其激光直写技术在 10nm 厚度的 HfO₂介质层上实现了 5nm 的电极边缘控制,器件的电导均匀性提升至 95%,计算能效比达 10TOPS/W,较传统 GPU 提升两个数量级。基于该技术的边缘 AI 芯片,在图像识别任务中能耗降低 80%,推理速度提升 3 倍,已应用于智能摄像头和无人机避障系统,相关芯片出货量突破百万片。无掩模激光光刻 (MLL) 是一种微加工技术,用于在基板上以高精度和高分辨率创建复杂图案。一个新加坡研究团队通过无缝集成硬件和软件组件,开发出一款紧凑且经济高效的 MLL 系统。通过与计算机辅助设计软件无缝集成,操作员可以轻松输入任意图案进行曝光。该系统占用空间小,非常适合研究实验室,并broad应用于微流体、电子学和纳/微机械系统等各个领域。该系统的经济高效性使其优势扩展到大学研究实验室以外的领域,为半导体和医疗公司提供了利用其功能的机会。辽宁PSP光刻机基材厚度可达到0.1毫米至8毫米
2D材料加工:二维异质结的precise构筑,在石墨烯等2D材料研究中,Polos光刻机实现了异质结的高精度图案化。利用NWA-100的0.3μm分辨率,科研人员可在石墨烯表面刻制精密电极,构建二维晶体管。其非接触式曝光方式避免了对超薄材料的损伤,配合多种基材兼容特性,还可实现石墨烯与其他二维材料的precise叠层,为下一代柔性电子器件研发提供关键工具。德国 Polos 是桌面级紫外激光直写光刻机领域benchmark品牌,以 “高精度、低成本、易操作” 为core定位。主打无掩模技术与紧凑设计,产品覆盖 NanoWriter、Beam 等系列,分辨率达 0.3-23μm,适配多基材加工。广...