MOSFET的导通电阻RDS(ON)及其正温度特性 正温度系数 源/漏金属与N+半导体区域之间的非理想接触，以及用于将器件连接到封装的引线，都可能产生额外的电阻。RDS(ON)具有正温度系数，随着温度的升高而增加。这是因为空穴和电子的迁移率随着温度的升高而降低。P/N沟道功率MOSFET在给定温度下的RDS(ON)，可通过公式估算。 这是MOSFET并联稳定性重要特征。当MOSFET并联时RDS(ON)随温度升高，不需要任何外部电路的帮助即可获得良好的电流分流。 正温度系数的注意事项 尽管RDSON的正温度系数使得并联容易，在实际使用中还需要注意到以下问题：栅...

开关电源中的MOS管需求 我们考虑 开关电源应用中的MOS管需求。在这种应用中，MOS管需要定期导通和关断，以执行开关功能。开关电源的拓扑结构多种多样，但基本降压转换器是一个典型的例子。它依赖两个交替工作的MOS管来在电感中存储和释放能量，从而为负载提供稳定的电源。 开关电源应用中，MOS管需频繁导通和关断，关键参数包括栅极电荷与导通阻抗等，需根据拓扑结构选择比较好。 栅极电荷与开关损耗 传统上，电源设计人员可能采用综合品质因数（栅极电荷QG与导通阻抗RDS(ON)的乘积）来评估MOS管。但值得注意的是，还有许多其他参数同样重要。栅极电荷是产生 开关损耗的关键因素。它表示...

无锡商甲半导体有限公司是一家以市场为导向、技术为驱动、采用fabless模式的功率半导体设计公司，专注于TrenchMOSFET、分离栅MOSFET、超级结MOSFET、IGBT等半导体功率器件的研发、设计以及销售；团队均拥有15年以上功率芯片从业经验，具有丰富的12寸产品研发经验； 产品广泛应用于消费电子、马达驱动、BMS、UPS、光伏新能源、充电桩等领域。在面对日益增长的电力需求和对电子设备可靠性的苛刻要求时，如何制造出高效、稳定的半导体器件成了一个亘古不变的话题。无锡商甲恰恰是为了解决这一崭新的挑战而诞生的。特别是在消费电子和清洁能源等领域，对这类功率器件的需求正以每年20%至...

谐振转换器及其他应用 在开关电源中，其他重要的MOS管参数包括输出电容、阈值电压、栅极阻抗和雪崩能量。某些特定拓扑结构，如谐振转换器，会改变这些参数的相关性。谐振转换器通过在VDS或ID过零时进行MOS管开关，从而明显降低开关损耗。这类技术被称为 软开关或零电压/零电流开关技术。在这些拓扑中，由于开关损耗被小化，因此RDS(ON)变得尤为重要。 此外，低 输出电容（COSS）对这两种类型的转换器都有益处。在谐振转换器中，谐振电路的性能主要由变压器的漏电感和COSS决定。同时，在两个MOS管关断的死区时间内，谐振电路需要确保COSS完全放电。而对于传统的降压转换器（硬开关转换器...

MOS管：现代电子设备的重要开关与放大器 现代电子技术的基石MOS管，凭借其极低功耗和精确电流控制，从智能手机到航天器无处不在。它的高输入阻抗和温度稳定性，让电子设备更轻薄强大。 现代电子技术中，MOS管主要分为增强型和耗尽型两大类别。增强型MOS管需要外加栅极电压才能形成导电沟道，而耗尽型则在没有栅极电压时就已存在沟道。根据导电沟道的类型，又可分为N沟道和P沟道两种，前者导通时依靠电子流动，后者则依靠空穴流动。这些不同类型的MOS管各具特点，适用于不同场景。 MOS管的应用场景极为多元。在数字电路中，它作为高速开关使用，构成了现代计算机的二进制逻辑基础。在模拟电路中，...

开关电源中的MOS管需求 我们考虑 开关电源应用中的MOS管需求。在这种应用中，MOS管需要定期导通和关断，以执行开关功能。开关电源的拓扑结构多种多样，但基本降压转换器是一个典型的例子。它依赖两个交替工作的MOS管来在电感中存储和释放能量，从而为负载提供稳定的电源。 开关电源应用中，MOS管需频繁导通和关断，关键参数包括栅极电荷与导通阻抗等，需根据拓扑结构选择比较好。 栅极电荷与开关损耗 传统上，电源设计人员可能采用综合品质因数（栅极电荷QG与导通阻抗RDS(ON)的乘积）来评估MOS管。但值得注意的是，还有许多其他参数同样重要。栅极电荷是产生 开关损耗的关键因素。它表示...

SGT技术： 突破传统MOS的性能瓶颈MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是开关电源、逆变器、电机控制等应用的重要开关器件。传统平面MOS和早期沟槽MOS在追求更低导通电阻(Rds(on))和更快开关速度时，往往会面临开关损耗(Qg,Qgd)增大、抗冲击能力下降等矛盾。 商甲半导体采用的SGT结构技术，正是解决这一矛盾的关键： 屏蔽栅极结构：在传统的栅极沟槽结构基础上，创新性地引入了额外的“屏蔽电极”（通常是源极电位）。这一结构能有效屏蔽栅极与漏极之间的米勒电容(Cgd)，大幅降低栅极电荷(Qg,特别是Qgd)。 低栅极电荷(Qg)：降低Qg意味着驱动电路更容...

半导体元器件都有哪些种类? 1. 二极管 二极管可能是基础的半导体元件了。你可以把它想象成一个电子的“单行道”，电流只能从一个方向流过它。这种特性使二极管非常适合用于电流的整流，即将交流电转换为直流电。应用于充电器和电源适配器中。 2. 晶体管 晶体管能够放大电信号，也可以作为开关使用。从电视、收音机到计算机的处理器，晶体管无处不在。 3. 场效应管 场效应管是一种特殊类型的晶体管，它通过电场来控制电流的流动。因为场效应管的开关速度快，功耗低，所以它们在数字电路和计算机技术中非常受欢迎。例如，现代计算机的CPU和内存中就经常使用场效应管。 ...

商甲半导体产品：SJMOS（超结MOSFET） 商甲半导体提供击穿电压等级范围为500V至900V的SJ系列功率MOSFET产品，产品以低导通电阻，低栅极电荷，出色的开关速度，以及更好的EMI表现，成为开关电源的理想选择；针对不同的电路要求，公司开发出多个系列产品，在产品抗冲击、EMI特性、开关特性、反向恢复特性、性价比等多个因素中相互平衡，致力于为客户提供比较好的选型方案。 产品广泛应用在家用电器、通信电源、UPS、光伏逆变、电动汽车充电等领域。欢迎咨询。 汽车电子领域适配的 MOSFET，能满足引擎、制动系统等部件的稳定运行需求。江苏电动汽车MOSFET供应商近期价格 M...

半导体与芯片的主要区别 概念上的区别 半导体：是一种材料，具有特殊的电导特性，能够控制电流的流动。半导体可以单独存在，也可以作为芯片的主要材料使用。 芯片：是由多个电子元器件（包括半导体）组成的微型电子器件，其功能是执行特定的任务，如计算、存储或控制等。 功能上的区别 半导体：半导体本身并不执行具体的任务，而是提供了合适的电子特性，使得各类电子元器件能够工作。 芯片：芯片是由半导体材料制成的，且包含了多个集成的电路和元器件，能够执行特定的任务或功能。 组成与结构上的区别 半导体：通常是单一的材料，如硅、锗等，可以用于制作多个不同种类的电子元件...

什么是MOSFET？它的主要结构、工作原理及用途 MOSFET是电子世界的“电流开关大师”，像智能闸门般准确控制电流。它通过栅极电压操控电子流动，省电高效，从手机到电动车都依赖其纳秒级开关能力。特斯拉电机控制器用上千个MOS管并联，效率高达99%。 你知道吗？我们每天用的手机、电脑，甚至家里的电饭煲、空调，里面都藏着一个默默工作的“电流开关大师”——MOSFET。它就像电力世界里的红绿灯，悄无声息地指挥着电流的通行与截断。就让我们一起揭开这位“电子交通警察”的神秘面纱。 MOSFET是谁？ 想象一下，你面前有一条小溪（电流），如果想控制水流，你会怎么做？简单的...

SGT技术： 突破传统MOS的性能瓶颈MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是开关电源、逆变器、电机控制等应用的重要开关器件。传统平面MOS和早期沟槽MOS在追求更低导通电阻(Rds(on))和更快开关速度时，往往会面临开关损耗(Qg,Qgd)增大、抗冲击能力下降等矛盾。 商甲半导体采用的SGT结构技术，正是解决这一矛盾的关键： 屏蔽栅极结构：在传统的栅极沟槽结构基础上，创新性地引入了额外的“屏蔽电极”（通常是源极电位）。这一结构能有效屏蔽栅极与漏极之间的米勒电容(Cgd)，大幅降低栅极电荷(Qg,特别是Qgd)。 低栅极电荷(Qg)：降低Qg意味着驱动电路更容...

功率半导体的技术门槛在于对应用场景的深度理解。 比如服务器电源需要高频、大电流的芯片，但电流大了频率就容易上不去。我们通过改进SGT（屏蔽栅沟槽）及超结产品工艺，把高频性能优化到接近氮化镓的水平，成本却只有三分之一。”这款芯片已通过几家头部服务器厂商的测试，计划明年量产。技术团队的“老炮儿”背景是商甲的核心竞争力。公司研发负责人曾主导过多款国产MOSFET的量产，工艺团队则来自国内头部晶圆厂。 “我们的优势是‘接地气’——客户提出需求，我们商甲半导体能快速调整设计和工艺，不用等海外大厂漫长的排期。” 这款 MOSFET 的 ESD 防护性能良好，栅极阈值电压稳定，在各类电子开关...

无锡商甲半导体有限公司是一家以市场为导向、技术为驱动、采用fabless模式的功率半导体设计公司，专注于TrenchMOSFET、分离栅MOSFET、超级结MOSFET、IGBT等半导体功率器件的研发、设计以及销售；团队均拥有15年以上功率芯片从业经验，具有丰富的12寸产品研发经验； 产品广泛应用于消费电子、马达驱动、BMS、UPS、光伏新能源、充电桩等领域。在面对日益增长的电力需求和对电子设备可靠性的苛刻要求时，如何制造出高效、稳定的半导体器件成了一个亘古不变的话题。无锡商甲恰恰是为了解决这一崭新的挑战而诞生的。特别是在消费电子和清洁能源等领域，对这类功率器件的需求正以每年20%至...

MOSFET的主要参数 1、ID：比较大漏源电流它是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流，场效应管的工作电流不应超过ID。 2、IDM：比较大脉冲漏源电流此参数会随结温度的上升而有所减额。 3、VGS：比较大栅源电压VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压，主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。 4、V(BR)DSS：漏源击穿电压它是指栅源电压VGS为0时，场效应管正常工作所能承受的比较大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于V(BR)DSS。它具有正温度特性。 5、RDS(on)在特定的VGS（一般为10V）、结温...

MOSFET栅极电路的7个常用功能 MOSFET 是一种电压控制器件，具有开关速度快、高频性能、高输入阻抗、低噪声、低驱动功率、大动态范围和大安全工作区 (SOA) 等优点。开关电源、电机控制、电动工具等领域都用到它。栅极是 MOSFET比较薄弱的组件。如果电路构造不当，可能会导致设备甚至系统出现故障。 MOSFET栅极电路的常见功能如下： 1、去除耦合到电路中的噪声，提高系统的可靠性； 2、加速MOSFET的导通 ，降低导通损耗； 3、加速MOSFET的关断 ，降低关断损耗； 4、减少 MOSFET DI/DT，保护 MOSFET ，抑制EMI干扰...

MOS管的工作原理 增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结。当栅-源电压VGS=0时，即使加上漏-源电压VDS，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道(没有电流流过)，所以这时漏极电流ID=0。NMOS管--此时若在栅-源极间加上正向电压，我们把开始形成沟道时的栅-源极电压称为开启电压，一般用VT表示。PMOS管--若在栅-源极间加上反向电压，即VGS<0(Vg<Vs),则会导通，电流方向是自源极到漏级。控制栅极电FVGS的大小改变了电场的强弱，就可以达到控制漏极电流!D的大小的目的，这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点，所以也称之为场效应管。 ...

功率半导体的技术门槛在于对应用场景的深度理解。 比如服务器电源需要高频、大电流的芯片，但电流大了频率就容易上不去。我们通过改进SGT（屏蔽栅沟槽）及超结产品工艺，把高频性能优化到接近氮化镓的水平，成本却只有三分之一。”这款芯片已通过几家头部服务器厂商的测试，计划明年量产。技术团队的“老炮儿”背景是商甲的核心竞争力。公司研发负责人曾主导过多款国产MOSFET的量产，工艺团队则来自国内头部晶圆厂。 “我们的优势是‘接地气’——客户提出需求，我们商甲半导体能快速调整设计和工艺，不用等海外大厂漫长的排期。” PFC电路中，关键器件是MOSFET，选型要点为高耐压、低栅极电荷和低反向恢复...

如何基于MOSFET的工作电压与电流特性进行选型二 工作电流选型重要考量 1.计算负载电流： 根据负载功率（P）和工作电压（U），通过公式I=P/U计算负载稳态工作电流。例如，100W负载在24V下工作，电流约为4.17A。同时需评估启动电流、峰值电流等极端工况。 2.选定额定电流与散热设计： MOSFET的连续漏极电流额定值（ID）需大于电路最大负载电流，并依据散热条件进行降额设计。自然冷却时，降额系数通常取0.5-0.6；强制风冷或加装散热器时，可提升至0.7-0.8。举例：最大负载电流5A，自然冷却下应选ID≥10A（5A÷0.5）的器件。 ...

开关电源中的MOS管需求 我们考虑 开关电源应用中的MOS管需求。在这种应用中，MOS管需要定期导通和关断，以执行开关功能。开关电源的拓扑结构多种多样，但基本降压转换器是一个典型的例子。它依赖两个交替工作的MOS管来在电感中存储和释放能量，从而为负载提供稳定的电源。 开关电源应用中，MOS管需频繁导通和关断，关键参数包括栅极电荷与导通阻抗等，需根据拓扑结构选择比较好。 栅极电荷与开关损耗 传统上，电源设计人员可能采用综合品质因数（栅极电荷QG与导通阻抗RDS(ON)的乘积）来评估MOS管。但值得注意的是，还有许多其他参数同样重要。栅极电荷是产生 开关损耗的关键因素。它表示...

如何基于MOSFET的工作电压与电流特性进行选型二 工作电流选型重要考量 1.计算负载电流： 根据负载功率（P）和工作电压（U），通过公式I=P/U计算负载稳态工作电流。例如，100W负载在24V下工作，电流约为4.17A。同时需评估启动电流、峰值电流等极端工况。 2.选定额定电流与散热设计： MOSFET的连续漏极电流额定值（ID）需大于电路最大负载电流，并依据散热条件进行降额设计。自然冷却时，降额系数通常取0.5-0.6；强制风冷或加装散热器时，可提升至0.7-0.8。举例：最大负载电流5A，自然冷却下应选ID≥10A（5A÷0.5）的器件。 ...

一、什么是MOS管？ MOS管全称金属—氧化物—半导体场效应晶体管或称金属—绝缘体—半导体场效应晶体管，英文名metaloxidesemiconductor，属于场效应管中的绝缘栅型，因此，MOS管有时候又称为绝缘栅场效应管。 二、MOS管的构造。 MOS管这个器件有两个电极，分别是漏极D和源极S，无论是N型还是P型都是一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+/P+区，并用金属铝引出漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的N/P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这...

谐振转换器及其他应用 在开关电源中，其他重要的MOS管参数包括输出电容、阈值电压、栅极阻抗和雪崩能量。某些特定拓扑结构，如谐振转换器，会改变这些参数的相关性。谐振转换器通过在VDS或ID过零时进行MOS管开关，从而明显降低开关损耗。这类技术被称为 软开关或零电压/零电流开关技术。在这些拓扑中，由于开关损耗被小化，因此RDS(ON)变得尤为重要。 此外，低 输出电容（COSS）对这两种类型的转换器都有益处。在谐振转换器中，谐振电路的性能主要由变压器的漏电感和COSS决定。同时，在两个MOS管关断的死区时间内，谐振电路需要确保COSS完全放电。而对于传统的降压转换器（硬开关转换器...

SGT技术： 突破传统MOS的性能瓶颈MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是开关电源、逆变器、电机控制等应用的重要开关器件。传统平面MOS和早期沟槽MOS在追求更低导通电阻(Rds(on))和更快开关速度时，往往会面临开关损耗(Qg,Qgd)增大、抗冲击能力下降等矛盾。 商甲半导体采用的SGT结构技术，正是解决这一矛盾的关键： 屏蔽栅极结构：在传统的栅极沟槽结构基础上，创新性地引入了额外的“屏蔽电极”（通常是源极电位）。这一结构能有效屏蔽栅极与漏极之间的米勒电容(Cgd)，大幅降低栅极电荷(Qg,特别是Qgd)。 低栅极电荷(Qg)：降低Qg意味着驱动电路更容...

低压MOS在无人机上的应用优势 1、高效能管理低压 MOS技术具有快速的开关特性和低功耗的特点，能够有效管理无人机的电能，提高能源利用率。在电机驱动、电池管理等方面发挥重要作用，延长飞行时间。 2、热稳定性 具有出色的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定的性能，适用于各种复杂的飞行环境。 针对无刷电机中MOS管的应用，推荐使用商甲半导体低压MOS-SGT系列，其优势： (1)采用SGT工艺，突破性的FOM优化，覆盖更多的应用场景。 (2)极低导通电阻，低损耗，高雪崩耐量，高效率。 (3)可根据客户方案需求，对应器件选型档位，进行支持。 随...

芯片的作用及应用解析 芯片的定义 芯片（Chip）是指一种将多个电子元件（如晶体管、电阻、电容等）通过微缩技术集成在一块小小的半导体材料（通常是硅片）上的微型电子器件。芯片通常用于执行特定的功能，如计算、存储、通信等。 芯片的作用 芯片是现代电子设备的重要部件，承载着处理数据、存储信息和控制外设的功能。芯片的作用可以从以下几个方面来描述： 中央处理单元（CPU）：芯片用于计算机中执行指令，处理数据，是计算机的大脑。 存储芯片（如内存、闪存）：存储数据或指令，为系统提供数据存取能力。 通信芯片：用于实现无线通讯、蓝牙、WiFi等功能的芯片。 ...

如何基于MOSFET的工作电压与电流特性进行选型 一、工作电压选型关键要素 1.确定最大工作电压： 首要任务是精确测量或计算电路在正常及潜在异常工况下，MOSFET漏源极（D-S）可能承受的最大电压。例如，在开关电源设计中，需综合考虑输入电压波动、负载突变等因素。 2.选择耐压等级： 所选MOSFET的额定漏源击穿电压（VDSS）必须高于电路最大工作电压，并预留充足的安全裕量（通常建议20%-30%）。例如，若最大工作电压为30V，则应选择VDSS≥36V（30V×1.2）的器件，以增强抗电压波动和浪涌冲击的能力。 3.评估瞬态电压风险： ...

低压MOS在无人机上的应用优势 1、高效能管理低压 MOS技术具有快速的开关特性和低功耗的特点，能够有效管理无人机的电能，提高能源利用率。在电机驱动、电池管理等方面发挥重要作用，延长飞行时间。 2、热稳定性 具有出色的热稳定性，能够在高温环境下保持稳定的性能，适用于各种复杂的飞行环境。 针对无刷电机中MOS管的应用，推荐使用商甲半导体低压MOS-SGT系列，其优势： (1)采用SGT工艺，突破性的FOM优化，覆盖更多的应用场景。 (2)极低导通电阻，低损耗，高雪崩耐量，高效率。 (3)可根据客户方案需求，对应器件选型档位，进行支持。 随...

MOS管在电源设计中的应用与关键参数解析 MOS管在电源设计中的应用 ◉开关元件和电源输出影响 MOS管在电源设计中的应用很多，其中之一便是作为 开关元件使用。除此之外，它们还对 电源输出产生重要影响。在服务器和通信设备等应用中，通常会配备多个并行电源，以实现 N+1冗余和持续工作能力。这些并行电源通过平均分担负载，确保系统在单个电源故障时仍能保持运行。然而，这种架构需要一种方法将并行电源的输出连接起来，同时确保故障电源不会影响其他电源。在每个电源的输出端，通过使用功率MOS管，可以使多个电源共同分担负载，同时保持彼此的隔离。 ◉ 低RDS（ON）的重要性...

半导体与芯片的主要区别 概念上的区别 半导体：是一种材料，具有特殊的电导特性，能够控制电流的流动。半导体可以单独存在，也可以作为芯片的主要材料使用。 芯片：是由多个电子元器件（包括半导体）组成的微型电子器件，其功能是执行特定的任务，如计算、存储或控制等。 功能上的区别 半导体：半导体本身并不执行具体的任务，而是提供了合适的电子特性，使得各类电子元器件能够工作。 芯片：芯片是由半导体材料制成的，且包含了多个集成的电路和元器件，能够执行特定的任务或功能。 组成与结构上的区别 半导体：通常是单一的材料，如硅、锗等，可以用于制作多个不同种类的电子元件...