外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。[5]当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电...

  晶闸管等元件通过整流来实现。除此之外整流器件还有很多，如：可关断晶闸管GTO，逆导晶闸管，双向晶闸管，整流模块，功率模块IGBT，SIT，MOSFET等等，这里只探讨晶闸管。晶闸管又名可控硅，通常人们都叫可控硅。是一种功率半导体器件，由于它效率高，控制特性好，寿命长，体积小等优点，自上个世纪六十长代以来，获得了迅猛发展，并已形...

  MOS管和IGBT管作为开关元件，在电子电路中会经常出现，它们在外形及特性参数上也比较相似，相信有不少人会疑惑为什么有的电路中需要用到MOS管，而有的却需要用到IGBT管？它们之间有何区别呢？接下来冠华伟业为你解惑！何为MOS管？MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔...

  检波肖特基二极管在电子电路中用来把调制在高频电磁波上的低频信号（如音频信号）检出来。一般高频检波电路选用锗点接触型检波二极管。它的结电容小，反向电流小，工作频率高。6、肖特基二极管的作用及其接法-变容变容肖特基二极管(VaractorDiodes)又称"可变电抗二极管"，是利用pN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的...

  熔断器主要由熔体、外壳和支座3部分组成，其中熔体是控制熔断特性的关键元件。熔体的材料、尺寸和形状决定了熔断特性。熔体材料分为低熔点和高熔点两类。低熔点材料如铅和铅合金，其熔点低容易熔断，由于其电阻率较大，故制成熔体的截面尺寸较大，熔断时产生的金属蒸气较多，只适用于低分断能力的熔断器。高熔点材料如铜、银，其熔点高，不容易熔断，但...

  并且升高的电流有可能损坏电路中的某些重要器件或珍贵器件，也有可能烧毁电路甚至造成火灾。若电路中正确地安置了熔断器，那么，熔断器就会在电流异常升高到一定的高度和一定的时候，自身熔断切断电流，从而起到保护电路安全运行的作用假如电路中安装了断路器就可以不用熔断器，热继电器需要与交流接触器配合使用，因过载时热继电器上的触点断开切断控制...

  TO-220ABTO-220F全塑封MBR20200CT20A,200V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR3045CT30A,45V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR3060CT30A,60V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR30100CT30A,100V,TO-220ABTO-220F全塑封MB...

  所选择的熔断器的额定电流不得小于电容器额定电流的。END半导体器件保护熔断器选用额定电压：快速熔断器的额定电压UN应稍大于快速熔断器熔断后两端出现的故障电路的外加交流电压。若半导体设备的负荷是有源逆变器、逆变型制动的电动机等逆变型负载时，应考虑半导体器件失控等引起设备直流侧短路的可能性，此时快速熔断器熔断时，熔片两端交流电压与...

  DO-201ADMBR340、MBR3100:（3A/40V），DO-201AD轴向MBR735、MBR745:TO-220AC（两脚），7AMBRB735、MBRB745:贴片、TO-263（D2PAK），7AMBR1045、MBR1060:TO-220AC（两脚），10AMBR1045CT、MBR10100CT:TO-22...

  所述功率开关管可通过所述信号地基岛14及所述信号地管脚gnd实现散热。需要说明的是，所述控制芯片12可根据设计需要设置在不同的基岛上。当设置于所述信号地基岛14上时所述控制芯片12的衬底与所述信号地基岛14电连接，散热效果好。当设置于其他基岛上时所述控制芯片12的衬底与该基岛绝缘设置，包括但不限于绝缘胶，以防止短路，散热效果略...

  逆导晶闸管以往的城市电车和地铁机车为了便于调速采用直流供电，用直流开关动作增加或减小电路电阻，改变电路电流来控制车辆的速度。但它有不能平滑起动和加速。开关体积大、寿命短，而且低速运行时耗电大（减速时消耗在启动电阻上）等缺点。自有了逆导晶闸管，采用了逆导晶闸管控制、调节车速，克服了上述缺点，而且还降低了功耗，提高了机车可靠性。晶...

  检波肖特基二极管在电子电路中用来把调制在高频电磁波上的低频信号（如音频信号）检出来。一般高频检波电路选用锗点接触型检波二极管。它的结电容小，反向电流小，工作频率高。6、肖特基二极管的作用及其接法-变容变容肖特基二极管(VaractorDiodes)又称"可变电抗二极管"，是利用pN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的...