所以在自然冷却散热的情况下，整流桥的大部分损耗是通过该引脚把热量传递给PCB板，然后由PCB板扩充其换热面积而散发到周围的环境中去。具体的分析计算如下:1、整流桥表面热阻如图2所示，可以得到整流桥的正向散热面距热源的距离为，背向散热面距热源的距离为，因此忽约其热量在这四个表面的散发，可以得到整流桥正面和背面的传热热阻为:一个二...

  全桥）和三相半波整流桥（半桥）两种。选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。对输出电压要求高的整流电路需要装电容器，对输出电压要求不高的整流电路的电容器可装可不装。根据三相交流电的频率每一周期变化为上关键字：整流电路二极管晶闸管双电压整流电路设计，IGBT模块适用于整流电路吗？双电压整流电路设计，IGBT模块适用于整流电路吗？-不...

  金属引线的一端设置在与管脚连接的导电部件上)，能实现电连接即可，不限于本实施例。需要说明的是，所述整流桥可基于不同类型的器件选择不同的基岛实现，不限于本实施例，任意可实现整流桥连接关系的设置方式均可，在此不一一赘述。如图1所示，在本实施例中，所述功率开关管及所述逻辑电路集成于控制芯片12内。具体地，所述功率开关管的漏极作为所述...

  晶闸管又被称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅。关键字：晶闸管单结晶体管构成晶闸管触发电路用单结晶体管构成的晶闸管触发电路如图1所示，触发电路的有关电压波形如图2所示。与单结晶体管构成弛张振荡电路相比较，电路的振荡部分相同，同步是关键字：单结晶体触发电路晶闸管LittelfuseSIDACtor®保护晶闸管可在高频度浪涌环境中...

  8]2.检测性能好坏。用万用表电阻挡测量红外接收二极管正、反向电阻，根据正、反向电阻值的大小，即可初步判定红外接收二极管的好坏。[8]二极管激光二极管按照检测普通二极管正、反向电阻的方法，即可将激光二极管的管脚排列顺序确定。但检测时要注意，由于激光二极管的正向压降比普通二极管要大，所以检测正向电阻时，万用表指针公略微向右偏转而...

  而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的，又称为FWD（续流二极管）。二者内部结构不同MOSFET的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。IGBT的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。它们的内部结构如下图：二者的应用领域不同MOSFET和IGB...

  那么右边从下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成为反向，它们之间正好是一正一反地并联在一起。我们把这种联接叫做反向并联。因此，从电路功能上可以把它等效成图3(c)，也就是说，一个双向晶闸管在电路中的作用是和两只普通晶闸管反向并联起来等效的。这也正是双向晶闸管为什么会有双向控制导通特性的根本原因。双向晶闸管不象普通晶闸管那样，...

  所选择的熔断器的额定电流不得小于电容器额定电流的。END半导体器件保护熔断器选用额定电压：快速熔断器的额定电压UN应稍大于快速熔断器熔断后两端出现的故障电路的外加交流电压。若半导体设备的负荷是有源逆变器、逆变型制动的电动机等逆变型负载时，应考虑半导体器件失控等引起设备直流侧短路的可能性，此时快速熔断器熔断时，熔片两端交流电压与...

  在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。2、使用可控硅之前，应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时，应立即更换。3、严禁用兆欧表（即摇表）检查元件的绝缘情况。4、电流为5A以上的可控硅要装散热器，并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控硅管心接触良好，它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂，以帮于良好...

  二极管稳压管稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管，具有稳定电压稳压管的作用。稳压管与普通二极管的主要区别在于，稳压管是工作在PN结的反向击穿状态。通过在制造过程中的工艺措施和使用时限制反向电流的大小，能保证稳压管在反向击穿状态下不会因过热而损坏。[4]稳压管与一般二极管不一样，它的反向击穿是可逆的，只要不超过稳压管电流的允...

  送到后级电路中进一步处理。图9-50检波电路输出端信号波形示意图2）检波电路输出信号的平均值是直流成分，它的大小表示了检波电路输出信号的平均幅值大小，检波电路输出信号幅度大，其平均值大，这一直流电压值就大，反之则小。这一直流成分在收音机电路中用来控制一种称为中频放大器的放大倍数（也可以称为增益），称为AGC（自动增益控制）电压...

  容量在150千伏安以上的变压器，按其～2倍的额定电流选择。按此原则，320千伏安以下容量的变压器，高压侧熔丝选择可参照表1。熔丝通过的电流与熔化时间(秒)的关系称为安秒特性。也可根据安秒特性进行熔丝选择，要求高低压熔丝安秒特性曲线的时限阶段大于。熔断器是一种依靠自身能量灭弧的开断电器，因此选择熔断器时还应考虑其额定断流容量，并...