晶闸管等元件通过整流来实现。除此之外整流器件还有很多，如：可关断晶闸管GTO，逆导晶闸管，双向晶闸管，整流模块，功率模块IGBT，SIT，MOSFET等等，这里只探讨晶闸管。晶闸管又名可控硅，通常人们都叫可控硅。是一种功率半导体器件，由于它效率高，控制特性好，寿命长，体积小等优点，自上个世纪六十长代以来，获得了迅猛发展，并已形...

  整流桥在电路中也是非常常见的一种器件，特别是220V供电的设备中，由于220V是交流电，我们一般使用的电子器件是弱电，所以需要降压整流，***和大家谈谈，整流桥在电路中起什么作用？步骤阅读方法/步骤1首先看下整流桥的工作原理，它是由四个二极管组成，对交流电进行整流为直流电。步骤阅读2进过整流桥直接整流过的电压还不够稳定，还需要...

  所述逻辑电路的采样端口作为所述控制芯片12的采样端口cs，高压端口作为所述控制芯片12的高压端口hv，接地端口作为所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12设置于所述采样基岛18上，接地端口gnd连接所述信号地管脚gnd，漏极端口d经由所述漏极基岛15连接所述漏极管脚drain，采样端口cs经由所述采样基岛18连接所述...

  一插片、第二插片之间通过线圈架隔开，可以明显增大爬电距离，从而提高了电气性能和可靠性，提升了产品质量；而且整流桥堆放置在线圈架绕线的不同侧，减少了线圈发热引起整流桥堆损伤或整个绕组的二次损伤。附图说明图1为本实用新型的结构示意图。图2为本实用新型的图。图3为本实用新型线圈架的结构示意图。图4为本实用新型整流桥堆的构示意图。具体...

  晶闸管智能模块模块规格编辑晶闸管智能模块注意事项编辑1、模块电流规格的选取考虑到电网电压的波动和负载在起动时一般都比其额定电流大几倍，且晶闸管芯片抗电流冲击能力较差，建议您在选取模块电流规格时应留出适当裕量。推荐选择如下：阻性负载：模块标称电流应为负载额定电流的2倍。感性负载：模块标称电流应为负载额定电流的3倍。2、导通角要求...

  所述第二插片为两个。推荐的，所述线圈架上设有供所述第二插接片插入的插接槽；通过设置插接槽便于对第二插片进行安装，第二插片插入到插接槽当中，插接槽的内壁对第二插片进行限位。推荐的，所述第二插片侧壁上设有电连凸部，所述整流桥堆一侧设有与所述电连凸部相连的凸出部。推荐的，所述整流桥堆另一侧设有与所述一插片相连的凸部。推荐的，所述线圈...

  整流桥通常是由两只或四只整流硅芯片作桥式连接，两只的为半桥，四只的则称全桥。外部采用绝缘朔料封装而成，大功率整流桥在绝缘层外添加锌金属壳包封，增强散热性能。一、整流桥定义整流桥就是将整流管封在一个壳内了，分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将两个二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一...

  图1所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区（包括P+和P一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannelregion）。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Drai...

  正向导电，反向不导电）晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成了空间电荷层，并且建有自建电场，当不存在外加电压时，因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当产生正向电压偏置时，外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流（...

  所选择的熔断器的额定电流不得小于电容器额定电流的。END半导体器件保护熔断器选用额定电压：快速熔断器的额定电压UN应稍大于快速熔断器熔断后两端出现的故障电路的外加交流电压。若半导体设备的负荷是有源逆变器、逆变型制动的电动机等逆变型负载时，应考虑半导体器件失控等引起设备直流侧短路的可能性，此时快速熔断器熔断时，熔片两端交流电压与...

  全桥）和三相半波整流桥（半桥）两种。选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。对输出电压要求高的整流电路需要装电容器，对输出电压要求不高的整流电路的电容器可装可不装。根据三相交流电的频率每一周期变化为上关键字：整流电路二极管晶闸管双电压整流电路设计，IGBT模块适用于整流电路吗？双电压整流电路设计，IGBT模块适用于整流电路吗？-不...

  ALC电路在录音机、卡座的录音卡中，录音时要对录音信号的大小幅度进行控制，了解下列几点具体的控制要求有助于分析二极管VD1自动控制电路。1）在录音信号幅度较小时，不控制录音信号的幅度。2）当录音信号的幅度大到一定程度后，开始对录音信号幅度进行控制，即对信号幅度进行衰减，对录音信号幅度控制的电路就是ALC电路。3）ALC电路进入...