IXYS艾赛斯MCNA650P2200CA

新能源汽车充电机对整流效率与可靠性要求极高，Ixys 艾赛斯整流桥模块为其提供了高效的前端整流解决方案。充电机中多采用三相整流桥模块，将电网交流电转换为直流电后，再通过 DC-DC 转换器为动力电池充电。模块具备高电流密度特性（可达 5A/mm²），适配快充场景的大电流需求，低导通压降特性降低了整流损耗，使充电机转换效率突破 96%。封装采用耐高温设计，能适应充电机长时间高负载运行的温升环境，且具备良好的抗振动、冲击性能，适配车载或户外充电桩的安装需求。在直流快充桩、车载充电机（OBC）等设备中，整流桥模块确保了充电过程的高效与安全，缩短了充电时间。IXYS艾赛斯模块肖特基模块零反向恢复电荷，低压大电流场景损耗极低。IXYS艾赛斯MCNA650P2200CA

Ixys 艾赛斯肖特基整流桥模块基于金属 - 半导体接触的肖特基势垒原理，具备零反向恢复电荷、低正向导通电压的**优势，从根本上消除了反向恢复损耗，开关速度远超传统 PN 结整流桥。模块采用贵金属（如铂、钯）接触与沟槽结构设计，提升了电流密度与耐高温性能，正向导通电压可低至 0.4V，反向耐压覆盖 50V-1200V，电流等级可达 300A。封装采用紧凑的表面贴装或 MODULE 形式，适配低压大电流场景的小型化设计需求。在 DC-DC 转换器、锂电池充电器、新能源汽车低压电源等场景中，肖特基整流桥模块能***降低电源损耗，提升能量转换效率，是实现高效电源设计的关键器件。IXYS艾赛斯MCNA650P2200CAIXYS艾赛斯模块整流桥模块集成桥式结构，简化AC-DC转换电路设计。

IGBT，即绝缘栅双极型晶体管，是一种复合型电力电子器件。它巧妙地结合了传统 BJT（双极结型晶体管）的高工作电压、大电流容量和低饱和电压的优点，以及 MOSFET（金属 - 氧化物半导体场效应晶体管）的快速开关特性。在 Ixys 艾赛斯 IGBT 模块中，当给栅极施加适当电压时，通过电场效应形成导电沟道，使模块导通，电流得以顺利通过；而当栅极电压去除，导电沟道消失，模块截止，电流阻断。这种基于电压控制的导通与截止机制，让 IGBT 模块在电力电子电路中能够高效地实现电能的转换与控制。

Ixys 艾赛斯可控硅模块采用先进的封装技术保障性能发挥，主流封装包括平板型（Press-Pack）与模块型（Module）。平板型封装通过压力接触实现芯片与散热片的紧密连接，导热效率高，且具备优异的抗振动性能，适配大功率场景；模块型封装则采用直接铜键合（DCB）载板，陶瓷绝缘层导热系数达 200W/(m・K)，配合优化的内部布局，快速导出芯片热量。部分*端型号集成温度传感器与电流检测元件，便于实时监控模块状态。封装材料采用阻燃环氧树脂与无氧铜，通过 UL 与 IEC 认证，在 - 40℃至 125℃环境中稳定工作，兼顾电气安全与机械可靠性。Ixys艾赛斯场效应管栅极驱动功耗低，搭配简易驱动电路即可稳定运行，降低设计成本。

快恢复二极管（FRD）模块是 Ixys 艾赛斯的**产品系列之一，以极短的反向恢复时间为***优势。其反向恢复时间可低至几十纳秒，能快速响应电路中的电流方向变化，有效抑制开关过程中产生的浪涌电压与电磁干扰。该模块采用先进的外延工艺与薄晶圆技术，在实现快速恢复特性的同时，兼顾了低正向导通电压与高反向击穿电压，电压等级覆盖 600V-6500V，电流范围从几十安到数百安。无论是高频逆变器还是开关电源，FRD 模块都能通过减少开关损耗，***提升系统效率，尤其适配对响应速度要求严苛的高频应用场景。Ixys艾赛斯IGBT封装集成高效散热基板，结温耐受度高，可在-40℃至175℃环境稳定工作。IXYS艾赛斯MCNA650P2200CA

Ixys艾赛斯以先进半导体技术为基石，艾赛斯在功率控制领域积累了数十年的专业经验。IXYS艾赛斯MCNA650P2200CA

可控硅（SCR）作为典型的半控型功率半导体器件，Ixys 艾赛斯将其模块化封装后，成为中高功率电力控制领域的**组件。该模块以 PNPN 四层结构为基础，通过栅极触发信号实现导通控制，导通后即使撤去触发信号仍能维持导通状态，*当电流降至维持电流以下或施加反向电压时才截止。相较于分立可控硅，Ixys 模块通过多芯片集成与优化封装，实现了更高的功率密度、更均衡的电流分布及更优的散热性能，电压等级覆盖 400V-6500V，电流范围从 50A 至 3000A，专为工业调速、电力整流、电机控制等大功率场景设计，是实现电能精确调控的关键器件。IXYS艾赛斯MCNA650P2200CA