IXYS艾赛斯MDD220-08N1

Ixys 艾赛斯模块为新能源发电提供从发电端到并网端的全链条解决方案。光伏领域，组串式逆变器采用超级结 MOS 管模块与快恢复二极管模块，实现 98.5% 以上的转换效率；集中式逆变器则配套 6500V IGBT 模块，适配高电压输入场景。风电领域，变桨系统使用 IGBT 模块控制叶片角度，变流器采用可控硅 + 整流桥复合模块，实现风能向电能的高效转换。此外，储能系统中广泛应用肖特基二极管模块与 MOS 管模块，保障充放电过程的低损耗与高可靠性，为 “风光储” 一体化提供**器件支撑。艾赛斯深耕功率半导体领域，致力于推动能源高效利用与绿色发展。IXYS艾赛斯MDD220-08N1

门极可关断可控硅（GTO）模块是 Ixys 艾赛斯面向高性能电力控制场景的**产品，突破了传统可控硅*能通过电流或电压自然关断的限制，可通过在栅极施加反向触发信号实现主动关断。其采用特殊的掺杂工艺与多层结构设计，关断时间短至数微秒，电流关断增益可达 5-10，且具备高耐压、大电流特性，电压等级*高达 6500V，电流可达 3000A。在高压直流输电（HVDC）、无功功率补偿（SVC）、大功率逆变器等场景中，GTO 模块的主动关断能力使电力系统的控制更灵活、响应更迅速，***提升了系统的动态性能与运行稳定性。IXYS艾赛斯MDD220-08N1Ixys艾赛斯整流桥采用玻璃钝化芯片，反向漏电流极小，提升整流电路的稳定性与效率。

电力系统中无功功率失衡会导致电压波动、功率因数降低，影响电网稳定性与供电质量，Ixys 艾赛斯可控硅模块在静止无功补偿器（SVC）中实现动态无功调节。SVC 通过可控硅模块控制电抗器与电容器的投切，当电网无功不足时，投入电容器提供容性无功；当无功过剩时，投入电抗器吸收感性无功。模块的快速触发与关断特性（响应时间＜10ms）确保了无功补偿的实时性，可跟随电网负荷变化动态调整无功输出，使功率因数维持在 0.95 以上。在钢铁厂、变电站、新能源电站等场景，该模块提升了电网稳定性，降低了输电损耗与电费成本。

在医疗设备领域，对电气设备的稳定性、可靠性和安全性要求极高，Ixys 艾赛斯 IGBT 模块恰好满足了这些严格要求。例如在一些大型医疗影像设备中，如磁共振成像（MRI）设备和计算机断层扫描（CT）设备，需要高精度、高稳定性的电源供应来保证设备的正常运行和图像质量。Ixys 艾赛斯 IGBT 模块能够精确控制电源的输出，为设备提供稳定的电力，确保成像过程的顺利进行，帮助医生获取清晰、准确的影像信息，从而为疾病诊断提供有力依据。在生命支持设备中，其可靠性更是关乎患者的生命安全，保障了设备的不间断运行。Ixys艾赛斯整流桥封装内置高效散热结构，结温耐受度高，可在高温工业环境长期稳定工作。

不间断电源（UPS）在现代社会中至关重要，尤其是在数据中心、通信基站等对电力连续性要求极高的场所。Ixys 艾赛斯 IGBT 模块是 UPS 备用系统的**部件之一。当市电正常时，模块协助 UPS 对电池进行充电管理，确保电池处于良好状态；而当市电突然中断，模块能够迅速切换工作模式，将电池中的直流电转换为交流电，为负载提供持续稳定的电力供应。其快速的开关响应速度和高可靠性，保证了在市电中断的瞬间，负载设备不会因断电而受到损害，有效避免了数据丢失、通信中断等严重后果，保障了关键业务的连续性和稳定性。Ixys艾赛斯其器件凭借优异性能，成为新能源汽车、光伏储能等领域的*选组件。IXYS艾赛斯MDD220-08N1

艾赛斯始终以客户为中心，提供从产品到技术支持的全链条服务。IXYS艾赛斯MDD220-08N1

双向可控硅模块是 Ixys 艾赛斯针对交流控制场景开发的特色产品，相当于两个反向并联的单向可控硅共享一个栅极，可在交流电压的正负半周均实现导通控制。其采用对称的芯片结构设计，确保正负半周的导通特性一致，触发方式灵活，既可用交流信号触发，也可用直流信号触发，导通角调节范围宽达 0-180°。电压等级覆盖 400V-1200V，电流从 20A 到 500A，封装紧凑且具备良好的散热性能。在交流电机调速、电炉温度控制、家用 appliances 功率调节等场景中，双向可控硅模块无需复杂的换向电路即可实现交流电能的精确控制，简化了系统设计。IXYS艾赛斯MDD220-08N1