常州电子元器件MOSFET规格书

商甲半导体的MOS管产品线展现出的综合优势：

高效：低Rds(on)与低Qg的完美结合，使得器件在导通损耗和开关损耗上都达到优异水平，提升系统效率，满足日益严苛的能效标准

。运行能力：优异的开关特性使其非常适合于LLC谐振转换器、同步整流、高频DC-DC变换器等需要数百kHz甚至MHz级开关频率的应用场景，助力实现电源小型化、轻量化。

热性能：低损耗直接转化为更低的温升，结合优化的封装热阻(Rthja)，提升了功率密度和长期运行可靠性。

强大的鲁棒性：良好的雪崩耐量(Eas)和抗冲击能力，确保器件在浪涌、短路等异常情况下具有更高的生存概率。

国产供应链保障：公司运营为Fabless模式，芯片自主设计并交由芯片代工企业进行代工生产，其后委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试，自主销售。商甲半导体提供稳定可靠的供货保障，助力客户降低供应链风险，推动功率元器件国产化进程。 电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）：MOSFET用于电池管理系统、电机驱动和车载充电器。常州电子元器件MOSFET规格书

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。

主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。 安徽电子元器件MOSFET联系方式商甲半导体的MOSFET是汽车电子中的重要元器件。

SOP（SmallOut-LinePackage）的中文释义为“小外形封装”它属于表面贴装型封装技术，其引脚设计呈海鸥翼状（L字形），从封装两侧引出。这种封装方式可使用塑料或陶瓷两种材料。此外，SOP也被称为SOL和DFP。2、SOP封装标准涵盖了SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等多种规格，其中数字部分表示引脚数量。在MOSFET的封装中，SOP-8规格被采用，且业界常将P*部分省略，简称为so（SmallOut-Line）。

SO-8采用塑料封装，未配备散热底板，因此散热效果一般，主要适用于小功率MOSFET。

SO-8封装技术初由PHILIP公司开发，随后逐渐演变为TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）以及TSSOP（薄的缩小型SOP）等标准规格。

MOSFETQ简称MOS，是一种绝缘栅型场效应管。按照类别可以分为增强型mos管和耗尽型mos管。

导电沟道的形成方式

增强型MOS管:在没有外加电压时，源极和漏极之间没有导电沟道存在。只有当栅极电压达到一定阈值时，才能在源极和漏极之间形成导电沟道，使电流得以流通。

耗尽型MOS管:在制造过程中，源极和漏极之间的衬底中已经掺入了杂质或改变了材料结构，使得在没有外加电压时就已经存在导电沟道。无论栅极电压如何变化，只要源极和漏极之间存在电位差，就会有电流流通。

输入阻抗:

增强型MOS管:具有高输入阻抗，适合用于需要高输入阻抗的电路。

耗尽型MOS管:具有低输入阻抗，适合用于需要低输入阻抗的电路。

应用范围:

增强型MOS管:广泛应用于数字集成电路和大多数应用中，因其具有高输入阳抗和低噪声的特点

耗尽型MOS管:通常用于功率放大器等特殊应用，因其具有响应速度快和驱动能力强的特点。 商甲半导体40V产品主要用于无人机、BMS、电动工具、汽车电子。

MOS管选型指南

选择合适品牌

市场中有不同品牌和类型的MOS管，选择时需平衡品牌质量与成本。在市场上，欧美系企业的产品种类齐全，技术及性能也很出色，因此常常成为优先。日系品牌，如瑞萨和东芝，也以其品质和竞争优势在市场上占据一席之地，但价格相对较高。

国内企业价格更为亲民，性价比相对较高，因此也受到不少客户的青睐。

中国大陆的本土企业则凭借低成本优势和快速响应的客户服务，在中低端及细分领域展现出强大的竞争力。商甲半导体实现了国产替代，并不断向高产品线发起挑战，以满足本土客户的需求。 MOSFET用于直流电机的速度和方向控制，例如在电动工具、机器人和汽车电子中。北京20V至100V N+P MOSFET电子元器件MOSFET

MOSFET用于电脑、服务器的电源--更低的功率损耗。常州电子元器件MOSFET规格书

NMOS:NMOS是一种N型场效应管，具有N型沟道和P型衬底。其工作原理是通过在栅极(G)和源极(S)之间施加正向电压，使得P型衬底中的自由电子被吸引到栅极下方的区域，形成N型导电沟道，从而使漏极(D)和源极(S)之间导通。NMOS的导通条件是栅极电压高于源极电压一定值(即栅极阈值电压)。

PMOS:PMOS是一种P型场效应管，具有P型沟道和N型衬底。其工作原理与NMOS相反，通过在栅极(G)和源极(S)之间施加反向电压，使得N型衬底中的空穴被吸引到栅极下方的区域，形成P型导电沟道，从而使漏极(D)和源极(S)之间导通。PMOS的导通条件是栅极电压低于源极电压一定值(即栅极阈值电压)。

NMOS和PMOS的优缺点

NMOS:响应速度快，导通电阻低，价格相对较低，型号多。但在驱动中，由于源极通常接地，可能不适合所有应用场景。常用于控制灯泡、电机等无源器件，特别是在作为下管控制时更为常见。

PMOS:在驱动中较为常见，因为源极可以接电源，但存在导通电阻大、价格贵、替换种类少等问题。常用于控制芯片等有源器件特别是在作为上管控制时更为常见，以避免通信混乱和电流泄等问题。 常州电子元器件MOSFET规格书