广西PD 快充电子元器件MOSFET

选择MOS管的指南

评估热性能

选定额定电流后，还需计算导通损耗。实际中，MOS管并非理想器件，导电时会产生电能损耗，即导通损耗。这一损耗与器件的导通电阻RDS(ON)相关，并随温度明显变化。设计者需评估MOS管的热性能，包括差情况下的散热能力，同时需要考虑结温和热阻。

功率损耗PTRON可通过公式Iload2×RDS(ON)计算（Iload表示大直流输出电流）。由于导通电阻受温度影响，功率损耗也会相应变化。此外，施加的电压VGS与RDS(ON)呈反比，即电压越高，RDS(ON)越小；反之亦然。

无锡商甲半导体有限公司是功率半导体设计公司,专业从事各类高性能MOS、IGBT、SIC产品的研发、生产与销售。广西PD 快充电子元器件MOSFET

MOS应用领域

BMS

在电动汽车产品中，BMS系统用于确保电池组的性能和安全性，监控电池的电压、电流、温度等参数，以防止过充或过放，从而延长电池寿命并保持安全。‌MOS管在BMS系统的电池充放电过程中，它会根据BMS的指令，控制电流的大小和通断。充电时，当电池充满后，MOS管会及时切断充电回路，防止过充，放电时，当电池电量低到一定程度时，MOS管会切断放电回路，防止过度放电‌。当电路遇到线路短路或电流突然过大的情况时，MOS管会迅速反应切断电路，防止电池组因电流过大而发热、损坏，这种快速响应的特性使得MOS管成为BMS中的重要安全卫士。在新能源电动车里面，通常，电池组由多个单体电池组成，随着时间的推移，单体电池之间可能会出现电量不均衡的情况。MOS管通过其开关特性，可以实现电池组的均衡管理，确保每个电池都能得到适当的充电和放电，从而延长电池组的使用寿命和稳定性‌。 长宁区质量电子元器件MOSFET商甲半导体80-250V产品主要用于低压系统新能源汽车、马达驱动、逆变器、储能、BMS、LED。

SOP（SmallOut-LinePackage）的中文释义为“小外形封装”它属于表面贴装型封装技术，其引脚设计呈海鸥翼状（L字形），从封装两侧引出。这种封装方式可使用塑料或陶瓷两种材料。此外，SOP也被称为SOL和DFP。2、SOP封装标准涵盖了SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等多种规格，其中数字部分表示引脚数量。在MOSFET的封装中，SOP-8规格被采用，且业界常将P*部分省略，简称为so（SmallOut-Line）。

SO-8采用塑料封装，未配备散热底板，因此散热效果一般，主要适用于小功率MOSFET。

SO-8封装技术初由PHILIP公司开发，随后逐渐演变为TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）以及TSSOP（薄的缩小型SOP）等标准规格。

商甲半导体的MOS管产品线展现出的综合优势：

高效：低Rds(on)与低Qg的完美结合，使得器件在导通损耗和开关损耗上都达到优异水平，提升系统效率，满足日益严苛的能效标准

。运行能力：优异的开关特性使其非常适合于LLC谐振转换器、同步整流、高频DC-DC变换器等需要数百kHz甚至MHz级开关频率的应用场景，助力实现电源小型化、轻量化。

热性能：低损耗直接转化为更低的温升，结合优化的封装热阻(Rthja)，提升了功率密度和长期运行可靠性。

强大的鲁棒性：良好的雪崩耐量(Eas)和抗冲击能力，确保器件在浪涌、短路等异常情况下具有更高的生存概率。

国产供应链保障：公司运营为Fabless模式，芯片自主设计并交由芯片代工企业进行代工生产，其后委托外部封装测试企业对芯片进行封装测试，自主销售。商甲半导体提供稳定可靠的供货保障，助力客户降低供应链风险，推动功率元器件国产化进程。 无刷直流电机具有广泛的应用领域，如电动工具、风机、吸尘器、电风扇、电动自行车、电动汽车等.

MOSFET的三个关键电极各具特色：栅极（Gate）作为控制电极，通过调节电压来操控源极和漏极之间导电沟道的通断；源极（Source）作为载流子的“供应者”，为导电沟道提供起点；漏极（Drain）作为载流子的“排放口”，为电流的流动提供终点。栅极、源极和漏极分别作为控制、输入和输出端，在电路中发挥重要作用。

通过电场效应调节导电沟道，MOSFET实现了快速、低能耗的电流控制。这种技术不仅能实现对电流的精细调节，还保证了其极高的开关速度和效率，为现代芯片的大规模集成和高速运算提供了重要保障。

MOSFET几乎无处不在，支撑着数字运算、能量转化和模拟信号处理。它在CPU、内存、逻辑芯片以及多种电子设备中多运用，堪称现代科技的基石。其现代科技中的应用支撑着数字运算、能量转化和模拟信号处理，从智能手机到电动汽车，MOSFET无处不在，发挥着不可替代的作用。 在变频器和逆变器中，MOSFET用于控制交流电机的速度和扭矩.新能源电子元器件MOSFET晶圆

商甲半导体有限公司运营为Fabless模式，芯片自主设计并交由芯片代工企业进行代工生产。广西PD 快充电子元器件MOSFET

MOS管选型指南

评估开关性能

开关性能受栅极电容影响，影响导通和关闭过程中的损耗。在选择MOS管时，后一步是考察其开关性能。开关性能受到多个参数的影响，其中重要的是栅极/漏极、栅极/源极以及漏极/源极电容。这些电容在每次开关时都需要充电，从而产生开关损耗，降低器件的效率。特别需要注意的是，栅极电荷（Qgd）对开关速度的影响**为明显。

为评估MOS管的开关性能，设计者需分别计算开通过程和关闭过程中的损耗。开通过程中的损耗记为Eon，而关闭过程中的损耗则为Eoff。基于这两个关键参数，我们可以进一步推导出MOS管在开关过程中产生的总功率损耗， 广西PD 快充电子元器件MOSFET