深圳市方瑞科技有限公司2026-06-18
InSb在氧等离子体中容易氧化脱锑,导致暗电流增大。方瑞科技采用纯氢气等离子体和低温工艺,以还原环境去除光刻胶,处理后表面XPS显示In/Sb比例不变,探测器探测率保持率99%。方瑞科技为红外探测器客户提供低损伤去胶方案。
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