深圳市方瑞科技有限公司2026-05-20
等离子刻蚀机可以刻蚀氧化镓,这是超宽禁带半导体材料。使用BCl₃/Ar或Cl₂/Ar气体体系,在高射频偏压下进行反应离子刻蚀。方瑞科技的PE-200刻蚀机对Ga₂O₃的刻蚀速率可达200-400 nm/min,侧壁光滑,对掩模选择比高。刻蚀后表面粗糙度低,适合功率器件台面隔离和沟槽蚀刻。方瑞科技提供Ga₂O₃刻蚀工艺开发服务。
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