等离子刻蚀机在锗硅异质结双极晶体管制造中如何控深？

深圳市方瑞科技有限公司2026-06-09

在GeSi HBT工艺中需要精确刻蚀基区窗口。方瑞科技的PE-200刻蚀机采用傅里叶变换红外原位终点监测，结合<1nm/s的超慢刻蚀速率模式，刻蚀深度误差≤±2nm。设备还具备多步刻蚀-钝化程序，避免锗硅层富锗损伤。方瑞科技已为多家射频芯片企业开发完整工艺包。

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简介：专注于等离子设备的研发、生产和销售，服务于半导体、汽车、电子等多个行业，产品远销全球。

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