几种测试方法有助于这一评级,其中许多电化学可靠性测试方法都适用于助焊剂。(注:对于J-STD-004B中规定的锡膏助焊剂或含芯焊锡线的助焊剂,有些方法可能略有不同)。设计特征和工艺验证对于准备制造一个新的PCB组件非常关键。这将包括调查来料、开发适当的焊接工艺参数、并**终敲定一个经过很多步骤验证的典型的PCB组件。这将花费比用于验证每个组装过程多得多的时间。本文将重点讨论工艺验证步骤中应该进行的测试,助焊剂特性测试IPC要求焊接用的所有助焊剂都按照J-STD-004(目前在B版中)_进行分类。这份标准概述了助焊剂的基本性能要求和用于描述助焊剂在焊接过程中和组装后在环境中与铜电路的反应的行业标测试方法。一旦经过测试,就可以使用诸如“ROL0”之类的代码对助焊剂进行分类。该代码表示助焊剂基础成分、活性水平和卤化物的存在。以ROL0为例,它表示:助焊剂是松香基,低活性等级,此助焊剂不含卤化物。防止发生离子迁移故障的一个重要措施当然是要保持使用环境的干燥。SIR绝缘电阻测试分析
当一个较小的偏置电压不能有效地区别更多不同的耐CAF材料和制程时,更高的偏置电压由于会线性地影响失效时间,应该被避免采用。这是因为过高的偏置电压会抵消掉相对湿度的影响,而相对湿度由于局部加热的原因是非常重要的失效机制部分。LK_ling:因为阳极导电丝是很细的,很容易被破坏掉。当50%的部分已经失效了,测试即可停止。当CAF发生时,电阻偏小,施加到CAF失效两端的电压会下降。当测试网络的阻值接近限流电阻的阻值时,显得尤为明显。所以在整个测试过程中,并不需要调整电压。9、500个小时的偏置电压后(一共596个小时),像之前一样重新进行绝缘电阻的测量。10、在500小时的偏压加载后,可以进行额外的T/H/B条件。然而,**少要进行500小时加载偏置电压的测试,来作为CAF测试的结果之一。贵州SIR表面绝缘电阻测试方法测试配置灵活:每块模块可设置不同的测试电压,可同时完成多工况测试。
01电化学迁移测试技术特点1、专业的设备:采用行业占有率比较高的主流进口设备,采样速度更快,漏电捕捉精细,电阻测量精度高。2、专业的工程技术能力支持:除能为客户提供专业的试验评估外,还具备针对测试失效品的专业级失效分析能力,可实现一站式打包服务。3、可灵活地同温湿度环境试验箱,HAST箱,PCT等设备配合测试。某些国际**汽车电子大厂要求其不同供应商,使用不同工艺,不同材质的PCB光板,每一种类型全部需要通过电化学迁移测试才能获得入门资格。
CAF产生的原因:1、原料问题1)树脂身纯度不良,如杂质太多而招致附著力不佳;2)玻纤束之表面有问题,如耦合性不佳,亲胶性不良;3)树脂之硬化剂不良,容易吸水;4)胶片含浸中行进速度太快;常使得玻纤束中应有的胶量尚未全数充实填饱造成气泡残存。CAF形成过程:1、常规FR4P片是由玻璃丝编辑成玻璃布,然后涂环氧树脂半固化后制成;2、树脂与玻纤之间的附著力不足,或含浸时亲胶性不良,两者之间容易出现间隙;3、钻孔等机械加工过程中,由于切向拉力及纵向冲击力的作用对树脂的粘合力进一步破坏;4、距离较近的两孔若电势不同,则正极部分铜离子在电压驱动下逐渐向负极迁移。选择智能电阻时,用户需要考虑精度和稳定性。
电阻值的测定时间可设定范围是:CAF系统的单次取值电阻测定时间范围1-600分钟可设置,单次取值电阻测定电压稳定时间范围1-600秒可设置,完成多次取值电阻测定时间1-9999小时可设置。电阻测试范围1x104-1x1014Ω,电阻测量精度:1x104-1x1010Ω≤±2%,1x1010-1x1011Ω≤±5%1x1011-1x1014Ω≤±20%,广州维柯信息技术有限公司多通道SIR/CAF实时监控测试系统测量电流的设定:使用低阻SIR系统测样品导通性时可以设置测量电流范围0.1A~5A。使用高阻CAF系统测样品电阻时测量电流是不用设置,需设置测量电压,因为仪器恒压工作测量漏电流,用欧姆定理计算电阻值。离子迁移的表现可以通过表面绝缘电阻(SIR)测试电阻值显现出来。广东表面绝缘电阻测试注意事项
HAST测试是目前所有半导体公司等行业对芯片等器件测试的标准测试之一。SIR绝缘电阻测试分析
线路板表面的每一种材料都有可能是电迁移产生的影响因素:无论是线路板材料和阻焊层、元器件的清洁度,还是制板工艺或组装工艺产生的任何残留物(包括助焊剂残留物)。由于这种失效机制是动态变化的,理想状况是对每种设计和装配都进行测试。但这是不可行的。这就提出了一个问题:如何比较好地描述一个组件的电化学迁移倾向。表面电子组件的电化学迁移的发生机理取决于四个因素:铜、电压、湿度和离子种类。当环境中的湿气在电路板上形成水滴时,能够与表面上的任何离子相互作用,使离子沿着电路板表面移动。离子与铜发生反应,它们在电压的作用下,被推动着在铜电路之间迁移。这通常被总结为一系列步骤:水吸附、阳极金属溶解或离子生成、离子积累、离子迁移到阴极和金属枝晶状生长。SIR绝缘电阻测试分析