广西SIR和CAF表面绝缘电阻测试系统

电阻值的测定时间可设定范围是：CAF系统的单次取值电阻测定时间范围1-600分钟可设置，单次取值电阻测定电压稳定时间范围1-600秒可设置，完成多次取值电阻测定时间1-9999小时可设置。电阻测试范围1x104-1x1014Ω，电阻测量精度：1x104-1x1010Ω≤±2%，1x1010-1x1011Ω≤±5%1x1011-1x1014Ω≤±20%，广州维柯信息技术有限公司多通道SIR/CAF实时监控测试系统测量电流的设定：使用低阻SIR系统测样品导通性时可以设置测量电流范围0.1A~5A。使用高阻CAF系统测样品电阻时测量电流是不用设置，需设置测量电压，因为仪器恒压工作测量漏电流，用欧姆定理计算电阻值。CAF测试——电路板离子迁移测试的有效方法！广西SIR和CAF表面绝缘电阻测试系统

铜镜实验IPC-TM-650方法_2.3.32用来测试未加热的助焊剂如何与铜反应，也叫做助焊剂诱发腐蚀测试。本质上讲，就是滴一滴定量的助焊剂到涂敷了一层铜膜的玻璃片上，然后在特定环境中放置一段时间。这个环境接近室温环境，相对湿度是50%。24小时后清理掉助焊剂，并在白色背景下观察铜膜被腐蚀掉多少。腐蚀穿透铜膜的程度决定了助焊剂的活性等级，通常用L、M和H表示。铜板腐蚀实验IPC-TM-650方法2.6.15是用来测试极端条件下，助焊剂残留物对铜的腐蚀性。助焊剂和焊料在铜板上加热直到形成焊接。然后把铜板放置在一个温度为40°C的潮湿环境，这样可以加速助焊剂残留物和铜可能发生的反应。铜板需要在测试前和测试后仔细检查其表面颜色的变化来确定是否有腐蚀的迹象。观察结果通常可以用L、M和H来表示腐蚀性的等级。湖北pcb板电阻测试价格其中作为阳极的一方发生离子化并在电场作用下通过绝缘体向另一边的金属（阴极）迁移。

当PCB受到离子性物质的污染、或含有离子的物质时，在高温高湿状态下施加电压，电极在电场和绝缘间隙存在水分的共同作用下，离子化金属向相反的电极间移动（阴极向阳极转移），相对的电极还原成本来的金属并析出树枝状金属的现象（类似锡须，容易造成短路），这种现象称为离子迁移。当存在这种现象时，表面绝缘电阻（SIR）测试可以通过电阻值显现出来。测试方法通常是认证助焊剂在裸铜板上的表现，但是NiAu和HASL工艺的残留物对PCB表面的漏电有一定影响。HASL工艺使用的助焊剂中的乙二醇会被环氧基板编织布所吸收，增强基板的吸水性。己经有一些案例说明NiAu的金属层会增电化学迁移的趋势。表面涂层的影响取决于表面涂层所用的助焊剂和化学剂。

另一方面，工艺的优化和控制可能会遗漏一些关键的失效来源。其次，由于组件处于生产过程中，无法实时收集结果。根据测试方法的不同，测试时间**少为72小时，**多为28天，这使得测试对于过程控制来说太长了。从而促使制造商寻求能快速有效地表征电化学迁移倾向的测试方法，以控制组装工艺。几十年来，行业标准一直认为SIR测试是比较好的方法。然而，在实践中，这种方法有一些局限性。首先，它是在标准梳状测试样板上进行的，而不是实际的组装产品。根据不同的PCB表面处理、回流工艺条件、处理工序等，需要进行**的测试设置。而且测试方法的选择，可能需要组装元器件，也可能不需要。由于和助焊剂分类有关，这些因素的标准化是区分可比较的助焊剂类别的关键。随技术的发展电子产品的集成度越来越高，电路板（PCB/PCBA）上的元件也越来越密集。

无论使用何种助焊剂，总会在焊接后的PCB及焊点上留下或多或少的残留物，这些残留物不仅影响PCBA的外观，更可怕的是构成了对PCB可靠性的潜在威胁；特别是电子产品长时间在高温潮湿条件下工作时，残留物便可能导致线路绝缘老化以及腐蚀等问题，进而出现绝缘电阻（SIR）下降及电化学迁移（ECM）的发生。随着电子行业无铅化要求的***实施，相伴锡膏而生的助焊剂也走过了松香（树脂）助焊剂、水溶性助焊剂到******使用的免洗助焊剂的发展历程，然而其残留物的影响始终是大家尤为关心的方面[1]-[4]。HAST是High Accelerated Stress Test,是加速高温高湿偏压应力测试，是通过对样品施加高温高压高湿应力。广西SIR和CAF表面绝缘电阻测试系统

表面绝缘电阻（SIR）测试是通过在高温高湿的环境中持续给予PCB一定的偏压，经过长时间的试验。广西SIR和CAF表面绝缘电阻测试系统

半导体分立器件∶二极管、三极管、场效应管、达林顿阵列、半导体光电子器件等;被动元件：电阻器;电容器;磁珠;电感器;变压器;晶体振荡器;晶体谐报器;继电器;电连接器;开关及面板元件;电源模块：滤波器、电源模块、高压隔离运放、DC/DC、DC/AC；功率器件：功率器件、大功率器件；连接器：圆形连接器、矩形，印刷版插座等。元器件筛选覆盖标准：GJB7243-2011军电子元器件筛选技术要求；GJB128A-97半导体分立器件试验方法；GJB360A-96电子及电⽓元件试验方法；GJB548B-2005微电子器件试验方法和程序；GJB40247A-2006军电子元器件破坏性物理分析方法；QJ10003—2008进⼝元器件筛选指南；MIL-STD-750D半导体分立器件试验方法；MIL-STD-883G；广西SIR和CAF表面绝缘电阻测试系统