MR)等在高温中气相化学反应(热分解,氢还原、氧化、替换反应等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔点金属、金属、半导体等薄膜方法。因只在高温下反应故用途被限制,但由于其可用领域中,则可得致密高纯度物质膜,且附着强度很强,若用心控制,则可得安定薄膜即可轻易制得触须(短纤维)等,故其应用范围极广。热CVD法也可分成常压和低压。低压CVD适用于同时进行多片基片的处理,压力一般控制在。作为栅电极的多晶硅通常利用HCVD法将SiH4或Si2H。气体热分解(约650oC)淀积而成。采用选择氧化进行器件隔离时所使用的氮化硅薄膜也是用低压CVD法,利用氨和SiH4或Si2H6反应面生成的,作为层间绝缘的SiO2薄膜是用SiH4和O2在400--4500oC的温度下形成SiH4+O2-SiO2+2H2或是用Si(OC2H5)4(TEOS:tetraethoxysilanc)和O2在750oC左右的高温下反应生成的,后者即采用TEOS形成的SiO2膜具有台阶侧面部被覆性能好的优点。前者,在淀积的同时导入PH3气体,就形成磷硅玻璃(PSG:phosphorsilicateglass)再导入B2H6气体就形成BPSG(borro?phosphorsilicateglass)膜。这两种薄膜材料,高温下的流动性好,***用来作为表面平坦性好的层间绝缘膜。外筒体4顶端与中心加热筒2顶端位于同一平面。PA6010-PCC10A加热板价格
本发明的第二个实施例:和***实施例相比之下,第二实施例的特点是在中心点o处增加了封闭的热环5。实际如图5所示,所有加热片中心的自由端与封闭的热环5固定连接;对于热环5的形状可以是椭圆形构造,为了确保电阻阻值的一致,加热片需固定到椭圆形热环5轴对称位置。但是,如果所述热环5的形状是圆形,则热环5只需等间距分布即可。进一步地,所述加热片的数目是两组,包括:***加热片6和第二加热片7;所述***加热片6的***迂回端61和第二加热片7的第二迂回端71彼此纵横组成曲折的留置区8。所述中心点o设有热环5且热环5与两组加热片连通的自由端分别通过***电极91和第二电极92的与电源连接。固定到环形或圆形的热环5的加热片不仅可以安定加热片的间距,同时还可以限制加热板的总体构造,不会让局部变形影响总体;进而化解了疑问一;而总体的环形热环5可以不需要在加热板中心安装电源,可以保证加热板中心的热源温度平稳,同时结合实际推行例一,也可以化解技术疑问二和技术疑问三。MSA FACTORYPA3010-PCC10A加热板在高温下加热器周围形成油脂或石灰石,从而降低热导率、缩短加热器的寿命、增大耗电率。
为了保证测控精度,采用红外线温度测控模块作为温度测控模块。图1是本发明实施例的结构原理示意图;图2是未采用本发明技术方案的温度与时间关系示意图;图3为采用本发明技术方案的温度与时间关系示意图。具体实施例方式下面结合附图和实施例对本发明技术方案进一步说明如图1、图2和图3所示,本发明提供一种精确控温的高频加热装置,包括有对物件进行升温的高频机1,监测物件温度并反馈正比电压信号的美国雷泰红外线温度测控模块2和接收电压信号并控制高频机输出功率的信号调理模块3.采用上述精确控温高频加热装置的方法,包括如下步骤第一步,开始高频加热,高频机1满负荷加热升温,美国雷泰红外线温度测控模块2监测物件温度,当物件温度距目标温度80120°C时,改为动态功率加热;第二步,美国雷泰红外线温度测控模块2根据不同温度,反馈与温度成正比的电压值,信号调理模块3根据电压值的大小反比例调节高频机1的功率输出,使其越接近目标温度,输出功率越小;第三步,信号调理模块3动态调节高频机1的功率输出,物件温度保持在目标温度值的士5°C的范围内。本申请人在未采用上述高频加热温度控制装置及方法时,连续生产过程中测试分析数据。
是在晶圆的正面贴一层膜保护已经制作好的集成电路,然后通过研磨机来进行减薄。晶圆背面研磨减薄后,表面会形成一层损伤层,且翘曲度高,容易破片。为了解决这些问题,需要对晶圆背面进行湿法硅腐蚀,去除损伤层,释放晶圆应力,减小翘曲度及使表面粗糙化。使用槽式的湿法机台腐蚀时,晶圆正面及背面均与腐蚀液接触,正面贴的膜必须耐腐蚀,从而保护正面的集成电路。使用单片作业的湿法机台,晶圆的正面通常已被机台保护起来,不会与腐蚀液或者腐蚀性的气体有接触,可以撕膜后再进行腐蚀[3]。晶圆除氮化硅此处用干法氧化法将氮化硅去除晶圆离子注入离子布植将硼离子(B+3)透过SiO2膜注入衬底,形成P型阱离子注入法是利用电场加速杂质离子,将其注入硅衬底中的方法。离子注入法的特点是可以精密地控制扩散法难以得到的低浓度杂质分布。MOS电路制造中,器件隔离工序中防止寄生沟道用的沟道截断,调整阀值电压用的沟道掺杂,CMOS的阱形成及源漏区的形成,要采用离子注入法来掺杂。离子注入法通常是将欲掺入半导体中的杂质在离子源中离子化,然后将通过质量分析磁极后选定了离子进行加速,注入基片中。退火处理去除光刻胶放高温炉中进行退火处理以消除晶圆中晶格缺陷和内应力。采用电阻加热或感应加热或者电子束等加热法将原料蒸发淀积到基片上的一种常用的成膜方法。
本发明涉及锅炉加热技术领域,主要涉及一种电磁感应加热单元结构。背景技术:当前电锅炉通过电加热器对通过供水管流入的冷水进行加热,加热的水用于供暖或作为生活用水使用。根据水的加热方法锅炉可分为供热水锅炉和蓄热水锅炉。该锅炉因不易发生、不易泄漏有害气体、噪音小而普遍使用。近年来,随着油价的上涨,电锅炉因取暖费用低而备受人们关注。目前国内电阻式、电磁式、电极式等各种电加热技术都在锅炉加热领域得到了***运用。国内低压电磁加热技术应用较为普遍,其电磁加热原理是通过电子线路板组成部分产生交变磁场,当用含铁质容器放置在上面时,容器表面即切割交变磁力线而在容器底部金属部分产生交变的电流(即涡流),涡流使容器底部的铁原子高速无规则运动,原子相互碰撞、摩擦而产生热能。从而起到加热物品的效果。因为是铁制容器自身发热,所以热转化率特别高。但该项技术大多数应用在家庭电器上,电压技术参数局限于220~380vac,功率等级*几十千瓦,无法实现大型化从而满足工业蒸汽及城市集中采暖等领域使用。现有电锅炉的加热装置是在一个加热桶内设置线圈式或串联式加热器后注入冷水进行加热,或者层叠多个桶并在每个桶内设置多个加热器。辅助加热水套与中心加热筒2连通的一端用于辅助加热,封闭端用于线圈7的安装检修。PA6010-PCC10A加热板价格
本实用新型涉及等离子体cvd晶圆加热器的领域。PA6010-PCC10A加热板价格
晶圆放置在垫柱3上,使晶圆与加热盘1之间形成间隙,防止晶圆与加热盘1直接接触从而损坏晶圆,。加热盘1上还设有限位柱4,限位柱4的数量为6个,晶圆放置在6个限位柱之间,这方每次加热晶圆时,晶圆都能放置在加热盘1的固定位置。底板2上设置有温度传感器5,温度传感器5用于检测底板2上温度值。底板2上设置有过温保护器6,当温度过高使,对加热器及时断电,防止加热器损坏。实施例二、加热器在工作过程中温度较高,这样加热器的周围的温度也会较高,很容易烫伤工作人员,因此在上述实施例的基础上,曾设了隔热环7,隔热环7套设在加热器**,起到了对周围隔热的作用,同时也减少了加热器热量的散发,同时也保证的工作人员与底板2或加热盘的直接接触,有效的避免了。以上*是本发明的推荐实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。PA6010-PCC10A加热板价格
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