天津PA8015-CC-PCC200V加热板

    如表1:表16月18日高频系统改进效果分析原始数据(°C)权利要求1.一种精确控温的高频加热装置，包括有对物件进行升温的高频机，其特征在于，还包括有监测物件温度并反馈正比电压信号的温度测控模块和接收电压信号并控制高频机输出功率的信号调理模块。2.一种利用如权利要求1所述的精确控温的高频加热装置的加热方法，其特征在于包括有如下步骤第一步，开始高频加热，高频机满负荷加热升温，温度测控模块监测物件温度，当物件温度距目标温度80120°C时，改为动态功率加热；第二步，温度测控模块根据不同温度，反馈与温度成正比的电压值，信号调理模块根据电压值的大小反比例调节高频机的功率输出，使其越接近目标温度，输出功率越小；第三步，信号调理模块动态调节高频机的功率输出，物件温度保持在目标温度值的士5°C的范围内。3.根据权利要求1所述的精确控温的高频加热装置，其特征在于所述的温度测控模块为红外线温度测控模块。全文摘要本发明涉及一种高频加热时温度控制的方法，具体涉及一种晶体管高频加热时精确控制温度的装置及方法；包括高频机、温度测控模块和信号调理模块；方法为1，开始高频机满负荷加热升温，温度测控模块监测物件温度。本发明提供一种高频加热时精确控制温度的装置及方法。天津PA8015-CC-PCC200V加热板

    ***温度检测模块和第二检测模块均采用型号为pt1000的铂热电阻；***加热模块包括***功率继电器和***加热丝；第二加热模块包括第二功率继电器和第二加热丝；在本实施中，晶圆加热处于温度稳定阶段，并且将控制模块的温度稳定阶段的精度值设置为℃，本领域普通技术人员可根据实际需求设置该阶段的精度值。为了更好地解释本发明，假设***温度检测模块检测到的温度值为℃，第二温度检测模块检测到的温度值为℃，控制模块接收到上述两个温度值后，通过下述公式得到差值：差值＝|℃℃|＝℃控制模块将上述计算得到的差值与精度值进行比较，在本实施中，差值为℃，大于精度值℃；控制模块通过增大第二功率继电器的输出功率，提高第二加热丝的工作功率，直到***温度检测模块检测到的温度值和第二温度检测模块检测到的温度值之间的差值小于℃；当然本领域普通技术人员也可以通过减小***加热丝的工作功率，使得***温度检测模块检测到的温度值和第二温度检测模块检测到的温度值之间的差值小于℃。通过对热盘进行分区化的温度管理，使得热盘温度均匀，满足了高精度晶圆的加工需求。实施例2：本实施与实施例1的不同点是晶圆加热处于加热升温阶段，在该阶段控制模块的精度值设置为℃。天津PA8015-CC-PCC200V加热板在晶圆加热前需要先行对晶圆进行定位，在先技术中通常通过真空吸盘定位。

    **减少了加热器的使用寿命和工艺稳定性。技术实现要素：本实用新型目的是提供一种等离子体cvd晶圆加热器用表面修磨装置，结构简单，操作方便，修磨效果好，效率高，解决了以上技术问题。为了实现上述技术目的，达到上述的技术要求，本实用新型所采用的技术方案是：一种等离子体cvd晶圆加热器用表面修磨装置，其特征在于：从下至上依次设置有安装支架、旋转装置、加热器支撑圆盘、研磨盘，晶圆加热器设置在加热器支撑圆盘和研磨盘之间；研磨盘包括研磨盘主体，研磨盘主体底部设置有研磨块、调节支撑圆柱，研磨盘主体通过调节螺栓与研磨块相连接固定，调节螺栓的上端设置有数显深度测量指示表；所述的安装支架包括安装支撑柱，安装支撑柱上端设置有安装平板，安装支撑柱下端设置有高度调节块，安装平板上设置有安装主体，安装主体内部设置有台阶孔，装有旋转电机的固定座下部与台阶孔相配合固定，旋转电机的上表面设置有连接圆盘，连接圆盘上端设置有支撑圆盘本体，支撑圆盘本体上端通过螺丝固定有圆环；所述的调节支撑圆柱与圆环相连接。推荐的：所述的高度调节块与安装支撑柱之间设置为螺纹连接。

    再用化学机械抛光工艺使其至少一面光滑如镜，晶圆片制造就完成了。晶圆制造单晶硅棒的直径是由籽晶拉出的速度和旋转速度决定的[2]，一般来说，上拉速率越慢，生长的单晶硅棒直径越大。而切出的晶圆片的厚度与直径有关，虽然半导体器件的制备只在晶圆的顶部几微米的范围内完成，但是晶圆的厚度一般要达到1mm，才能保证足够的机械应力支撑，因此晶圆的厚度会随直径的增长而增长。晶圆制造厂把这些多晶硅融解，再在融液里种入籽晶，然后将其慢慢拉出，以形成圆柱状的单晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一颗晶面取向确定的籽晶在熔融态的硅原料中逐渐生成，此过程称为“长晶”。硅晶棒再经过切段，滚磨，切片，倒角，抛光，激光刻，包装后，即成为集成电路工厂的基本原料——硅晶圆片，这就是“晶圆”。晶圆基本原料编辑晶圆硅是由石英砂所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（），接着是将这些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。硅片***用于集成电路（IC）基板、半导体封装衬底材料，硅片划切质量直接影响芯片的良品率及制造成本。导致国内对氮化铝陶瓷加热盘的需求变得紧张起来。

    辅助加热水套与中心加热筒2连通的一端用于辅助加热，封闭端用于线圈7的安装检修。内筒体3与中心加热筒2之间均匀设置有线圈固定装置8，沿线圈固定装置8外侧螺旋绕装有线圈7。线圈7截面为正方形，线圈上端距离顶部端面不低于150mm。中心加热筒体2与外侧水套中间形成的圆环形空腔用于放置线圈7，该开口圆环面积*占空腔总表面积的％，且线圈距离开口端面150mm以上，所以理论漏磁量非常小。将％的空间表面封闭在一个金属空腔内，减少了漏磁、增加电感量。当多个单元体组装时，无需考虑两个单元体之间或单元体与周边环境之间的电磁干扰或感应，从而缩减设备整体尺寸，满足设计要求。如图2-图3所示，线圈固定装置8设有三组，以中心加热筒2轴线为中心呈正三角形分布。包括绝缘支柱83，材料推荐为耐高温二苯醚层压板，压板外侧设有陶瓷套。绝缘支柱83上端通过支柱定位管82与支柱固定块81固定连接，下端与固定于底端平面的支柱底座85连接。绝缘支柱83上设有若干用于线圈7定位的定位螺栓84。线圈7绕过定位螺栓84，可以有效调节线圈7缠绕的节距。线圈7采用上密下疏的布置方式。采用线圈的分区段设计，针对立式管内被加热工质存在预热段、过冷沸腾段、核态沸腾段等不同区段。化解了传统加热板的构造的缺点，提高了采用的稳定性，增加了加热板的寿命。福建PA4025-WP-PCC20A加热板

当物件温度距目标温度80120°C时，改为动态功率加热。天津PA8015-CC-PCC200V加热板

重大技术装备是关系我国安全和国民经济命脉的基础性、战略性产品，是有限责任公司（自然）企业综合实力和重点竞争力的重要标志。近年来，机械工业在重大技术装备的自主研发中不断取得突破，创新成果正逐步加入使用。行业内贸易型企业普遍通过增加科技加入、提高产品科技含量的方式提升产品性能和质量，摆脱同质化困境，以期在日益激烈的市场竞争中占据主动。这一情况客观推动了我国工程机械技术水平的提升，自主品牌企业竞争力得到增强。机械企业常常利用虚拟制造技术来提升反应能力，而虚拟制造技术也是机械制造领域中重点的技术。对现代化有限责任公司（自然）企业来说，具备敏捷的反应能力是未来努力的方向。随着社会的发展，创新、协调、绿色、开放、共享的五大发展理念对机械及行业设备行业提出了更高的要求，研发技术含量高、附加价值高、智能化程度高而碳排放量少的新型设备。天津PA8015-CC-PCC200V加热板

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