企业商机
加热板基本参数
  • 品牌
  • ASONE
  • 型号
  • HPRB-6040
加热板企业商机

    所述的调节支撑圆柱3-4与研磨盘主体3-1之间、调节支撑圆柱3-4与圆环1-2之间均设置为螺纹连接;所述的支撑圆盘本体1-1的材质采用铝合金;所述的圆环1-2的材质采用ptfe;所述的研磨块3-5的长度与晶圆加热器5的修磨面半径相等。本实用新型的具体实施:先将晶圆加热器的没有沟槽的非工作面区域使用数控车床进行修复,再将晶圆加热器放置在加热器支撑圆盘内,并用螺丝将圆环固定在支撑圆盘上,通过调节螺栓调节研磨块的位置,使研磨块与晶圆加热器相接触,同时观察三个数显深度测量指示表显示的数据是否一致,直至将三个数显深度测量指示表的数据调节为一致,此时,研磨块的平面度达到要求;然后启动旋转电机,旋转电机带动加热器支撑圆盘转动,开始研磨;研磨20-30分钟后,通过观察研磨面的色泽来判断研磨是否到位,没研磨前,表面为深色,研磨后表面为浅色,很容易观察到修磨的进度;通过肉眼初步判断研磨到位时,进一步用数显深度测量指示表通过研磨主体圆盘上的测量孔,在晶圆加热器上选取几个点进行测量,显示数据相同,即说明研磨到位。显示数据不同,说明研磨没有达到要求,此时调节螺栓,再次使研磨块与晶圆加热器相接触,继续研磨,二次研磨时间设置为10-20分钟。将洗净的基片表面涂上附着性增强剂或将基片放在惰性气体中进行热处理。PA8005-CC-PCC20A加热板价格多少

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    3-1.研磨盘主体;3-2.数显深度测量指示表;4.安装支架;5.晶圆加热器。具体实施方式为了使本实用新型的发明目的、技术方案及其有益技术效果更加清晰,以下结合附图和具体实施方式,对本实用新型进行进一步详细说明;在附图中:一种等离子体cvd晶圆加热器用表面修磨装置,其特征在于:从下至上依次设置有安装支架4、旋转装置2、加热器支撑圆盘1、研磨盘3,晶圆加热器5设置在加热器支撑圆盘1和研磨盘3之间;研磨盘3包括研磨盘主体3-1,研磨盘主体3-1底部设置有研磨块3-5、调节支撑圆柱3-4,研磨盘主体3-1通过调节螺栓3-3与研磨块3-5相连接固定,调节螺栓3-3的上端设置有数显深度测量指示表3-2;所述的安装支架4包括安装支撑柱4-3,安装支撑柱4-3上端设置有安装平板4-2,安装支撑柱4-3下端设置有高度调节块4-4,安装平板4-2上设置有安装主体4-1,安装主体4-1内部设置有台阶孔,装有旋转电机2-2的固定座2-1下部与台阶孔相配合固定,旋转电机2-2的上表面设置有连接圆盘2-3,连接圆盘2-3上端设置有支撑圆盘本体1-1,支撑圆盘本体1-1上端通过螺丝1-3固定有圆环1-2;所述的调节支撑圆柱3-4与圆环1-2相连接。所述的高度调节块4-4与安装支撑柱4-3之间设置为螺纹连接。上海 PA8010-PCC10A加热板价格实施方式所涉及的加热器具备发光管、发热体及反射膜。

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    ***圆形温控晶圆夹盘系统是为晶圆和半导体测试设计的。根据客户的需求有不同尺寸、不同温度段的型号供选。并有台面电接地/电悬空,还有同轴/三同轴接口的细节差异。温控晶圆夹盘的台面温度梯度很低,并且厚度设计的很薄,可以集成进探针台。并且台体设有真空吸气槽,可以利用负压来吸附样品。功能特点:结构紧凑,可集成到晶圆探针台上,设计用于探针测试可编程控温,涵盖不同温度段(具体由型号而定)适用不同尺寸晶圆的真空吸附槽设计可降温至80K可选三同轴接口,以实现pA级测试可从温控器或电脑软件控制,可提供软件SDK基本配置:温控晶圆卡盘、mK2000B温控器可选配件安装支架、液氮制冷系统、外壳循环水冷系统台面选项标准:本色氧化可选:镀金晶圆样品真空吸附多个**的真空吸附通道可定制真空吸附方案晶圆顶杆默认无,可定制底座冷却可通循环水,以维持底座温度在常温附近安装可集成到探针台上,可定制安装支架台面电位电接地(R),电悬空(RF),可选三同轴(RT)BNC接口同轴,电悬空或三同轴传感器/温控方式100Ω铂RTD/PID控制(含LVDC降噪电源)温度分辨率℃温度稳定性±℃(>25℃),±℃(<。

    实际关乎一种mocvd反应腔用加热板。背景技术:半导体芯片在发育时,对温场的均匀性要求较高,因此一种加热均匀且使用寿命较久的加热板对半导体芯片的制作具有至关关键的效用。通过检索,在**称谓:一种用以mocvd装置的钨涂层加热片及其制备方式(cnb)中公开了一种加热片,但是这种加热片由于中心为镂空构造并不适合半导体领域的芯片发育采用。在目前,芯片生长中用到到的加热板的构造如附图1所示,中间是形状为ω的热弧板1,在热弧板1的两侧分别连通两组拱形热片2,两组半圆形热片2是直线对称的,在半圆形热片2的自由端是分别接着电源的左电极和右电极。将这种传统的加热片放在陶瓷上通电后给上方的芯片提供平稳的热源。这种平板型加热板是一种电阻式加热方法,通过热辐射的方法,给上方的生长芯片的载体(石墨盘)加热,提供芯片生长所需的热能和温场。由于加热板的空隙22部分对应上方的载盘位置的是从未直接热辐射加热的,石墨盘此部分的受热能量是靠其他部分的热传导。另外,石墨盘是通过高速转动的(1000rpm)实现载体(石墨盘)的表面温场的均匀性(±℃)。传统的对称式构造加热片中,加热板的空隙22部分是分布在同一个同心圆圆弧上。采用电阻加热或感应加热或者电子束等加热法将原料蒸发淀积到基片上的一种常用的成膜方法。

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    是在晶圆的正面贴一层膜保护已经制作好的集成电路,然后通过研磨机来进行减薄。晶圆背面研磨减薄后,表面会形成一层损伤层,且翘曲度高,容易破片。为了解决这些问题,需要对晶圆背面进行湿法硅腐蚀,去除损伤层,释放晶圆应力,减小翘曲度及使表面粗糙化。使用槽式的湿法机台腐蚀时,晶圆正面及背面均与腐蚀液接触,正面贴的膜必须耐腐蚀,从而保护正面的集成电路。使用单片作业的湿法机台,晶圆的正面通常已被机台保护起来,不会与腐蚀液或者腐蚀性的气体有接触,可以撕膜后再进行腐蚀[3]。晶圆除氮化硅此处用干法氧化法将氮化硅去除晶圆离子注入离子布植将硼离子(B+3)透过SiO2膜注入衬底,形成P型阱离子注入法是利用电场加速杂质离子,将其注入硅衬底中的方法。离子注入法的特点是可以精密地控制扩散法难以得到的低浓度杂质分布。MOS电路制造中,器件隔离工序中防止寄生沟道用的沟道截断,调整阀值电压用的沟道掺杂,CMOS的阱形成及源漏区的形成,要采用离子注入法来掺杂。离子注入法通常是将欲掺入半导体中的杂质在离子源中离子化,然后将通过质量分析磁极后选定了离子进行加速,注入基片中。退火处理去除光刻胶放高温炉中进行退火处理以消除晶圆中晶格缺陷和内应力。发热体设置在发光管的内部,且发热体以碳作为主要成分。ASONE亚速旺加热板

固定到环形或圆形的热环5的加热片不仅可以安定加热片的间距。PA8005-CC-PCC20A加热板价格多少

    如表1:表16月18日高频系统改进效果分析原始数据(°C)权利要求1.一种精确控温的高频加热装置,包括有对物件进行升温的高频机,其特征在于,还包括有监测物件温度并反馈正比电压信号的温度测控模块和接收电压信号并控制高频机输出功率的信号调理模块。2.一种利用如权利要求1所述的精确控温的高频加热装置的加热方法,其特征在于包括有如下步骤第一步,开始高频加热,高频机满负荷加热升温,温度测控模块监测物件温度,当物件温度距目标温度80120°C时,改为动态功率加热;第二步,温度测控模块根据不同温度,反馈与温度成正比的电压值,信号调理模块根据电压值的大小反比例调节高频机的功率输出,使其越接近目标温度,输出功率越小;第三步,信号调理模块动态调节高频机的功率输出,物件温度保持在目标温度值的士5°C的范围内。3.根据权利要求1所述的精确控温的高频加热装置,其特征在于所述的温度测控模块为红外线温度测控模块。全文摘要本发明涉及一种高频加热时温度控制的方法,具体涉及一种晶体管高频加热时精确控制温度的装置及方法;包括高频机、温度测控模块和信号调理模块;方法为1,开始高频机满负荷加热升温,温度测控模块监测物件温度。PA8005-CC-PCC20A加热板价格多少

上海九展自动化技术有限公司是一家集研发、生产、咨询、规划、销售、服务于一体的贸易型企业。公司成立于2014-07-09,多年来在温控器,冷水机,仪器,无尘室用品行业形成了成熟、可靠的研发、生产体系。公司主要经营温控器,冷水机,仪器,无尘室用品等产品,产品质量可靠,均通过机械及行业设备行业检测,严格按照行业标准执行。目前产品已经应用与全国30多个省、市、自治区。我们以客户的需求为基础,在产品设计和研发上面苦下功夫,一份份的不懈努力和付出,打造了上海九展产品。我们从用户角度,对每一款产品进行多方面分析,对每一款产品都精心设计、精心制作和严格检验。上海九展自动化技术有限公司注重以人为本、团队合作的企业文化,通过保证温控器,冷水机,仪器,无尘室用品产品质量合格,以诚信经营、用户至上、价格合理来服务客户。建立一切以客户需求为前提的工作目标,真诚欢迎新老客户前来洽谈业务。

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