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光刻机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG610,EVG620NT,EVG®6200NT,IQ Aligner,HERCULES
  • 是否定制
光刻机企业商机

EVG的光刻机技术:EVG在光刻技术上的关键能力在于其掩模对准器的高产能,接触和接近曝光功能以及其光刻胶处理系统的内部处理的相关知识。EVG的所有光刻设备平台均支持300毫米的晶圆,可以完全集成到其HERCULES光刻轨道系统中,并配有用于从上到下的侧面对准验证的度量工具。EVG不断展望未来的市场趋势,因此提供了针对特定应用的解决方案,尤其是在光学3D传感和光子学市场中,其无人能比的EVG的工艺和材料专业知识-源自对各种光刻胶材料进行的广范优化研究。了解客户需求并提供有效的全球支持是EVG光刻解决方案能够成功的重要因素。只有接近客户,才能得知客户的真实需求,这是我们一直时刻与客户保持联系的原因之一。上海光刻机优惠价格

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EVG光刻机简介:EVG在1985年发明了世界上弟一个底部对准系统,可以在顶部和双面光刻,对准晶圆键合和纳米压印光刻技术方面开创并建立了行业标准。EVG通过不断开发掩模对准器来为这些领域做出贡献,以增强蕞重要的光刻技术。EVG的掩模对准目标是容纳高达300mm的不同的尺寸,形状和厚度的晶圆和基片,同时为高级应用提供高科技含量的有效解决方案,并为研发提供充分的灵活可选性。EVG光刻机的掩模对准器和工艺能力经过现场验证,安装并完美集成在全球各地的用户系统中,可在众多应用场景中找到,包括高级封装,化合物半导体,功率器件,LED,传感器和MEMS。EV Group光刻机竞争力怎么样如果需要光刻机(掩膜曝光机),请联系我们。

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G®105—晶圆烘烤模块设计理念:单机EVG®105烘烤模块是专为软或后曝光烘烤过程而设计。特点:可以在EVG105烘烤模块上执行软烘烤,曝光后烘烤和硬烘烤过程。受控的烘烤环境可确保均匀蒸发。可编程的接近销可提供对光刻胶硬化过程和温度曲线的ZUI佳控制。EVG105烘烤模块可以同时处理300mm的晶圆尺寸或4个100mm的晶圆。特征独力烘烤模块晶片尺寸ZUI大为300毫米,或同时ZUI多四个100毫米晶片温度均匀性≤±1°C@100°C,ZUI高250°C烘烤温度用于手动和安全地装载/卸载晶片的装载销烘烤定时器基材真空(直接接触烘烤)N2吹扫和近程烘烤0-1mm距离晶片至加热板可选不规则形状的基材技术数据晶圆直径(基板尺寸):高达300毫米烤盘:温度范围:≤250°C手动将升降杆调整到所需的接近间隙。

我们可以根据您的需求提供进行优化的多用途系统。我们的掩模对准系统设计用于从掩模对准到键合对准的快速简便转换。此外,可以使用用于压印光刻的可选工具集,例如UV-纳米压印光刻,热压印或微接触印刷。所有系统均支持原位对准验证软件,以提高手动操作系统的对准精度和可重复性。EVG620NT/EVG6200NT可从手动到自动基片处理,实现现场升级。此外,所有掩模对准器都支持EVG专有的NIL技术。如果您需要纳米压印设备,请访问我们的官网,或者直接联系我们。EVG光刻机设备,可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中,并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。

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EVG®610特征:晶圆/基板尺寸从小到200mm/8''顶侧和底侧对准能力高精度对准台自动楔形补偿序列电动和程序控制的曝光间隙支持ZUI新的UV-LED技术ZUI小化系统占地面积和设施要求分步流程指导远程技术支持多用户概念(无限数量的用户帐户和程序,可分配的访问权限,不同的用户界面语言)便捷处理和转换重组台式或带防震花岗岩台的单机版EVG®610附加功能:键对准红外对准纳米压印光刻(NIL)EVG®610技术数据:对准方式上侧对准:≤±0.5µm底面要求:≤±2,0µm红外校准:≤±2,0µm/具体取决于基板材料键对准:≤±2,0µmNIL对准:≤±2,0µmEVG所有光刻设备平台均为300mm。化合物半导体光刻机值得买

可以使用用于压印光刻的工具,例如紫外光纳米压印光刻,热压印或微接触印刷。上海光刻机优惠价格

光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的合心竞争力在于其掩模对准系统(EVG6xx和IQAligner系列)以及高度集成的涂层平台(EVG1xx系列)的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG的所有光刻设备平台均为300mm,可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中,并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装:在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray™曝光的涂层TSV底部开口;在EVG的IQAlignerNT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂;负侧壁,带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层;金属垫在结构的中间;用于LIGA结构的高纵横比结构,用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果;西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上,展示了高分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力;MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。上海光刻机优惠价格

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