安徽半导体芯片封装供应

5G手机集成度的进一步提高，极大提升了SiP需求。SiP技术正成为半导体行业的一个重要趋势，它通过高度的集成化和微型化，为现代电子产品的设计和功能提供了新的可能性。随着技术的不断成熟和应用的不断拓展，SiP有望在未来的电子设备中扮演更加重要的角色。SiP系统级封装，SiP封装是合封电子的其中一种技术。SiP封装( System In a Package)是将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件。SiP封装是将多个半导体及一些必要的辅助零件，做成一个相对单独的产品。安徽半导体芯片封装供应

SiP整体制程囊括了着晶、打线、主/被动组件SMT及塑封技术，封装成型可依据客户设计制作不同形状模块，甚至是3D立体结构，藉此可将整体尺寸缩小，预留更大空间放置电池，提供更大电力储存，延长产品使用时间，但功能更多、速度更快，因此特别适用于射频相关应用如5G毫米波模块、穿戴式装置及汽车电子等领域。微小化制程三大关键技术，在设计中元器件的数量多寡及排布间距，即是影响模块尺寸的较主要关键。要能够实现微小化，较重要的莫过于三项制程技术：塑封、屏蔽及高密度打件技术。广东系统级封装流程不同的芯片，排列方式，与不同内部结合技术搭配，使SiP 的封装形态产生多样化的组合。

近年来，半导体公司面临更复杂的高集成度芯片封装的挑战，消费者希望他们的电子产品体积更小，性能参数更高，功耗更低，并将更多功能集成到单部设备中。半导体封装工艺的提升，对于解决这些挑战具有重要意义。当前和未来的芯片封装工艺，对于提高系统性能，增加使用功能，降低系统功耗、缩小外形尺寸的要求，需要一种被称为系统集成的先进封装方法。模块划分是指从电子设备中分离出一块功能，既便于后续的整机集成又便于SiP封装。SiP工艺技术难点：清洗，定制清洗设备、清洗溶液要求、清洗参数验证、清洗标准制定；植球，植球设备选择、植球球径大小、球体共面性检查、BGA测试、助焊剂残留要求等；基板，陶瓷基板的设计及验证难度高，工艺难度高，加工成本高；有机基板的导热性差，容易导致IC焊接处电气链接失效。

「共形」及「分段型」屏蔽，另一方面，系统级封装模块需要高密度整合上百颗电子组件，同时避免与PCB主板上其他组件相互干扰。此外，在模块外部也必须解决相同的干扰问题。因此，必须透过一项重要制程来形成组件之间的屏障，业界称之为共形屏蔽(Conformal Shielding)和分段型屏蔽(Compartment Shielding)。 在业界普遍常见的金属屏蔽罩，每一段均需要保留约1mm宽度的焊盘与排除区域 (Keep-Out Zone)，云茂电子的共形及分段型屏蔽只需10%的宽度。以一个多频4G模块为例，可为其他组件腾出超过17%的空间，并可屏蔽40-50 dB的电磁干扰。 SiP 可以将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件。

无须引线框架的BGA：1、定义，LSI芯片四周引出来的像蜈蚣脚一样的端子为引线框架，而BGA（Ball Grid Array）无须这种引线框架。2、意义：① 随着LSI向高集成度、高性能不断迈进，引脚数量不断增加（如DIP与QFP等引线框架类型的封装，较大引脚数、引脚间距、切筋使用的刀片厚度与精度均达到极限）；② 引线框架的引脚越小，弯曲问题就越严重，会严重妨碍后续线路板的安装，因此需要寻求不需要引线端子的封装，即BGA类型的封装（需在封装树脂底板上植球（焊锡球），以及分割封装的工序）。先进封装的制造过程中，任何一个环节的失误都可能导致整个封装的失败。广东系统级封装流程

SiP 封装采用超薄的芯片堆叠与TSV技术使得多层芯片的堆叠封装体积减小。安徽半导体芯片封装供应

SiP 与其他封装形式又有何区别？SiP 与 3D、Chiplet 的区别Chiplet 可以使用更可靠和更便宜的技术制造，也不需要采用同样的工艺，同时较小的硅片本身也不太容易产生制造缺陷。不同工艺制造的 Chiplet 可以通过先进封装技术集成在一起。Chiplet 可以看成是一种硬核形式的 IP，但它是以芯片的形式提供的。3D 封装就是将一颗原来需要一次性流片的大芯片，改为若干颗小面积的芯片，然后通过先进的封装工艺，即硅片层面的封装，将这些小面积的芯片组装成一颗大芯片，从而实现大芯片的功能和性能，其中采用的小面积芯片就是 Chiplet。 因此，Chiplet 可以说是封装中的单元，先进封装是由 Chiplet /Chip 组成的，3D 是先进封装的工艺手段，SiP 则指代的是完成的封装整体。通过 3D 技术，SiP 可以实现更高的系统集成度，在更小的面积内封装更多的芯片。不过，是否采用了先进封装工艺，并不是 SiP 的关注重点，SiP 关注系统在封装内的实现。安徽半导体芯片封装供应