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光电二极管是经常使用的光电探测器，它在很大程度上已经取代了以前使用的真空光管。它们是含有p-n结的半导体器件，通常在n层和p层之间还有一个内在（未掺杂）层。具有内在层的器件被称为p-i-n或PIN光电二极管。在耗尽区或本征区吸收的光会产生电子-空穴对，其中大部分有助于产生光电流。在很宽的光功率范围内，光电流可以相当精确地与吸收（或入射）的光强度成正比。人们在n掺杂区和p掺杂区之间有一个固有的区域，大部分的电载流子在这里产生。通过电接触（阳极和阴极），可以获得产生的光电流。阳极可以有一个环形，这样光就可以通过孔注入。一个大的活性区域可以通过一个相应的大环来获得，但这往往会增加电容，从而降低检测带宽，并增加暗电流；另外，如果产生的载流子离电极太远，效率可能会下降。西安滨松光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。西安高速光电批发公司

与其他光电二极管相比，雪崩光电二极管在高反向偏置条件下工作。因此，通过光撞击或光子形成的电荷载流子使雪崩倍增。雪崩作用可使光电二极管的增益提高数倍，以提供高灵敏度范围。雪崩击穿主要发生在光电二极管承受最大反向电压时，该电压增强了耗尽层之外的电场。当入射光穿透 p+ 区域时，它会在电阻极大的 p 区域内被吸收，然后生成电子-空穴对。只要存在高电场，电荷载流子包括其饱和速度就会漂移到 pn+ 区域。当速度高时，载流子将通过其他原子碰撞并产生新的电子-空穴对，巨大的电荷载流子对将导致高光电流。重庆纳秒光电开发可变增益光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

光电二极管（Photo-Diode）和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件，而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。为帮助大家深入了解，本文将对光电二极管和发光二极管的相关知识予以汇总。如果您对本文即将要涉及的内容感兴趣的话，那就继续往下阅读吧。光电二极管的概述光电二极管是一种将光转换为电流的半导体器件，在 p（正）和 n（负）层之间，存在一个本征层。光电二极管接受光能作为输入以产生电流。光电二极管也被称为光电探测器，光电传感器或光探测器。光电二极管工作在反向偏置条件下，即光电二极管的p-侧与电池（或电源）的负极相连，n-侧与电池的正极相连。典型的光电二极管材料是硅、锗、磷化砷化铟镓和砷化铟镓。在内部，光电二极管具有滤光器、内置透镜和表面区域。当光电二极管的表面积增加时，会缩短响应时间。很少有光电二极管看起来像发光二极管 (LED)。它有两个终端，如下所示。较小的端子用作阴极，较长的端子用作阳极。

光电耦合器是一种利用光传输能量的设备，由一个有源部分和一个无源部分组成。有源部分包括一个发射头和一个发射灯，发射头可以发射出光束，而发射灯则可以产生可见光或者红外线。无源部分包括一个检测头和一个检测器，检测头可以检测到发射头发射出的光束，而检测器则可以将检测头检测到的光束转换成电能。当发射头发射出光束时，检测头会检测到光束，检测器会将检测头检测到的光束转换成电能，然后电能会被传输到无源部分的检测器，检测器会将电能转换成电流发送到有源部分，有源部分会将电流转换成电能，从而实现了电能、光能和信号之间的高效耦合。成都实时光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

光电转换器的基本原理是光电效应。光电效应是指当光照射到物质表面时，光子能量被物质吸收并激发物质中的电子，使其跃迁到导带或价带中，从而产生电流。根据光电效应的不同机制，光电转换器可分为光电导和光电发射两种类型。·光电导:光电导是指当光照射到半导体材料上时，产生电子与空穴对，并在电场作用下产生电流。太阳能电池就是一种典型的光电导器件，其通过光照射到半导体材料上产生电子与空穴对，然后通过电场将电子与空穴分离，形成电流。·光电发射，光电发射是指当光照射到金属表面时，金属表面的电子受到光激发，跃迁到金属的导带中，从而产生电流。光电发射器件常用于光电传感器和光电显示器中。成都激光光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。西安低速光电测量

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性能良好的雪崩光电二极管的光电流平均增益嚔可以达到几十、几百倍甚至更大。半导体中两种载流子的碰撞离化能力可能不同，因而使具有较高离化能力的载流子注入到耗尽区有利于在相同的电场条件下获得较高的雪崩倍增。但是，光电流的这种雪崩倍增并不是理想的。一方面，由于嚔随注入光强的增加而下降，使雪崩光电二极管的线性范围受到一定的限制，另一方面更重要的是，由于载流子的碰撞电离是一种随机的过程，亦即每一个别的载流子在耗尽层内所获得的雪崩增益可以有很泛的几率分布，因而倍增后的光电流I比倍增前的光电流I0有更大的随机起伏，即光电流中的噪声有附加的增加。与真空光电倍增管相比，由于半导体中两种载流子都具有离化能力，使得这种起伏更为严重。西安高速光电批发公司