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光电基本参数
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光电企业商机

光电转换模块分模拟的和数字的。模拟的光电转换模块接收的是模拟信.光电转换管发射的光波也是模拟的,用光信号的光能强弱变化来取代电信号的幅度变化。这一般用在射频中应用的比较多。优点是∶可接受电信号的带宽大(10OMHz至3GHz比较容易做到)。缺点是︰转换前后的带内波动较大,信号插损较大。数字的光电转换模块接收的是数字信号,光电转换管发射的光波也是数字的,用光信号的光能有无变化来取代数字信号的0和1。鲜明的应用就是光交口换机和光口路由器。西安IV光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。成都可变增益光电开发

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光电二极管的速度(带宽)通常受到电气参数(电容和外部电阻)或内部效应的限制,如耗竭区的载流子传输时间。(在某些情况下,耗尽区外产生的载流子的相对缓慢的扩散限制了带宽)。几十千兆赫的带宽通常是通过小的有源区(直径远低于1毫米)和小的吸收体积实现的。这种小面积的有源器件仍然是实用的,特别是对于光纤耦合器件,但它们将可实现的光电流限制在1毫安或更少,对应的光功率为≈2毫瓦或更少。更高的光电流实际上对抑制射出噪声和热噪声是可取的。(更高的光电流在值上会增加射出噪声,但相对于信号来说会减少它)。较大的有源区(直径可达1厘米)允许处理较大的光束和更高的光电流,但代价是速度较低。高带宽(几十千兆赫)和高光电流(几十毫安培)的组合是在速度匹配的光电探测器中实现的,它包含几个小面积的光电探测器,它们与光波导弱耦合并将其光电流输送到一个共同的射频波导结构中。微安光电定制成都纳安光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

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光电二极管是经常使用的光电探测器,它在很大程度上已经取代了以前使用的真空光管。它们是含有p-n结的半导体器件,通常在n层和p层之间还有一个内在(未掺杂)层。具有内在层的器件被称为p-i-n或PIN光电二极管。在耗尽区或本征区吸收的光会产生电子-空穴对,其中大部分有助于产生光电流。在很宽的光功率范围内,光电流可以相当精确地与吸收(或入射)的光强度成正比。人们在n掺杂区和p掺杂区之间有一个固有的区域,大部分的电载流子在这里产生。通过电接触(阳极和阴极),可以获得产生的光电流。阳极可以有一个环形,这样光就可以通过孔注入。一个大的活性区域可以通过一个相应的大环来获得,但这往往会增加电容,从而降低检测带宽,并增加暗电流;另外,如果产生的载流子离电极太远,效率可能会下降。

与其他光电二极管相比,雪崩光电二极管在高反向偏置条件下工作。因此,通过光撞击或光子形成的电荷载流子使雪崩倍增。雪崩作用可使光电二极管的增益提高数倍,以提供高灵敏度范围。雪崩击穿主要发生在光电二极管承受最大反向电压时,该电压增强了耗尽层之外的电场。当入射光穿透p+区域时,它会在电阻极大的p区域内被吸收,然后生成电子-空穴对。只要存在高电场,电荷载流子包括其饱和速度就会漂移到pn+区域。当速度高时,载流子将通过其他原子碰撞并产生新的电子-空穴对,巨大的电荷载流子对将导致高光电流。成都IV光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

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光电二极管(Photo-Diode)和普通二极管一样,也是由一个PN结组成的半导体器件,也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件,而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。为帮助大家深入了解,本文将对光电二极管和发光二极管的相关知识予以汇总。如果您对本文即将要涉及的内容感兴趣的话,那就继续往下阅读吧。光电二极管的概述光电二极管是一种将光转换为电流的半导体器件,在p(正)和n(负)层之间,存在一个本征层。光电二极管接受光能作为输入以产生电流。光电二极管也被称为光电探测器,光电传感器或光探测器。光电二极管工作在反向偏置条件下,即光电二极管的p-侧与电池(或电源)的负极相连,n-侧与电池的正极相连。典型的光电二极管材料是硅、锗、磷化砷化铟镓和砷化铟镓。在内部,光电二极管具有滤光器、内置透镜和表面区域。当光电二极管的表面积增加时,会缩短响应时间。很少有光电二极管看起来像发光二极管(LED)。它有两个终端,如下所示。较小的端子用作阴极,较长的端子用作阳极。四川小信号光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。深圳可见光光电信息

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光电转换器的基本原理是光电效应。光电效应是指当光照射到物质表面时,光子能量被物质吸收并激发物质中的电子,使其跃迁到导带或价带中,从而产生电流。根据光电效应的不同机制,光电转换器可分为光电导和光电发射两种类型。·光电导:光电导是指当光照射到半导体材料上时,产生电子与空穴对,并在电场作用下产生电流。太阳能电池就是一种典型的光电导器件,其通过光照射到半导体材料上产生电子与空穴对,然后通过电场将电子与空穴分离,形成电流。·光电发射,光电发射是指当光照射到金属表面时,金属表面的电子受到光激发,跃迁到金属的导带中,从而产生电流。光电发射器件常用于光电传感器和光电显示器中。成都可变增益光电开发

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