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通过加载一个大约50欧姆左右的阻值的光电二极管，你就可以从光敏模式中得到很多益处。如果二极管电压没超过20mV，就没必要对二极管进行正向偏置，同时响应也是是合理的并且快速的。然而灵敏度会很低。雪崩式光电二极管是特殊的模式，需要对其提供接近于击穿电压的反向偏置电压。这就使得在低光强的情况下，输出电流可以被放大。选择光电二极管的时候会存在很多权衡，包括光电二极管的尺寸，电容，噪声，暗电流以及封装类型。一般来说，是选用较小的同时带有反射器或者透镜可以聚集光源的光电二极管。德州仪器没有生产单独的光电二极管，然而对于很多基本的应用，将光电二极管和跨阻放大器集成在一块芯片上重庆低速光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。重庆纳秒光电科技

雪崩光电二极管操作可以完全在耗尽模式下完成。但是，除了线性雪崩模式之外，它们还可以在盖革模式下工作。在这种工作模式下，光电二极管可以在上述击穿电压下工作。目前正在推出另一种模式，即“亚盖革模式”。在光纤通信(OFC)系统中，雪崩光电二极管通常用于弱信号的识别，但电路需要进行足够的优化以实现高信噪比(S/N)。这里，SNR是为了获得完美的信噪比，量子效率应该很高，因为这个值几乎是最大值，所以大部分信号都被注意到了。雪崩光电二极管是高度灵敏、基于高速的二极管，它通过施加反向电压来工作的内部增益方法。与PIN型光电二极管相比，这些二极管测量低范围光，因此用于需要高灵敏度不同的应用中，如光距离测量和远距离光通信。绵阳滨松光电接收器西安索雷博光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

一个典型的光电二极管模型包含以下关键元素，一个二极管并联一个电流源，并且电流源与光强成正比。寄生元件CD和RD会影响器件性能。光伏模式-光电流在如图2所示的环路中流动，并且给二极管提供正向偏置。由于二极管的电压电流间成对数关系，因此空载的输出电压与光电流间近似成对数关系，并且通过RD上的一个小电流得到修正。所以，输出电压与光强之间是高度非线性的关系。某些应用将很受益于对数关系，因为在很大的范围内，光强的改变（眼睛是完美的对数型）会使电压发生类似的改变。由于二极管电压电流特性与温度相关，电压与光强之间的关系很差。

激光二极管和发光二极管的区别激光二极管和发光二极管都是使用的半导体材料发光，且从名字上看，虽然两者很相似，但它们之间更多的是不同点。1、定义区别激光二极管是半导体激光器，英文是LaserDiode，缩写LD。发光二极管是我们常说的LED，是常见的照明、显示器件。2、原理区别激光二极管产生激光是通过受激辐射原理。发光二极管发光是自发辐射原理。3、光质量区别激光二极管的光能量聚集、传输方向准直、单色性好、相干性强。发光二极管光能量发散、传输方向不同。成都皮安光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

所谓的夹层探测器或双色光电二极管，由两个（或多个）光电二极管依次组成。顶部的光电二极管由具有带隙能量的材料制成，吸收短波长的光，同时传输大部分不能被吸收的长波长的光。这些透射光然后照射到另一个光电二极管上。光电二极管检测到的功率比取决于波长。同样的原理也可以应用在由相同材料制成的光电二极管上，因为在较长的波长下（更接近带隙），顶部的光电二极管不会吸收所有的光。人们再次从两个光电二极管得到一个与波长有关的信号比例。夹层探测器可用于远程温度测量，例如，你使用两个光电二极管的信号比率：温度越高，短波长的相对辐射量就越高。多段式光电二极管和光电二极管阵列光电二极管不仅有单段检测器。有双段和四段光电二极管，可用于精密传感，也有一维和二维光电二极管阵列。更多细节，请参见位置敏感探测器一文。光电二极管有时被集成到激光二极管的封装中。它可以检测到一些通过高反射背面的光，其功率与输出功率成正比。获得的信号可用于稳定输出功率，或检测设备的退化。深圳红外光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。西安皮安光电生产厂家

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向pn结施加反向偏置电压会导致耗尽区变宽。这在光电二极管应用的背景下有两个有益的影响。首先，如上一篇文章所述，较宽的耗尽区会使光电二极管更敏感。因此，当您想要产生与照度相关的更多输出信号时，光电导模式是一个不错的选择。其次，较宽的耗尽区会降低光电二极管的结电容。在上面所示的电路中，反馈电阻和结电容（以及其他电容源）的存在限制了系统的闭环带宽。与基本的RC低通滤波器一样，减小电容会增加截止频率。因此，光电导模式允许更宽的带宽，并且当您需要化检测器响应照度快速变化的能力时更可取。反向偏压还扩展了光电二极管的线性工作范围。如果您担心在高照度下保持测量，您可以使用光电导模式，然后根据您的系统要求选择反向偏置电压。但请记住，更多的反向偏压也会增加暗电流。重庆纳秒光电科技