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激光二极管是一种将电能转换为激光的半导体激光器件。发展历史可以追溯到1962年,在近代随着机器视觉技术和通讯技术的发展,支撑起足够庞大的应用市场,被更多的人所了解,你又是从哪里了解到激光二极管的呢?学业上,还是工作上。结构组成和原理:激光二极管由透明盖片、LD芯片、金属管帽、金属管座、Pin针、光电二极管、热沉等结构组成。各结构的作用透明盖片:防灰尘的LD芯片:主要作用发射激光的金属管帽:起到保护内部结构组件金属管座:固定内部结构组件Pin针:连接内外通电光电二极管:也叫PD,检测激光功率,实时稳定 功率,防止烧管作用热沉:散热的我们常说到激光器是由工作物质、泵浦源、光学谐振腔三大结构组成,放到激光二极管这类半导体激光器中来看,工作物质和光学谐振腔都被封装到LD芯片中,通过铜丝连接LD芯片上的正负极提供电能。重庆可见光光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。重庆滨松光电批发

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光电二极管重要的特性是。响应性,即每单位光功率的光电流 - 与量子效率有关,取决于波长有源区,即光敏区击穿电压,为可用的偏置电压设定一个限制允许的光电流(通常受饱和限制,在高偏置电压下可能更低)。暗电流(在光电导模式下,取决于偏置电压,对检测低光水平很重要)。速度,即带宽(见下文),与上升和下降时间有关,常常受电容量的影响。其他的数量也可能是有意义的。当施加偏置电压时,通常相当高的分流电阻会贡献一个小电流。它还贡献了一些热噪声电流,这在某些情况下限制了灵敏度。通常较小的串联电阻会造成与光电流成比例的额外压降,也会在一定程度上造成检测噪声。西安全波段光电测试成都实时光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

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雪崩二极管与PIN光电二极管有何区别PIN: 光敏面接收对应波长的光照时,产生光生电流;雪崩光电二极管(APD):除了和PIN相同部分外,多了一个雪崩增益区,光生电流会被放大,放大的倍数称为雪崩增益系数。当然同时也会产生噪声电流。PIN光电二极管、雪崩光电二极管均属于半导体光电探测器,所使用的材料一样,光谱响应范围也一样。PIN光电二极管优点在于响应度高响应速度快,频带也较宽工作电压低,偏置电路简单在反偏压下可承受较高的反向电压,所以线性输出范围宽不足之处在于I层电阻很大管子的输出电流小,一般多为零点几微安至数微安。所以PIN光电二极管通常接有前置放大器。

光电二极管是经常使用的光电探测器,它在很大程度上已经取代了以前使用的真空光管。它们是含有p-n结的半导体器件,通常在n层和p层之间还有一个内在(未掺杂)层。具有内在层的器件被称为p-i-n或PIN光电二极管。在耗尽区或本征区吸收的光会产生电子-空穴对,其中大部分有助于产生光电流。在很宽的光功率范围内,光电流可以相当精确地与吸收(或入射)的光强度成正比。人们在n掺杂区和p掺杂区之间有一个固有的区域,大部分的电载流子在这里产生。通过电接触(阳极和阴极),可以获得产生的光电流。阳极可以有一个环形,这样光就可以通过孔注入。一个大的活性区域可以通过一个相应的大环来获得,但这往往会增加电容,从而降低检测带宽,并增加暗电流;另外,如果产生的载流子离电极太远,效率可能会下降。四川索雷博光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。

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一个典型的光电二极管模型包含以下关键元素,一个二极管并联一个电流源,并且电流源与光强成正比。寄生元件CD和 RD会影响器件性能。光伏模式-光电流在如图2所示的环路中流动,并且给二极管提供正向偏置。由于二极管的电压电流间成对数关系,因此空载的输出电压与光电流间近似成对数关系,并且通过RD 上的一个小电流得到修正。所以,输出电压与光强之间是高度非线性的关系。某些应用将很受益于对数关系,因为在很大的范围内,光强的改变(眼睛是完美的对数型)会使电压发生类似的改变。由于二极管电压电流特性与温度相关,电压与光强之间的关系很差。射频光电生产厂家推荐成都意科科技有限责任公司。广州微安光电模块

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雪崩光电二极管操作可以完全在耗尽模式下完成。但是,除了线性雪崩模式之外,它们还可以在盖革模式下工作。在这种工作模式下,光电二极管可以在上述击穿电压下工作。目前正在推出另一种模式,即“亚盖革模式”。在光纤通信 (OFC) 系统中,雪崩光电二极管通常用于弱信号的识别,但电路需要进行足够的优化以实现高信噪比 (S/N)。这里,SNR 是为了获得完美的信噪比,量子效率应该很高,因为这个值几乎是最大值,所以大部分信号都被注意到了。雪崩光电二极管是高度灵敏、基于高速的二极管,它通过施加反向电压来工作的内部增益方法。与 PIN 型光电二极管相比,这些二极管测量低范围光,因此用于需要高灵敏度不同的应用中,如光距离测量和远距离光通信。重庆滨松光电批发

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