作为工作区域10和电流检测区域20的公共集电极单元200。此外,当空穴收集区8内设置有沟槽时,如图10所示,此时空穴收集区8中的沟槽与空穴收集区电极金属3接触,即接触多晶硅13。可选的,在图7的基础上,图11为图7中的空穴收集区电极金属3按照b-b’方向的横截图,如图11所示,此时,电流检测区域20的空穴收集区8与空穴收集区电极金属3接触,且,与p阱区7连通;当空穴收集区8通过设置有多晶硅5的沟槽与p阱区7隔离时,横截面如图12所示,此时,如果工作区域10设置有多晶硅5的沟槽终止于空穴收集区8的边缘时,则横截面如图13所示,且,空穴收集区8内是不包含设置有多晶硅5的沟槽的情况。此外,当空穴收集区8内包含设置有多晶硅5的沟槽时,如图14所示,此时,空穴收集区8的沟槽通过p阱区7与工作区域10内的设置有多晶硅5的沟槽隔离,这里空穴收集区8的沟槽与公共集电极金属接触并重合。因此,本发明实施例提供的一种igbt芯片,在电流检测区域20内没有开关控制电级,即使有沟槽mos结构,沟槽中的多晶硅5也与公共集电极单元200接触,且,与公共栅极单元100绝缘。又由于电流检测区域20中的空穴收集区8为p型区,可以与工作区域10的p阱区7在芯片横向上联通为一体,也可以隔离开;此外。 6单元的三项全桥IGBT拓扑:以FS开头。安徽哪里有英飞凌infineonIGBT模块
MOS管和IGBT管作为开关元件,在电子电路中会经常出现,它们在外形及特性参数上也比较相似,相信有不少人会疑惑为什么有的电路中需要用到MOS管,而有的却需要用到IGBT管?它们之间有何区别呢?接下来冠华伟业为你解惑!何为MOS管?MOS管即MOSFET,中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管,由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离,所以又叫绝缘栅场效应管。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型”的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET。MOS管本身自带有寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏mos管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。何为IGBT?IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。IGBT的电路符号至今并未统一,画原理图时一般是借用三极管、MOS管的符号,这时可以从原理图上标注的型号来判断是IGBT还是MOS管。同时还要注意IGBT有没有体二极管,图上没有标出并不表示一定没有,除非官方资料有特别说明,否则这个二极管都是存在的。IGBT内部的体二极管并非寄生的。 浙江哪里有英飞凌infineonIGBT模块销售因为大多数IGBT模块工作在交流电网通过单相或三相整流后的直流母线电压下。
少数载流子)对N-区进行电导调制,减小N-区的电阻RN,使高耐压的IGBT也具有很小的通态压降。当栅射极间不加信号或加反向电压时,MOSFET内的沟道消失,PNP型晶体管的基极电流被切断,IGBT即关断。由此可知,IGBT的驱动原理与MOSFET基本相同。①当UCE为负时:J3结处于反偏状态,器件呈反向阻断状态。②当uCE为正时:UC<UTH,沟道不能形成,器件呈正向阻断状态;UG>UTH,绝缘门极下形成N沟道,由于载流子的相互作用,在N-区产生电导调制,使器件正向导通。1)导通IGBT硅片的结构与功率MOSFET的结构十分相似,主要差异是JGBT增加了P+基片和一个N+缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分),其中一个MOSFET驱动两个双极器件(有两个极性的器件)。基片的应用在管体的P、和N+区之间创建了一个J,结。当正栅偏压使栅极下面反演P基区时,一个N沟道便形成,同时出现一个电子流,并完全按照功率MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在,则J1将处于正向偏压,一些空穴注入N-区内,并调整N-与N+之间的电阻率,这种方式降低了功率导通的总损耗,并启动了第二个电荷流。的结果是在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑:一个电子流(MOSFET电流)。
而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的,又称为FWD(续流二极管)。二者内部结构不同MOSFET的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。IGBT的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。它们的内部结构如下图:二者的应用领域不同MOSFET和IGBT内部结构不同,决定了其应用领域的不同。由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。其主要应用领域为于开关电源,镇流器,高频感应加热,高频逆变焊机,通信电源等高频电源领域。IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,IGBT集中应用于焊机,逆变器,变频器,电镀电解电源,超音频感应加热等领域。MOSFET与IGBT的主要特点MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性,在电路中,可以用作放大器、电子开关等用途。IGBT作为新型电子半导体器件,具有输入阻抗高,电压控制功耗低,控制电路简单,耐高压,承受电流大等特性,在各种电子电路中获得极的应用。IGBT的理想等效电路如下图所示,IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合。 这些IGBT是汽车级别的,属于特种模块,价格偏贵。
可控硅可控硅简称SCR,是一种大功率电器元件,也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中,可作为大功率驱动器件,实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了的应用。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅,简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接,这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单,没有反向耐压问题,因此特别适合做交流无触点开关使用。IGBTIGBT绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 Infineon那边给出的解释为:IGBT的“损耗”包括“导通损耗”和“开关损耗”。广东哪里有英飞凌infineonIGBT模块推荐货源
使用中当IGBT模块集电极电流增大时,所产生的额定损耗亦变大。安徽哪里有英飞凌infineonIGBT模块
对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本发明实施例提供的一种igbt器件的结构图;图2为本发明实施例提供的一种电流敏感器件的结构图;图3为本发明实施例提供的一种kelvin连接示意图;图4为本发明实施例提供的一种检测电流与工作电流的曲线图;图5为本发明实施例提供的一种igbt芯片的结构示意图;图6为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的结构示意图;图7为本发明实施例提供的一种igbt芯片的表面结构示意图;图8为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图9为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图10为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图11为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图12为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图13为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图14为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图15为本发明实施例提供的一种半导体功率模块的结构示意图;图16为本发明实施例提供的一种半导体功率模块的连接示意图。图标:1-电流传感器;10-工作区域;101-第1发射极单元。 安徽哪里有英飞凌infineonIGBT模块
IGBT与MOSFET的开关速度比较因功率MOSFET具有开关速度快,峰值电流大,容易驱动,安全工作区宽,dV/dt耐量高等优点,在小功率电子设备中得到了广泛应用。但是由于导通特性受和额定电压的影响很大,而且工作电压较高时,MOSFET固有的反向二极管导致通态电阻增加,因此在大功率电子设备中的应用受至限制。IGBT是少子器件,它不但具有非常好的导通特性,而且也具有功率MOSFET的许多特性,如容易驱动,安全工作区宽,峰值电流大,坚固耐用等,一般来讲,IGBT的开关速度低于功率MOSET,但是IR公司新系列IGBT的开关特性非常接近功率MOSFET,而且导通特性也不受工作电压的影响。...