而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的,又称为FWD(续流二极管)。二者内部结构不同MOSFET的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。IGBT的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。它们的内部结构如下图:二者的应用领域不同MOSFET和IGBT内部结构不同,决定了其应用领域的不同。由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。其主要应用领域为于开关电源,镇流器,高频感应加热,高频逆变焊机,通信电源等高频电源领域。IGBT可以做很大功率,电流和电压都可以,就是一点频率不是太高,目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,IGBT集中应用于焊机,逆变器,变频器,电镀电解电源,超音频感应加热等领域。MOSFET与IGBT的主要特点MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性,在电路中,可以用作放大器、电子开关等用途。IGBT作为新型电子半导体器件,具有输入阻抗高,电压控制功耗低,控制电路简单,耐高压,承受电流大等特性,在各种电子电路中获得极的应用。IGBT的理想等效电路如下图所示,IGBT实际就是MOSFET和晶体管三极管的组合。 使用中当IGBT模块集电极电流增大时,所产生的额定损耗亦变大。湖北英飞凌infineonIGBT模块服务电话
本发明实施例还提供了一种半导体功率模块,如图15所示,半导体功率模块50配置有上述igbt芯片51,还包括驱动集成块52和检测电阻40。具体地,如图16所示,igbt芯片51设置在dcb板60上,驱动集成块52的out端口通过模块引线端子521与igbt芯片51中公共栅极单元100连接,以便于驱动工作区域10和电流检测区域20工作;si端口通过模块引线端子521与检测电阻40连接,用于获取检测电阻40上的电压;以及,gnd端口通过模块引线端子521与电流检测区域的第1发射极单元101引出的导线522连接,检测电阻40的另一端还分别与电流检测区域的第二发射极单元201和接地区域连接,从而通过si端口获取检测电阻40上的测量电压,并根据该测量电压检测工作区域的工作电流。本发明实施例提供的半导体功率模块,设置有igbt芯片,其中,igbt芯片上设置有:工作区域、电流检测区域和接地区域;其中,igbt芯片还包括第1表面和第二表面,且,第1表面和第二表面相对设置;第1表面上设置有工作区域和电流检测区域的公共栅极单元,以及,工作区域的第1发射极单元、电流检测区域的第二发射极单元和第三发射极单元,其中,第三发射极单元与第1发射极单元连接。 湖北进口英飞凌infineonIGBT模块推荐货源这个电压为系统的直流母线工作电压。
IGBT功率模块如何选择?在说IGBT模块该如何选择之前,小编先带着大家了解下什么是IGBT?IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor),所以它是一个有MOSGate的BJT晶体管,可以简单理解为IGBT是MOSFET和BJT的组合体。MOSFET主要是单一载流子(多子)导电,而BJT是两种载流子导电,所以BJT的驱动电流会比MOSFET大,但是MOSFET的控制级栅极是靠场效应反型来控制的,没有额外的控制端功率损耗。所以IGBT就是利用了MOSFET和BJT的优点组合起来的,兼有MOSFET的栅极电压控制晶体管(高输入阻抗),又利用了BJT的双载流子达到大电流(低导通压降)的目的(Voltage-ControlledBipolarDevice)。从而达到驱动功率小、饱和压降低的完美要求,广泛应用于600V以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。1.在选择IGBT前需要确定主电路拓扑结构,这个和IGBT选型密切相关。2.选择IGBT需要考虑的参数如下:额定工作电流、过载系数、散热条件决定了IGBT模块的额定电流参数,额定工作电压、电压波动、最大工作电压决定了IGBT模块的额定电压参数,引线方式、结构也会给IGBT选型提出要求。,目前市面上的叫主流的IGBT产品都是进口的。
目前,半导体功率模块主要广泛应用在斩波或逆变电路中,如轨道交通、电动汽车、风力和光伏发电等电力系统以及家电领域。其中,半导体功率模块主要是由igbt(insulatedgatebipolartransistor,绝缘栅双极型晶体管)器件和fwd(freewheelingdiode,续流二极管)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品。在实际应用中,为了保证半导体功率模块能够保证安全、可靠的工作,通常在半导体功率模块的dcb(directbondingcopper,陶瓷覆铜板)板上增加电流传感器以及温度传感器,从而实现对半导体功率模块中的器件进行过电流和温度的实时监控,方便电路进行保护。现有技术中主要通过在igbt器件芯片内集成电流传感器,并利用镜像电流检测原理实现电流的实时监控,如kelvin开尔芬连接,但这种方式得到的检测电流曲线与工作电流曲线并不对应,即得到的检测电流与工作电流的比例关系不固定,从而导致检测电流的精度和敏感性比较低。技术实现要素:有鉴于此,本发明的目的在于提供igbt芯片及半导体功率模块,以缓解上述技术问题,且,避免了栅电极因对地电位变化造成的偏差,提高了检测电流的精度。第1方面,本发明实施例提供了一种igbt芯片。 三项整流桥+6单元的三项全桥IGBT拓扑:以FP开头。
可控硅可控硅简称SCR,是一种大功率电器元件,也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中,可作为大功率驱动器件,实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了的应用。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅,简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接,这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单,没有反向耐压问题,因此特别适合做交流无触点开关使用。IGBTIGBT绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 英飞凌IGBT模块是按壳温Tc=80℃或100℃来标称其比较大允许通过的集电极电流(Ic)。贵州哪里有英飞凌infineonIGBT模块厂家直销
IGBT属于功率器件,散热不好,就会直接烧掉。湖北英飞凌infineonIGBT模块服务电话
PT)技术会有比较高的载流子注入系数,而由于它要求对少数载流子寿命进行控制致使其输运效率变坏。另一方面,非穿通(NPT)技术则是基于不对少子寿命进行杀伤而有很好的输运效率,不过其载流子注入系数却比较低。进而言之,非穿通(NPT)技术又被软穿通(LPT)技术所代替,它类似于某些人所谓的"软穿通"(SPT)或"电场截止"(FS)型技术,这使得"成本-性能"的综合效果得到进一步改善。1996年,CSTBT(载流子储存的沟槽栅双极晶体管)使第5代IGBT模块得以实现[6],它采用了弱穿通(LPT)芯片结构,又采用了更先进的宽元胞间距的设计。包括一种"反向阻断型"(逆阻型)功能或一种"反向导通型"(逆导型)功能的IGBT器件的新概念正在进行研究,以求得进一步优化。IGBT功率模块采用IC驱动,各种驱动保护电路,高性能IGBT芯片,新型封装技术,从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展,其产品水平为1200-1800A/1800-3300V,IPM除用于变频调速外,600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB,用于舰艇上的导弹发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB,降低电路接线电感。 湖北英飞凌infineonIGBT模块服务电话
IGBT与MOSFET的开关速度比较因功率MOSFET具有开关速度快,峰值电流大,容易驱动,安全工作区宽,dV/dt耐量高等优点,在小功率电子设备中得到了广泛应用。但是由于导通特性受和额定电压的影响很大,而且工作电压较高时,MOSFET固有的反向二极管导致通态电阻增加,因此在大功率电子设备中的应用受至限制。IGBT是少子器件,它不但具有非常好的导通特性,而且也具有功率MOSFET的许多特性,如容易驱动,安全工作区宽,峰值电流大,坚固耐用等,一般来讲,IGBT的开关速度低于功率MOSET,但是IR公司新系列IGBT的开关特性非常接近功率MOSFET,而且导通特性也不受工作电压的影响。...