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    外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。[5]当外加的反向电压高到一定程度时，PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。[5]二极管PN结形成原理P型半导体是在本征半导体（一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体）掺入少量三价元素杂质，如硼等。P型和N型半导体因硼原子只有三个价电子，它与周围的硅原子形成共价键，因缺少一个电子，在晶体中便产生一个空位，当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位，使硼原子成了不能移动的负离子，而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子，形成了空穴，但整个半导体仍呈中性。这种P型半导体中以空穴导电为主，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。[6]N型半导体形成的原理和P型原理相似。在本征半导体中掺入五价原子，如磷等。掺入后，它与硅原子形成共价键，产生了自由电子。在N型半导体中，电子为多数载流子。 在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。广西艾赛斯IXYS二极管模块销售厂家

    二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。二极管的主要参数用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言，必须了解以下几个主要参数：1、额定正向工作电流是指二极管长期连续工作时允许通过的大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度(硅管为140左右，锗管为90左右)时，就会使管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如，常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。2、高反向工作电压加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。3、反向电流反向电流是指二极管在规定的温度和高反向电压作用过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25时反向电流若为250uA，温度升高到35，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75时，它的反向电流已达8mA。 河北代理艾赛斯IXYS二极管模块代理商IXYS的产品以高靠性和大功率为业界所推崇,产品应用在通信电源,工业传动,医疗设备,汽车电子等领域。

    DO-201ADMBR340、MBR3100:（3A/40V），DO-201AD轴向MBR735、MBR745:TO-220AC（两脚），7AMBRB735、MBRB745:贴片、TO-263（D2PAK），7AMBR1045、MBR1060:TO-220AC（两脚），10AMBR1045CT、MBR10100CT:TO-220AB（三脚半塑封），10AMBRF1045CT、MBRF10100CT:TO-220F,（三脚全塑封），10A（第4位字母F为全塑封）MBR1535CT、MBR1545CT:TO-220AB（三脚），15AMBR2045CT、MBR20200CT:TO-220AB（三脚），20AMBR2535CT、MBR2545CT:TO-220AB（三脚），25AMBR3045CT、MBR3060CT:TO-220AB（三脚），30AMBR3045PT、MBR3060PT:TO-247（TO-3P），30AMBR4045PT、MBR4060PT:TO-247（TO-3P），40AMBR6045PT、MBR6060PT:TO-247（TO-3P），60A肖特基二极管常见型号及参数列表器件型号主要参数常规封装形式MBR1045CT10A,45V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR1060CT10A,60V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR10100CT10A,100V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR10150CT10A,150V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR10200CT10A,200V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR2045CT20A,45V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR2060CT20A,60V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR20100CT20A,100V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR20150CT20A,150V。

    或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。2、肖特基二极管的结构肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N外延层（砷材料）、N型硅基片、N阴极层及阴极金属等构成。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。肖特基对管又有：共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式。采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式，有A~19种管脚引出方式。3、常用的肖特基二极管常用的有引线式肖特基二极管，1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200等型号。也就是常说的插件封装。 在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。

    可得如下图(b)所示二极管反向电流、电压关系特性。在上图(b)所示反向特性中，当反向电压不超过一定范围(曲线OB段)时，反向电流十分微小并随电压增加而基本不变。小功率硅二极管的反向电流一般小于0．1m左右，通常可以忽略不计。当反向电压增加到一定数值时，反向电流将急剧增加，称为反向击穿，此时的电压称为反向击穿电压。普通二极管被击穿后，PN结不能恢复原有的性能，造成长久性损坏。综上所述，二极管具有在正向偏置电压下导通，反向偏置电压下截止的特性，这个特性称为单向导电性。[编辑]二极管的主要参数二极管的参数是评价二极管性能的重要指标，是正确选择和使用二极管的依据，主要参数有：(1)大整流电流IFM指二极管长期工作时，允许通过二极管的大正向电流的平均值。当实际电流超过该值时，二极管会因过热而损坏。(2)高反向工作电压URM指保证二极管不被击穿所允许施加的大反向电压。实际使用中二极管反向电压不应超过此电压值，以防发生反向击穿。(3)反向电流IR指二极管加反向电压而未击穿时的反向电流。如果该值较大，是不能正常使用的。反向电流愈小，二极管单向导电性愈好。 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管会导通，这连接方式，称为正向偏置。黑龙江艾赛斯IXYS二极管模块厂家直销

二极管是常用的电子元件之一，他比较大的特性就是单向导电，也就是电流只可以从二极管的一个方向流过。广西艾赛斯IXYS二极管模块销售厂家

    肖特基，肖特基二极管，肖特基模块一、知识点肖特基SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的，因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。SBD的主要优点包括两个方面：1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低）。2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，比较高约100V，以致于限制了其应用范围。二、产品介绍1.规格本公司引进美国onsem（安森美）公司的质量芯片，采用特殊的封装工艺生产出YF系列共阴肖特基二极管模块，具有损耗、超高速、多子导电、大电流、均流效果好等优点。特别适合6V～24V高频电镀电源，同等通态条件下比采用快恢复二极管模块，底板温度低14℃以上。 广西艾赛斯IXYS二极管模块销售厂家