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    正向导电，反向不导电）晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成了空间电荷层，并且建有自建电场，当不存在外加电压时，因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当产生正向电压偏置时，外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流（也就是导电的原因）。当产生反向电压偏置时，外界电场与自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0（这也就是不导电的原因）。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。二极管原理反向击穿编辑反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。雪崩击穿另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时。 正向电压降小，适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。中国台湾哪里有艾赛斯IXYS二极管模块代理商

    详解肖特基二极管的作用及接法-肖特基二极管的应用肖特基二极管肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。肖特基二极管的作用肖特基二极管的作用如下:肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。明显的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。一个典型的应用，是在双极型晶体管BJT的开关电路里面，通过在BJT上连接Shockley二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。这种方法是74LS，74ALS，74AS等典型数字IC的TTL内部电路中使用的技术。肖特基。 青海艾赛斯IXYS二极管模块联系方式变容二极管（VaricapDiode）则用来当作电子式的可调电容器。

    检波肖特基二极管在电子电路中用来把调制在高频电磁波上的低频信号（如音频信号）检出来。一般高频检波电路选用锗点接触型检波二极管。它的结电容小，反向电流小，工作频率高。6、肖特基二极管的作用及其接法-变容变容肖特基二极管(VaractorDiodes)又称"可变电抗二极管"，是利用pN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大，变容肖特基二极管的电容量一般较小，其大值为几十皮法到几百皮法，大区容与小电容之比约为5:1。它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等、例如在电视接收机的调谐回路中作可变电容。当外加顺向偏压时，有大量电流产生，PN（正负极）结的耗尽区变窄，电容变大，产生扩散电容效应；当外加反向偏压时，则会产生过渡电容效应。但因加顺向偏压时会有漏电流的产生，所以在应用上均供给反向偏压。肖特基二极管应用SBD的结构及特点使其适合于在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被广采用。

    电路中电流增加很快，灯泡发光。随着电流增大，二极管VD两端电压维持在0．6～0．7V之间不再增加。由此可见，在正向偏置情况下，二极管表现出不同电压下具有不同的电阻值。为了准确描述这个物理现象，可以记录每个电压下对应的电流，从而描绘成曲线，可得到图(b)所示的二极管正向电流、电压关系特性在图(b)所示正向特性中，当正向电压较小时，正向电流几乎为零(曲线OA段)，这时二极管并未真正导通，这一段所对应的电压称为二极管的死区电压或阈值电压，通常硅管约为0．5V，锗管约为0．2V。当正向电压大于死区电压后，正向电流迅速增加，这时二极管才真正导通，由图(b)可见，在A点以后曲线很陡，说明二极管两端电压几乎恒定，硅管约为0．6～0．7V，锗管约为0．2～0．3v。2．反向偏置与截止状态二极管阳极接低电位，阴极接高电位，连接电路如图(a)所示，这种连接称为二极管的反向偏置。此时调节串联在电路中的电阻大小发现，即使二极管两端反向电压较高时，电路中仍然几乎没有电流，灯泡不发光。当二极管两端反向电压到达足够大时(对于各种二极管该电压数值不同)，二极管会突然导通，并造成二极管的长久损坏。同样可将反向偏置情况下的二极管电流与电压关系描绘成曲线。 当外加电压等于零，由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流处于电平衡状态。

    整流二极管一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有正极和负极两个端子。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。整流二极管是利用PN结的单向导电特性，把交流电变成脉动直流电。整流二极管漏电流较大，多数采用面接触性料封装的二极管。整流二极管的外形如图1所示，另外，整流二极管的参数除前面介绍的几个外，还有大整流电流，是指整流二极管长时间的工作所允许通过的大电流值。它是整流二极管的主要参数，是选项用整流二极管的主要依据。肖特基二极管肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中有极少量的自由电子。 在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。中国香港代理艾赛斯IXYS二极管模块哪里有卖的

贴片稳压二极管是电源电路中常用的元件之一，有别于普通二极管，工作在PN结的反向击穿区。中国台湾哪里有艾赛斯IXYS二极管模块代理商

    肖特基二极管(SBD)是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD)的简称，是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的半导体器件。肖特基二极管是低功耗、大电流、超高速半导体器件，它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。新闻网页微信知乎图片视频明医英文问问百科更多>>登录帮助首页精彩百科知识图谱城市百科抗战百科高校百科任务任务中心用户蜜蜂团领域小组热词团公益百科积分商城个人中心添加义项同义词收藏分享分享到QQ空间新浪微博人人网肖特基二极管编辑词条肖特基二极管（SBD）是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称，是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的半导体器件。肖特基二极管是低功耗、大电流、超高速半导体器件，它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 中国台湾哪里有艾赛斯IXYS二极管模块代理商