真空镀膜的物理过程：PVD（物理的气相沉积技术）的基本原理可分为三个工艺步骤：（1）金属颗粒的气化：即镀料的蒸发、升华或被溅射从而形成气化源（2）镀料粒子（（原子、分子或离子）的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞，产生多种反应。（3）镀料粒子在基片表面的沉积。电子束蒸发法是真空蒸发镀膜中常用的一种方法，是在高真空条件下利用电子束进行直接加热蒸发材料，使蒸发材料气化并向衬底输运，在基底上凝结形成薄膜的方法。在电子束加热装置中，被加热的材料放置于水冷的坩埚当中，可避免蒸发材料与坩埚壁发生反应影响薄膜的质量，因此，电子束蒸发沉积法可以制备高纯薄膜。源或靶的不断改进，扩大了真空镀膜材料的选用范围。佛山光电器件真空镀膜
真空镀膜：反应性离子镀：如果采用电子束蒸发源蒸发，在坩埚上方加20V～100V的正偏压。在真空室中导入反应性气体，如氮气、氧气、乙炔、甲烷等反应性气体代替氩气，或在此基础上混入氩气。电子束中的高能电子可以达到几千至几万电子伏特的能量，不仅可以使镀料熔化蒸发，而且能在熔化的镀料表面激励出二次电子。二次电子在上方正偏压作用下加速，与镀料蒸发中性粒子发生碰撞而电离成离子，在工件表面发生离化反应，从而获得氧化物（如TeO2、SiO2、Al2O3、ZnO、SnO2、Cr2O3、ZrO2、InO2等）。其特点是沉积率高，工艺温度低。苏州光学真空镀膜真空溅射是彻底的环保制程，一定环保无污染。
真空镀膜：可镀材料普遍：离子镀由于是利用高能离子轰击工件表面，使大量的电能在工件表面转换成热能，从而促进了表层组织的扩散作用和化学反应。然而，整个工件，特别是工件心部并未受到高温的影响。因此这种镀膜工艺的应用范围较广，受到的局限性则较小。通常，各种金属、合金以及某些合成材料、绝缘材料、热敏材料和高熔点材料等均可镀复。即可在金属工件上镀非金属或金属，也可在非金属上镀金属或非金属，甚至可镀塑料、橡胶、石英、陶瓷等。
使用磁控溅射法沉积硅薄膜,通过优化薄膜沉积的工艺参数(包括本地真空、溅射功率、溅射气压等）,以期用溅射法终后制备出高质量的器件级硅薄膜提供科学数据。磁控溅射法是一种简单、低温、快速的成膜技术,能够不使用有毒气体和可燃性气体进行掺杂和成膜,直接用掺杂靶材溅射沉积,此法节能、高效、环保。可通过对氢含量和材料结构的控制实现硅薄膜带隙和性能的调节。与其它技术相比,磁控溅射法优势是它的沉积速率快,具有诱人的成膜效率和经济效益，实验简单方便。在真空镀膜机运转正常情况下，开动真空镀膜机时，必须先开水管，工作中应随时注意水压。
蒸发法镀膜是将固体材料置于真空室内，在真空条件下，将固体材料加热蒸发，蒸发出来的原子或分子能自由地弥布到容器的器壁上。当把一些加工好的基板材料放在其中时，蒸发出来的原子或分子就会吸附在基板上逐渐形成一层薄膜。根据蒸发源不同，真空蒸发镀膜法又可 以分为四种：电阻蒸发源蒸镀法；电子束蒸发源蒸镀法；高频感应蒸发源蒸镀法；激光束蒸发源蒸镀法。本实验采用电阻蒸发源蒸镀法制备金属薄膜材料。蒸发镀膜，要求从蒸发源出来的蒸汽分子或原子，到达被镀膜基片的距离要小于镀膜室内残余气体分子的平均自由程，这样才能保证蒸发物的蒸汽分子能无碰撞地到达基片表面。保证薄膜纯净和牢固，蒸发物也不至于氧化。真空镀膜在真空条件下制备薄膜，环境清洁，薄膜不易受到污染。湖北PECVD真空镀膜
真空镀膜机大功率脉冲磁控溅射技术的脉冲峰值功率是普通磁控溅射的100倍，在1000~3000W/cm2范围。佛山光电器件真空镀膜
电子束蒸发蒸镀如钨(W）、钼（Mo）等高熔点材料，跟常规金属蒸镀，蒸镀方式需有所盖上。根据之前的镀膜经验，需要在坩埚的结构上做一定的改进。高熔点的材料采用锭或者颗粒状放在坩埚当中，因为水冷坩埚导热过快，材料难以达到其蒸发的温度。经过实验的验证，蒸发高熔点的材料可以采用材料薄片来蒸镀，如将1mm材料薄片架空于碳坩埚上沿，材料只能通过坩埚边沿来导热，减缓散热速率，有利于达到蒸发的熔点。采用此方法可满足蒸镀50nm以下的材料薄膜。佛山光电器件真空镀膜
