真空镀膜：随着沉积方法和技术的提升，物理的气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。物理的气相沉积技术早在20世纪初已有些应用，但30年迅速发展成为一门极具广阔应用前景的新技术，并向着环保型、清洁型趋势发展。在钟表行业，尤其是较好手表金属外观件的表面处理方面达到越来越为普遍的应用。物理的气相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤：镀料的气化：即使镀料蒸发，升华或被溅射，也就是通过镀料的气化源。镀料原子、分子或离子的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后，产生多种反应。镀料原子、分子或离子在基体上沉积。真空镀膜机镀膜常用在相机、望远镜，显微镜的目镜、物镜、棱镜的表面，用以增加像的照度。山东真空镀膜加工
磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。贵阳纳米涂层真空镀膜真空镀膜机电阻式蒸发镀分为预热段、预溶段、线性蒸发段三个步骤。
PECVD系统的气源几乎都是由气体钢瓶供气，这些钢瓶被放置在有许多安全保护装置的气柜中，通过气柜上的控制面板、管道输送到PECVD的工艺腔体中。在淀积时，反应气体的多少会影响淀积的速率及其均匀性等，因此需要严格控制气体流量，通常采用质量流量计来实现精确控制。PECVD反应过程中，反应气体从进气口进入炉腔，逐渐扩散至衬底表面，在射频源激发的电场作用下，反应气体分解成电子、离子和活性基团等。分解物发生化学反应，生成形成膜的初始成分和副反应物，这些生成物以化学键的形式吸附到样品表面，生成固态膜的晶核，晶核逐渐生长成岛状物，岛状物继续生长成连续的薄膜。在薄膜生长过程中，各种副产物从膜的表面逐渐脱离，在真空泵的作用下从出口排出。
磁控溅射技术可制备装饰薄膜、硬质薄膜、耐腐蚀摩擦薄膜、超导薄膜、磁性薄膜、光学薄膜，以及各种具有特殊功能的薄膜，是一种十分有效的薄膜沉积方法，在各个工业领域应用非常广。“溅射”是指具有一定能量的粒子（一般为Ar+离子）轰击固体（靶材）表面，使得固体（靶材）分子或原子离开固体，从表面射出，沉积到被镀工件上。磁控溅射是在靶材表面建立与电场正交磁场，电子受电场加速作用的同时受到磁场的束缚作用，运动轨迹成摆线，增加了电子和带电粒子以及气体分子相碰撞的几率，提高了气体的离化率，提高了沉积速率。真空溅镀的镀层可通过调节电流大小和时间来垒加，但不能太厚，一般厚度在0.2~2um。
真空镀膜：反应磁控溅射法：反应磁控溅射沉积过程中基板温度一般不会有很大的升高，而且成膜过程通常也并不要求对基板进行很高温度的加热，因此对基板材料的限制较少。反应磁控溅射适于制备大面积均匀薄膜，并能实现单机年产上百万平方米镀膜的工业化生产。但是反应磁控溅射在20世纪90年代之前，通常使用直流溅射电源，因此带来了一些问题，主要是靶中毒引起的打火和溅射过程不稳定，沉积速率较低，膜的缺陷密度较高，这些都限制了它的应用发展。真空镀膜机在集成电路制造中的应用：PVCD技术、真空蒸发金属技术、磁控溅射技术和射频溅射技术。蚌埠新型真空镀膜
真空溅射镀是真空镀膜技术的一种。山东真空镀膜加工
真空镀膜：等离子体镀膜：在物理的气相沉积中通常采用冷阴极电弧蒸发，以固体镀料作为阴极，采用水冷使冷阴极表面形成许多亮斑，即阴极弧斑。弧斑就是电弧在阴极附近的弧根。在真空条件下，用引弧针引弧，使真空金壁(阳极)和镀材(阴极)之间进行弧光放电，阴极表面快速移动着多个阴极弧斑，不断迅速蒸发甚至“异华”镀料，使之电离成以镀料为主要成分的电弧等离子体，并能迅速将镀料沉积于基体。在极小空间的电流密度极高，弧斑尺寸极小，估计约为1μm～100μm，电流密度高达105A/cm2～107A/cm2。山东真空镀膜加工
