影响靶中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，反应气体过量就会导致靶中毒。反应溅射工艺进行过程中靶表面溅射区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率，化合物覆盖面积增加。在一定功率的情况下，参与化合物生成的反应气体量增加，化合物生成率增加。如果反应气体量增加过度，化合物覆盖面积增加，如果不能及时调整反应气体流量，化合物覆盖面积增加的速率得不到抑制，溅射沟道将进一步被化合物覆盖，当溅射靶被化合物全部覆盖的时候，靶完全中毒，不能继续溅射真空溅镀可根据基材和靶材的特性直接溅射不用涂底漆。东莞PECVD真空镀膜
基片温度对薄膜结构有较大影响，基片温度高，使吸附原子的动能增大，跨越表面势垒的几率增多，容易结晶化，并使薄膜缺陷减少，同时薄膜内应力也会减少，基片温度低，则易形成无定形结构膜。 材料饱和蒸汽压随温度的上升而迅速增大，所以实验时必须控制好蒸发源温度。蒸发镀膜常用的加热方法时电阻大电流加热，采用钨，钼，铂等高熔点的金属。真空镀膜时，飞抵基片的气化原子或分子，一部分被反射，一部分被蒸发离开，剩下的要么结合在一起，再捕获其他原子或分子，使得自己增大；或者单个原子或分子在基片上自由扩散，逐渐生长，覆盖整个基片，形成镀膜。注意的是基片的清洁度和完整性将影响到镀膜的形成速率和质量中山ITO镀膜真空镀膜真空镀膜中离子镀的镀层无小孔。
电子束蒸发是目前真空镀膜技术中一种成熟且主要的镀膜方法，它解决了电阻加热方式中钨舟材料与蒸镀源材料直接接触容易互混的问题。同时在同一蒸发沉积装置中可以安置多个坩埚，实现同时或分别蒸发，沉积多种不同的物质。通过电子束蒸发，任何材料都可以被蒸发，不同材料需要采用不同类型的坩埚以获得所要达到的蒸发速率。在高真空下，电子灯丝加热后发射热电子，被加速阳极加速，获得很大的动能轰击到的蒸发材料上，把动能转化成热使蒸发材料加热气化，而实现蒸发镀膜。电子束蒸发源由发射电子的热阴极、电子加速极和作为阳极的镀膜材料组成。电子束蒸发源的能量可高度集中，使镀膜材料局部达到高温而蒸发。通过调节电子束的功率，可以方便的控制镀膜材料的蒸发速率，特别是有利于高熔点以及高纯金属和化合物材料。
真空镀膜的方法：化学气相沉积：在等离子化学气相沉积法中,等离子体中电子温度高达104K,电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程,生成活性很高的各种化学基团,产生大量反应活性物种而使整个反应体系却保持较低温度。而普通的CVD法沉积温度高(一般为1100℃),当在钢材表面沉积氮化钛薄膜时,由于温度很高,致使膜层与基体间常有脆性相出现,致使刀具的切削寿命降低。利用直流等离子化学气相沉积法,在硬质台金上沉积TiN膜结构与性能均匀。真空镀膜的镀层质量好。
真空镀膜：反应性离子镀：如果采用电子束蒸发源蒸发，在坩埚上方加20V～100V的正偏压。在真空室中导入反应性气体，如氮气、氧气、乙炔、甲烷等反应性气体代替氩气，或在此基础上混入氩气。电子束中的高能电子可以达到几千至几万电子伏特的能量，不仅可以使镀料熔化蒸发，而且能在熔化的镀料表面激励出二次电子。二次电子在上方正偏压作用下加速，与镀料蒸发中性粒子发生碰撞而电离成离子，在工件表面发生离化反应，从而获得氧化物（如TeO2、SiO2、Al2O3、ZnO、SnO2、Cr2O3、ZrO2、InO2等）。其特点是沉积率高，工艺温度低。真空镀膜在钢材、镍、铀、金刚石表面镀钛金属薄膜,提高了钢材、铀、金刚石等材料的耐腐蚀性能。广东真空镀膜多少钱
真空镀膜机的优点:具有优良的耐折性和良好的韧性，比较少出现小孔和裂口。东莞PECVD真空镀膜
真空镀膜：离子镀膜法：目前比较常用的组合方式有：射频离子镀(RFIP)。利用电阻或电子束加热使膜材气化；依靠射频等离子体放电使充入的真空Ar及其它惰性气体、反应气体氧气、氮气、乙炔等离化。这种方法的特点是：基板温升小，不纯气体少，成膜好，适合镀化合物膜，但匹配较困难。可应用于镀光学器件、半导体器件、装饰品、汽车零件等。此外，离子镀法还包括有低压等离子体离子镀，感应离子加热镀，集团离子束镀和多弧离子镀等多种方法。东莞PECVD真空镀膜
广东省科学院半导体研究所在微纳加工技术服务，真空镀膜技术服务，紫外光刻技术服务，材料刻蚀技术服务一直在同行业中处于较强地位，无论是产品还是服务，其高水平的能力始终贯穿于其中。公司位于长兴路363号，成立于2016-04-07，迄今已经成长为电子元器件行业内同类型企业的佼佼者。公司承担并建设完成电子元器件多项重点项目，取得了明显的社会和经济效益。广东省半导体所将以精良的技术、优异的产品性能和完善的售后服务，满足国内外广大客户的需求。
