真空镀膜：可镀材料普遍：离子镀由于是利用高能离子轰击工件表面，使大量的电能在工件表面转换成热能，从而促进了表层组织的扩散作用和化学反应。然而，整个工件，特别是工件心部并未受到高温的影响。因此这种镀膜工艺的应用范围较广，受到的局限性则较小。通常，各种金属、合金以及某些合成材料、绝缘材料、热敏材料和高熔点材料等均可镀复。即可在金属工件上镀非金属或金属，也可在非金属上镀金属或非金属，甚至可镀塑料、橡胶、石英、陶瓷等。真空镀膜中离子镀的镀层无气泡。三明真空镀膜涂料
真空镀膜技术一般分为两大类，即物理的气相沉积（PVD）技术和化学气相沉积（CVD）技术。物理的气相沉积技术是指在真空条件下，利用各种物理方法，将镀料气化成原子、分子或使其离化为离子，直接沉积到基体表面上的方法。制备硬质反应膜大多以物理的气相沉积方法制得，它利用某种物理过程，如物质的热蒸发，或受到离子轰击时物质表面原子的溅射等现象，实现物质原子从源物质到薄膜的可控转移过程。物理的气相沉积技术具有膜/基结合力好、薄膜均匀致密、薄膜厚度可控性好、应用的靶材普遍、溅射范围宽、可沉积厚膜、可制取成分稳定的合金膜和重复性好等优点。淮南纳米涂层真空镀膜各种真空镀膜技术都需要一个特定的真空环境。
磁控溅射还可用于不同金属合金的共溅射，同时使用多个靶电源和不同靶材，例如TiW合金，通过单独调整Ti、W的溅射速率，同时开始溅射2种材料，则在衬底上可以形成Ti/W合计，对不同材料的速率进行调节，即能满足不同组分的要求.磁控溅射由于其内部电场的存在，还可在衬底端引入一个负偏压，使溅射速率和材料粒子的方向性增加。所以磁控溅射常用来沉积TSV结构的阻挡层和种子层，通过对相关参数的调整和引入负偏压，可以实现高深宽比的薄膜溅射，且深孔内壁薄膜连续和良好的均匀性
PECVD一般用到的气体有硅烷、笑气、氨气等其他。这些气体通过气管进入在反应腔体，在射频源的左右下，气体被电离成活性基团。活性基团进行化学反应，在低温（300摄氏度左右）生长氧化硅或者氮化硅。氧化硅和氮化硅可用于半导体器件的绝缘层，可有效的进行绝缘。PECVD生长氧化硅薄膜是一个比较复杂的过程，薄膜的沉积速率主要受到反应气体比例、RF功率、反应室压力、基片生长温度等。在一定范围内，提高硅烷与笑气的比例，可提供氧化硅的沉积速率。在RF功率较低的时候，提升RF功率可提升薄膜的沉积速率，当RF增加到一定值后，沉积速率随RF增大而减少，然后趋于饱和。在一定的气体总量条件下，沉积速率随腔体压力增大而增大。PECVD在低温范围内（200-350℃），沉积速率会随着基片温度的升高而略微下降，但不是太明显。真空镀膜机的优点:具有较佳的金属光泽，光反射率可达97%。
真空镀膜：离子镀膜法：目前比较常用的组合方式有：活性反应蒸镀法(ABE)。利用电子束加热使膜材气化；依靠正偏置探极和电子束间的低压等离子体辉光放电或二次电子使充入的氧气、氮气、乙炔等反应气体离化。这种方法的特点是：基板温升小，要对基板加热，蒸镀效率高，能获得三氧化铝、氮化钛(TiN)、碳化钛(TiC)等薄膜；可用于镀机械制品、电子器件、装饰品。空心阴极离子镀(HCD)。利用等离子电子束加热使膜材气化；依靠低压大电流的电子束碰撞使充入的气体Ar或其它惰性气体、反应气体离化。这种方法的特点是：基板温升小，要对基板加热，离化率高，电子束斑较大，能镀金属膜、介质膜、化合物膜；可用于镀装饰镀层、机械制品。从蒸发源蒸发的分子通过等离子区时发生电离。河源小家电真空镀膜
真空镀膜机真空压铸是一项可供钛铸件生产厂选用，真空镀膜机能提高铸件质量，降低成本的技术。三明真空镀膜涂料
PECVD（等离子体增强化学气相沉积法）工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激发的状态容易发生反应，以在衬底在300-350℃就可以得到良好的氧化硅或者氮化硅薄膜，可以在器件当中作为钝化绝缘层，来提高器件的可靠性。氧化硅薄膜主要用到的气体为硅烷和笑气，氮化硅薄膜主要用到的气体为氨气和硅烷。采用PECVD镀膜对器件有一定的要求，因为工艺温度比较高，所以器件需要耐高温，高温烘烤下不能变形。三明真空镀膜涂料
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