磁控溅射镀膜的产品特点：1、磁控溅射所利用的环状磁场迫使二次电子跳栏式地沿着环状磁场转圈.相应地,环状磁场控制的区域是等离子体密度较高的部位.在磁控溅射时,可以看见溅射气体——氩气在这部位发出强烈的淡蓝色辉光,形成一个光环.处于光环下的靶材是被离子轰击较严重的部位,会溅射出一条环状的沟槽.环状磁场是电子运动的轨道,环状的辉光和沟槽将其形象地表现了出来.磁控溅射靶的溅射沟槽一旦穿透靶材,就会导致整块靶材报废,所以靶材的利用率不高,一般低于40%;2、等离子体不稳定。溅射是指荷能颗粒轰击固体表面，使固体原子或分子从表面射出的现象。海南智能磁控溅射技术
磁控溅射又称为高速低温溅射。在磁场约束及增强下的等离子体中的工作气体离子，在靶阴极电场的加速下，轰击阴极材料，使材料表面的原子或分子飞离靶面，穿越等离子体区以后在基片表面淀积、迁移较终形成薄膜。与二极溅射相比较，磁控溅射的沉积速率高，基片升温低，膜层质量好，可重复性好，便于产业化生产。它的发展引起了薄膜制备工艺的巨大变革。磁控溅射源在结构上必须具备两个基本条件:(1)建立与电场垂直的磁场;(2)磁场方向与阴极表面平行，并组成环形磁场。上海射频磁控溅射镀膜磁控溅射镀膜的适用范围：建材及民用工业中。
磁控溅射技术发展过程中各项技术的突破一般集中在等离子体的产生以及对等离子体进行的控制等方面。通过对电磁场、温度场和空间不同种类粒子分布参数的控制，使膜层质量和属性满足各行业的要求。膜厚均匀性与磁控溅射靶的工作状态息息相关，如靶的刻蚀状态，靶的电磁场设汁等，因此，为保证膜厚均匀性，国外的薄膜制备公司或镀膜设备制造公司都有各自的关于镀膜设备(包括中心部件“靶”)的整套设计方案。同时，还有很多专门从事靶的分析、设计和制造的公司，并开发相关的应用设计软件，根据客户的要求对设备进行优化设计。国内在镀膜设备的分析及设计方面与国际先进水平之间还存在较大差距。
磁控直流溅射法要求靶材能够将从离子轰击过程中得到的正电荷传递给与其紧密接触的阴极，从而该方法只能溅射导体材料，不适于绝缘材料。因为轰击绝缘靶材时，表面的离子电荷无法中和，这将导致靶面电位升高，外加电压几乎都加在靶上，两极间的离子加速与电离的机会将变小，甚至不能电离，导致不能连续放电甚至放电停止，溅射停止。故对于绝缘靶材或导电性很差的非金属靶材，须用射频溅射法（RF）。溅射过程中涉及到复杂的散射过程和多种能量传递过程：入射粒子与靶材原子发生弹性碰撞，入射粒子的一部分动能会传给靶材原子；某些靶材原子的动能超过由其周围存在的其它原子所形成的势垒（对于金属是5-10eV），从而从晶格点阵中被碰撞出来，产生离位原子；这些离位原子进一步和附近的原子依次反复碰撞，产生碰撞级联；当这种碰撞级联到达靶材表面时，如果靠近靶材表面的原子的动能大于表面结合能（对于金属是1-6eV），这些原子就会从靶材表面脱离从而进入真空。在微电子领域作为一种非热式镀膜技术，主要应用在化学气相沉积或金属有机。
真空磁控溅射技术是指一种利用阴极表面配合的磁场形成电子陷阱，使在E×B的作用下电子紧贴阴极表面飘移。设置一个与靶面电场正交的磁场，溅射时产生的快电子在正交的电磁场中作近似摆线运动，增加了电子行程，提高了气体的离化率，同时高能量粒子与气体碰撞后失去能量，基体温度较低，在不耐温材料上可以完成镀膜。这种技术是玻璃膜技术中的较优先技术，是由航天工业、兵器工业、和核工业三个方面相结合的优先技术的民用化，民用主要是通过这种技术达到节能、环保等作用。磁控阴极按照磁场位形分布不同，大致可分为平衡态磁控阴极和非平衡态磁控阴极。海南智能磁控溅射技术
磁控溅射又称为高速低温溅射。海南智能磁控溅射技术
磁控溅射技术是一门起源较早，但至今仍能够发挥很大作用的技术。它的优越性不只体现在镀膜方面，更渗透到各个行业领域。时至如今，我国的溅射技术水平较之以前有了很大的突破。随着时代进步和现代工业化生产需求，社会对磁控溅射工艺的要求也越来越高，这就需要广大科研人员不断深入探究，对这项技术进行进一步研究和改良，增强其精度和功能，满足日益增长的现代工业需求，更好的为社会发展和科学进步贡献力量。广东省科学院半导体研究所。海南智能磁控溅射技术
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