磁控溅射方向性要优于电子束蒸发，但薄膜质量，表面粗糙度等方面不如电子束蒸发。但磁控溅射可用于多种材料，适用性广，电子束蒸发则只能用于金属材料蒸镀，且高熔点金属，如W，Mo等的蒸镀较为困难。所以磁控溅射常用于新型氧化物，陶瓷材料的镀膜，电子束则用于对薄膜质量较高的金属材料沉积源是真空镀膜技术中另一个必不可少的设备。衬底支架是用于在沉积过程中将衬底固定到位的装置。基板支架可以有不同的配置，例如行星式、旋转式或线性平移，具体取决于应用要求。沉积源的选择取决于涂层应用的具体要求，例如涂层材料、沉积速率和涂层质量。镀膜层能明显提升产品的抗冲击性能。河南金属真空镀膜
PVD镀膜(离子镀膜)技术，其具体原理是在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离，利用电场的加速作用，使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上。特点,采用PVD镀膜技术镀出的膜层，具有高硬度、高耐磨性(低摩擦系数)、很好的耐腐蚀性和化学稳定性等特点，膜层的寿命更长;同时膜层能够大幅度提高工件的外观装饰性能。PVD镀膜能够镀出的膜层种类，PVD镀膜技术是一种能够真正获得微米级镀层且无污染的环保型表面处理方法，它能够制备各种单一金属膜（如铝、钛、锆、铬等），氮化物膜（TiN、ZrN、CrN、TiAlN）和碳化物膜（TiC、TiCN），以及氧化物膜（如TiO等）。PVD镀膜膜层的厚度—PVD镀膜膜层的厚度为微米级，厚度较薄，一般为0.3μm～5μm，其中装饰镀膜膜层的厚度一般为0.3μm～1μm，因此可以在几乎不影响工件原来尺寸的情况下提高工件表面的各种物理性能和化学性能，镀后不须再加工。云南反射溅射真空镀膜镀膜层能明显提升产品的耐磨性。
LPCVD设备中较少用的是旋转式LPCVD设备和行星式LPCVD设备，因为其具有结构复杂、操作困难、沉积速率低、产能小等缺点。旋转式LPCVD设备和行星式LPCVD设备的主要优点是可以通过旋转衬底来改善薄膜的均匀性和厚度分布。旋转式LPCVD设备和行星式LPCVD设备可以根据不同的旋转方式进行分类。常见的分类有以下几种：（1）单轴旋转式LPCVD设备，是指衬底只围绕一个轴旋转；（2）双轴旋转式LPCVD设备，是指衬底围绕两个轴旋转；（3）多轴旋转式LPCVD设备，是指衬底围绕多个轴旋转。
电子束蒸发是目前真空镀膜技术中一种成熟且主要的镀膜方法，它解决了电阻加热方式中钨舟材料与蒸镀源材料直接接触容易互混的问题。同时在同一蒸发沉积装置中可以安置多个坩埚，实现同时或分别蒸发，沉积多种不同的物质。通过电子束蒸发，任何材料都可以被蒸发，不同材料需要采用不同类型的坩埚以获得所要达到的蒸发速率。电子束蒸发可以蒸发高熔点材料，比一般电阻加热蒸发热效率高、束流密度大、蒸发速度快，制成的薄膜纯度高、质量好，通过晶振控制，厚度可以较准确地控制，可以广泛应用于制备高纯薄膜和各种光学材料薄膜。电子束蒸发的金属粒子只能考自身能量附着在衬底表面，台阶覆盖性比较差，如果需要追求台阶覆盖性和薄膜粘附力，建议使用磁控溅射。沉积工艺也可分为化学气相沉积和物理的气相沉积。CVD的优点是速率快，PVD的优点是纯度高。
LPCVD技术在未来还有可能与其他技术相结合，形成新的沉积技术，以满足不同领域的需求。例如，LPCVD技术可以与等离子体辅助技术相结合，形成等离子体辅助LPCVD（PLPCVD）技术，以实现更低的沉积温度、更快的沉积速率、更好的薄膜质量和性能等。又如，LPCVD技术可以与原子层沉积（ALD）技术相结合，形成原子层LPCVD（ALLPCVD）技术，以实现更高的厚度精度、更好的均匀性、更好的界面质量和兼容性等。因此，LPCVD技术在未来还有可能产生新的变化和创新，为各种领域提供更多的可能性和机遇。PECVD主要应用在芯片制造、太阳能电池、光伏等领域。河南金属真空镀膜
真空镀膜能赋予材料特殊的光学性能。河南金属真空镀膜
反应溅射是在溅射镀膜中，引入某些活性反应气体与溅射成不同于靶材的化合物薄膜。反应气体有Ｏ2、Ｎ2、ＣＨ4等。反应溅射的靶材可以是纯金属，也可以是化合物，反应溅射也可采用磁控溅射。如氮化铝薄膜可以采用磁控溅射铝靶材，气体通入一比一的氩气和氮气，反应溅射的优点是比直接溅射氮化铝靶材时间更快。磁控溅射可改变工作气体与氩气比例从而进行反应溅射，例如使用Si靶材，通入一定比例的N2，氩气作为工作气体，而氮气作为反应气体，能得到SiNx薄膜。通入氧气与氮气从而获得各种材料的氧化物与氮化物薄膜，通过改变反应气体与工作气体的比例也能对溅射速率进行调整，薄膜内组分也能相应调整。但反应气体过量时可能会造成靶中毒。河南金属真空镀膜
